| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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TGA2222 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 W; 输入返回损失:17 dB; 开发套件:TGA2222EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:TGA2222; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:640 mA; 测试频率:38 GHz; 工作电源电压:26 V; 增益:21.6 dB; 工作频率:32 GHz to 38 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 GaN Amplifier |
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QPC4270TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:78 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:QPC4270PCK; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:48 dB; 介入损耗:0.79 dB; 工作频率:1 MHz to 3300 MHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC SPST 5-3GHz HIGH ISOLATION |
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QPF4230TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4230EVB-01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:3 mm x 3 mm; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi 6 FEM |
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QPF4800TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4800EVB-01; 增益:29 dB, 33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-28; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.6 dB, 2.5 dB; 工作频率:2.4 GHz, 5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:E; 制造商:Qorvo; |
射频前端 DualBand WiFi FEM 11ax 5V |
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RFPA5542BTR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:RFPA5542; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5GHZ Discrete PA |
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QPA9143TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:8.5 dB; 开发套件:QPA9143EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Input; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-3.8 GHz Tx GAIN BLOCK |
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QPA9154TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 开发套件:QPA9154EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Output; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-3.8 GHz Rx GAIN BLOCK |
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QPA9124TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:QPA9124EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34.5 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:3 GHz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Output; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3.3-5 GHz Rx GAIN BLOCK |
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QPA9133TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9133EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:3.3 GHz to 5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Differential Input; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3.3-5 GHz Tx GAIN BLOCK |
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QPA9126TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9 dB; 开发套件:QPA9126 EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA9126; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linearity Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3-5 GHz Gain Block Medium Gain |
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TGA2224 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:30 W; 输入返回损失:10 dB, 13 dB; 开发套件:TGA2224EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:24 V, 26 V; 增益:16 dB, 23.5 dB, 27.9 dB, 30.2 dB; 工作频率:32 GHz to 38 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band MMIC Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 32-38 GHz 5W GaN Amplifier |
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QPA2211D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:40 W; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPA2211DEVB03; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2211D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; 测试频率:31 GHz; 工作电源电压:22 V; 增益:26 dB; 工作频率:27 GHz to 31 GHz; 技术:GaN; 类型:Ka-Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 GaN Amplifier |
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QPA1006D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:118.9 W; 输入返回损失:17 dB; 开发套件:1138267; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA1006D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; 测试频率:12.7 GHz; 工作电源电压:20 V; 增益:21.5 dB; 工作频率:10.7 GHz to 12.7 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA1006D Die sales |
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QPC1217QTR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.6 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:57 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC1217Q; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:DFN-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:18.5 dB; 介入损耗:0.79 dB; 工作频率:6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DPDT GPIO (QM11022 AUTO) |
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QPF4200TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:29 dBm; OIP3 - 三阶截点:10 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4200EVB-01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi FEM |
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QPF4228TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4228; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi 6 Front End Module (11ax) |
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RFFM8528PTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 增益:28 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:328 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:5 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 CPE 5GHz WiFi FEM(PA,SP2T, LNA=Vmode |
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QPF4206BTR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4206BEVB01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4206B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi Front End Module 11ax |
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QPF4530TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4530PCK-01; 增益:15 dB, 30 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:195 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz Wi-FI FEM |
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QPA9908SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 20 dB; 开发套件:QPA9908EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9908; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:370 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:942 MHz; 工作电源电压:5 V; 增益:32.6 dB; 工作频率:925 MHz to 960 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:High Efficiency Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 0.9-0.99 GHz PA |
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CMD305P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:650 mW; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 增益:18 dB; 工作频率:6 GHz to 14 GHz; 技术:GaAs; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6-16GHz Driver Amplifier in 3mm Plastic QFN |
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CMD318P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:23 mA to 43 mA; NF—噪声系数:1.25 dB; 工作电源电压:2.5 V to 4.5 V; 增益:22 dB; 工作频率:5 GHz to 9 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-9 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD316C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:900 mW; 输入返回损失:8 dB; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:6 GHz to 20 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6 - 20 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD309P4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:380 mW; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA to 60 mA; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:27 dB; 工作频率:5 GHz to 11 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5 - 11 GHz Low Noise Amplifier |
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CMD196C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.8 dB; 工作频率:DC to 18 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz High Isolation SPDT Switch |
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QPA2611 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:11 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPA2611EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2611; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; 工作电源电压:24 V; 增益:35.5 dB; 工作频率:8 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:5 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8-12 GHz 5W PA |
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QPA2612 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:26.8 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:21 dB; 开发套件:QPA2612EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2612; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:250 mA; 工作电源电压:24 V; 增益:34.2 dB; 工作频率:8 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:12 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8-12 GHz 12W PA |
