| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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ADRF5047BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Low-loss reflective, SP4T, 40GHz, low |
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ADL5506WACBZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:75 mW; 开发套件:ADL5506-EVALZ; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 最大二极管电容:5 pF; 工作电源电压:3 V; 配置:Single; 动态范围 dB:45 dB; 频率范围:30 MHz to 4.5 GHz; 类型:RF Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 Next Gen Mobile Term Log Det |
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HMC8411LP2FE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.098 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 产品:Operational Amplifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8411; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:6 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 8 GHz 15 dB Gain |
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ADMV1013ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADMV1013; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:3 mA, 550 mA; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; NF—噪声系数:19 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 增益:19 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 High Band Point-to-Point Upconverter |
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ADMV1014ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:- 1 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:SiGe; 系列:ADMV1014; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:437 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:6 dB; P1dB - 压缩点:- 11 dBm; 增益:17 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 High Band Point-to-Point Downconverter |
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ADMV1014-EVALZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:- 1 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:SiGe; 系列:ADMV1014; 封装 / 箱体:LGA-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:437 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:6 dB; P1dB - 压缩点:- 11 dBm; 增益:17 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 EVAL BOARD |
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HMC521ACHIPS |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:GaAs; 封装:Gel Pack; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs IQ Mixer |
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HMC784AMS8GE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOPG-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:28 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:DC to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
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HMC784AMS8GETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOPG-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:28 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:DC to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
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HMC560ALM3 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:9 dBm, 11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm, 19.5 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC560G; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CE-6-3; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 18 GHz; LO频率:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; NF—噪声系数:10.5 dB, 11.5 dB; 转换损失——最大:15 dB; 射频:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC DBL-BAL mix SMT, 24 - 40 GHz |
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HMC6187LP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Analog VGA |
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HMC8411TCPZ-EP-PT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.098 W; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:EVAL-HMC8411; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:6 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:10 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 8 GHz 15 dB Gain Ext Temp |
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ADPA9002ACGZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 10 GHz 2 Watt PA |
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HMC8192LG |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC8192; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 15 - 45 GHz I/Q Mixer |
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ADRV9026-MB/PCBZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Mid Band Freq range (650 MHz - 2.8 GHZ) |
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ADL6317ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:208; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 1.5GHz to 3GHz Quad Hybrid, TXVGA |
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HMC241ATCPZ-EP-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC241; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC EP GaAs MMIC SP4T |
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HMC560ALM3TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:9 dBm, 11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm, 19.5 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC560G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CE-6-3; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 18 GHz; LO频率:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; NF—噪声系数:10.5 dB, 11.5 dB; 转换损失——最大:15 dB; 射频:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC DBL-BAL mix SMT, 22 GHz to 38 GHz |
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HMC241ATCPZ-EP-PT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC241; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC EP GaAs MMIC SP4T |
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ADL6316ACCZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 0.5GHz to 1GHz Quad Hybrid, TXVGA |
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HMC521A-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs IQ Mixer Sample Pack |
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HMC553AG-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixers |
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ADL6316ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:208; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 0.5GHz to 1GHz Quad Hybrid, TXVGA |
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LTC5555IUFD#PBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:73; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:11.3 dBm; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:192 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 增益:9 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:LTC5555; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-28; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 中频:1 MHz to 900 MHz; LO频率:0.5 GHz to 8 GHz; NF—噪声系数:23.9 dB; 射频:1.5 GHz to 7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 1.5GHz to 7GHz PRGM GAIN DWNCONV MXR |
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HMC908ALC5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:0 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC908; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:100 mA; 工作电源电压:3 V, 5 V; NF—噪声系数:2 dB; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; 增益:11 dB; LO频率:8.5 GHz to 15.5 GHz; 中频:0 Hz to 3.5 GHz; 射频:9 GHz to 12 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 I/Q Down-Converter 9-12 GHZ |
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ADL8111ACCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.61 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:ADL8111; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:5000 MHz to 8000 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:10 MHz to 8000 MHz; 技术:Si; 类型:Bypass Amplifier; 封装 / 箱体:LGA-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 28-LGA-6X6_MM Module/SIP |
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ADPA7002CHIP |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:6.77 W; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:ADPA7002; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:34 GHz to 44 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:20 GHz to 44 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Power Amplifier, 20 - 44 GHz |