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QPA1017D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:180 W; 输入返回损失:8 dB; 开发套件:QPA1017DEVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.5 A; 工作电源电压:24 V; 增益:28 dB; 工作频率:5.7 GHz to 7 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5.7-7 GHz 50W GaN Power Amp |
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QM12038SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QM12038; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm x 0.57 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.85 dB; 工作频率:698 MHz to 2690 MHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Octal; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC |
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QPL8832TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8832EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8832; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:3.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 19dB Ga |
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QPL8833TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8833EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8833; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 15dB Ga |
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QPL8831TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8831PCK-01; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8831; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5 - 1218MHz 17dB Push-Pull Linear CATV A |
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QPL8834TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8834EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8834; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:5 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 12dB Ga |
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QPB0066SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:24 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:250 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:42 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:5 MHz to 500 MHz; 技术:Si; 类型:Digital Controlled Variable Gain; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-500MHz Amplifier |
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QPA9424TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPA9424EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:455 mA; 测试频率:2.35 GHz; 工作电源电压:3.6 V to 5.25 V; 增益:35.8 dB; P1dB - 压缩点:35.4 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 2.4 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity 3-Stage Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-2.4 GHz 0.5W PA |
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QPA2610 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:8.8 W; 输入返回损失:19 dB; 开发套件:QPA2610EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2610; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:56 mA; 工作电源电压:20 V; 增益:38.5 dB; 工作频率:8.5 GHz to 10.5 GHz; 技术:GaN; 类型:2 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8.5-10.5 GHz 2W |
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QPA2598 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:9.8 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 10 dB; 开发套件:QPA2598EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 系列:QPA2598; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; 测试频率:10 GHz to 12 GHz; 工作电源电压:22 V; 增益:22 dB; 工作频率:6 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6-12 GHx 2.5W GaN Driver Amp |
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QPA9421TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:21 dB; 开发套件:QPA9421EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:420 mA; 测试频率:2.14 GHz; 工作电源电压:3.6 V to 5.25 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:35.5 dBm; 工作频率:2.11 GHz to 2.17 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.11-2.17 GHz 0.5W Linear Small PA |
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QPB9337TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:19 dBm; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9337EVBP05; 增益:34 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPB9337; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMT-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:500 uA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1.8-3.8 GHz Dual Channel Switch LNA Modu |
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QPA4501SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.8 W; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPA4501EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA4501; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:75 mA; 工作电源电压:28 V; 增益:29.9 dB; 工作频率:4.4 GHz to 5 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-36; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 4.4-5.0GHz 3W GaN PA MODULE |
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CMD270P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:523 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA to 80 mA; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:2 V to 5 V; 增益:15.5 dB; 工作频率:4 GHz to 8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 4-8 GHz Low Noise Amplifier |
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QPA3250 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:530 mA; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:24 V to 34 V; 增益:23 dB; 工作频率:45 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs GaN; 类型:CATV Power Doubler Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-115J; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 CATV Amp PI325, H34-PD-1218-23-DPD, Com |
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CMD204C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:631 mW; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.5 dB; 工作频率:10 GHz to 18 GHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz High Isolation SPST Switch |
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QPA1022 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPA1022EVB0; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:180 mA; 工作电源电压:22 V; 增益:32 dB; 工作频率:8.5 GHz to 11 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:4 mm x 4 mm x 0.85 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 Derivative PA from QPM1002 - OVM pkg |
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CMD203C4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:531 mW; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:30 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz SP4T Switch |
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QPM1002SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 开发套件:QPM1002EVB1; 增益:25 dB, 33 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 系列:QPM1002; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 工作电源电压:10 V; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作频率:8.5 GHz to 10.5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 QPM1002SR 4.5W X-Band PA/LNA/Switch |
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CMD274P4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:495 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA to 115 mA; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4 V to 7 V; 增益:17.5 dB; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Phase Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2 - 20 GHz Low Phase Noise Amplifier |
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QPM2637 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 开发套件:QPM2637EVB; 增益:23 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-28 SMP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作频率:9 GHz to 10.5 GHz; 类型:Transmitter/Receiver; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 X-band GaN Tx/RX MMIC in ECHL package |
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QPF4001SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4001EVBV1; 增益:17 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5 mm x 4 mm x 1.8 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 95 C; 工作电源电压:20 V; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作频率:26 GHz to 30 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1W 28GHz single channel FEM |
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QPA2213 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:13.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:29 dB; 开发套件:QPA2213EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:330 mA; 测试频率:20 GHz; NF—噪声系数:5.3 dB; 工作电源电压:18 V; 增益:21.4 dB; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:4.5 mm x 4.5 mm x 1.74 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-20 GHz 2W Driver in AC-EHS (formerly T |
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