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ADRV9008BBCZ-2 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:2 Transmitter; 接收机数量:2 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRV9008; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-196; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传输供电电流:2059 mA; 电源电压-最大:3.465 V; 电源电压-最小:1.267 V; 最大数据速率:12.288 Gb/s; 频率范围:75 MHz to 6000 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Integrated Dual RF Tx/ORx |
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ADF5902WCCPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Transmitter; 工作电源电流:190 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:EV-ADF5902SD1Z; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADF5902; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:3.3 V; 工作频率:24 GHz; 类型:ISM Band; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频发射器 24GHz 2 Ch ISM-band FMCW transmitter |
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ADPA7002C-KIT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:6.77 W; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:ADPA7002; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:34 GHz to 44 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:20 GHz to 44 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 ADPA7002 Sample Pack |
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HMC1022ACHIPS |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.69 W; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC1022A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:150 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:40 GHz to 48 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:0 Hz to 48 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 0.01-50GHz 0.1W DISTRIBUTED AMPLIFIER (T |
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ADL5920ACPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Detector; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:ADL5920-EVALZ, DC2847A-Kit; 商标:Analog Devices; 系列:ADL5920; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:5 V; 配置:Single; 频率范围:9 kHz to 7 GHz; 类型:RMS and VSWR Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 Directional Bridge w/ Integ. RMS Detecto |
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ADRV9008BBCZ-1 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.267 V; 电源电压-最大:3.465 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:1.65 A; NF—噪声系数:15.2 dB; 湿度敏感性:Yes; 增益:30 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRV9008; 带宽:200 MHz; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-196; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:75 MHz to 6000 MHz; 类型:Integrated Dual RF Receiver; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频接收器 Integrated Dual RF Rx |
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HMC8410LP2FE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8410; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:8 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai |
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HMC470ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC470A; 功率额定值:27 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Digital Attenuator |
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HMC8410LP2FETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8410; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19.5 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC Low Noise Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai |
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HMC553ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:414 mW; P1dB - 压缩点:11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC553A; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 14 GHz; 转换损失——最大:10 dB; 射频:6 GHz to 14 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Wideband Passive Mixer |
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HMC787ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:1.044 W; P1dB - 压缩点:15 dBm; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC787ALC3B; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC787; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4 GHz; LO频率:3 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:9 dB; 转换损失——最大:11 dB; 射频:3 GHz to 10 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double-Balanced - Mixer, 3-11GHz |
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HMC558ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:490 mW; P1dB - 压缩点:11.5 dB; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EVAL-HMC558A; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC558; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:6 GHz; LO频率:5.5 GHz to 14 GHz; NF—噪声系数:10 dB; 转换损失——最大:8.5 dB; 射频:5.5 GHz to 14 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double Balance Mixer 5-15GHz |
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HMC392ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC392AG; 技术:Si; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 lo Noise amp SMT, 3.5 - 7.0 GHz |
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ADRF5020BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5020-EVALZ; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5020; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:65 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:100 MHz to 30 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, fast switchi |
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HMC941ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC941; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:0.5 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:33 GHz; 最大衰减:15.5 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
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ADRF5026BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADRF5026-EVALZ; 运行时间—最大值:14 ns; 空闲时间—最大值:14 ns; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5026; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:55 dB; 介入损耗:3.8 dB; 工作频率:100 MHz to 44 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT,40GHz,fast switch |
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HMC8191LC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC8191G; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 26.5 GHz; NF—噪声系数:-; 转换损失——最大:11 dB; 射频:6 GHz to 26.5 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 6 GHz to 26.5 GHz, Wideband I/Q Mixer |
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ADRF5730BCCZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5730; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,Digital Atten 100MHz-30GHz |
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ADRF5730BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5730; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,Digital Atten 100MHz-30GHz |
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ADRF5720BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:9 kHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:30 dBm; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5720; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,6-Bit,Silicon Digital Atten |
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HMC907APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.4 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC907; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:27.5 dBm; 工作频率:0.2 GHz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
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HMC797APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.37 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC797; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:400 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:29 dBm; 工作频率:0 Hz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
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HMC998APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:8.4 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC998; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:500 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:10 V to 15 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:30 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Distributed Amplifier |
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