| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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REF10WTXQI4102TOBO1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RF Transmitter; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 |
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BGT24LTR22E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频收发器 MMW_CONSUMER & IOT |
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BGS14PN10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 工作频率:4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGA8V1BN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:4.2 mA; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:1.6 V to 3.1 V; 增益:15 dB; 工作频率:3.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:SiGe; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGAV1A10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:90 mW; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:32 dB; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:5 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:3 dBm; 工作频率:3.4 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:ATSLP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGS14MA11E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-11; 安装风格:SMD/SMT; 关闭隔离—典型值:18 dB; 介入损耗:0.85 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS18MA14E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSX44MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:36 dB; 介入损耗:0.9 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:4P4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS18MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.95 V; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSX212MA18E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作频率:3.8 GHz; 开关配置:DP12T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGSA142GN12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGSA142M2N12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGSA142MN12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BFP196WNH6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:700 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:Infineon Technologies; 输出功率:-; 工作频率:7.5 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Wideband; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
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BGS12P2L6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:200 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:37 dB; 介入损耗:0.36 dB; 工作频率:0.03 GHz to 4 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGA123L4E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:40 mW; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.05 mA; OIP3 - 三阶截点:- 9 dBm; 测试频率:1575 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:18.2 dB; P1dB - 压缩点:- 17 dBm; 工作频率:1550 MHz to 1615 MHz; 技术:Si; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGA855N6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:12000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 mW; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BGA855N6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:4.4 mA; OIP3 - 三阶截点:1 dBm; 测试频率:1214 MHz; NF—噪声系数:0.6 dB; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:- 14 dBm; 工作频率:1164 MHz to 1300 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ |
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BGSA12UGL8E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGA5L1BN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:12000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 mW; 隔离分贝:29 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:8.2 mA; OIP3 - 三阶截点:- 7 dBm; 测试频率:840 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.6 V; 增益:18.7 dB; P1dB - 压缩点:- 20 dBm; 工作频率:600 MHz to 1000 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ |
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:55 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.1 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGSA143ML10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-10; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:6 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES |
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BGA8U1BN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:4.5 mA; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:1.6 V to 3.1 V; 增益:13.7 dB; 工作频率:4 GHz to 6 GHz; 技术:SiGe; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGAU1A10E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:90 mW; 隔离分贝:38 dB; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:5 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:5500 MHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:1.8 V; 增益:27 dB; P1dB - 压缩点:3 dBm; 工作频率:5.15 GHz to 5.914 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:ATSLP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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BGC100GN6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Front End; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; 工作频率:0.6 GHz to 2.7 GHz; 类型:Switchable Wideband; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频前端 ANTENNA DEVICES |
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BGS13S4N9E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSNP-9; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:21 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3 GHz; 开关配置:SP3T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS16GA14E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 带宽:0.1 GHz to 3.8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SLP-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SP6T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGS16MA12E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:60 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.95 V; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ATSLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.3 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP6T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BGT 24MTR11 E6327 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频收发器 24GHz Transceiver MMIC |
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BGA7H1N6E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 mW; 隔离分贝:21 dB; 输入返回损失:11 dB; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:4.7 mA; OIP3 - 三阶截点:6 dBm; NF—噪声系数:0.6 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:- 1 dBm; 工作频率:2300 MHz to 2690 MHz; 技术:SiGe; 类型:LNA for LTE; 封装 / 箱体:TSNP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF SILICON MMIC |
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TDA7116F |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transmitter; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx7116; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 CONTROL |
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TDA7100HTMA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transmitter; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx7100; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TSSOP-10; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 ASK/FSK TRANSMITTER 10-PIN PKG |
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TDA7110F |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transmitter; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx7110; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 CONTROL |
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TDK5100F |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transmitter; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5100; 频率范围:433 MHz to 435 MHz; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.3 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TSSOP-10; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:435 MHz; 类型:Transmitter; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 2.1-4 V ASK/FSK Transmitter IC |
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BAR9002ELE6327XTMA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:150 mW; 最大串联电阻（中频最小时）:2 Ohms; Ir - 反向电流 :50 nA; 载流子寿命:750 ns; 商标:Infineon Technologies; 类型:Antenna Switch; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:1.8 GHz; 最小工作频率:1 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:0.9 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:2.3 Ohms; 最大二极管电容:0.18 pF; Vr - 反向电压 :80 V; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
PIN 二极管 RF DIODES |
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TDK5111F |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Transmitter; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5111; 频率范围:314 MHz to 317 MHz; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.3 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:317 MHz; 类型:Transmitter; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 CNTRL RF TRANSMITTER 317MHZ 3.3V |
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BFP780H6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:34.5 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:27 dB; P1dB - 压缩点:23 dBm; 工作频率:900 MHz; 技术:SiGe; 类型:High Gain Driver Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频放大器 RF BIP TRANSISTORS |
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BGSF110GN26E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:BGSF110GN26; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSNP-26; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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RX98-4 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:RX984; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频无线杂项 WLC |
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TDA5240 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5240; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 Multi-Ch Quad-Config Recvr w/Digi B-band |
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TDA5235 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5235; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 Db-Config Recvr Digi Baseband Processing |
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TDA5210 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5210; 频率范围:400 MHz to 440 MHz, 810 MHz to 870 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TSSOP-28; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 150 C; 工作频率:870 MHz; 类型:Receiver; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 5V 50nA ASK/FSK Receiver |
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TDA5211 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5211; 频率范围:310 MHz to 330 MHz, 330 MHz to 350 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TSSOP-28; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 150 C; 工作频率:350 MHz; 类型:Receiver; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 5V 50nA FSK/ASK Receiver |
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TDA5210XUMA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 系列:TDx5210; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-28; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 5V 50nA ASK/FSK Receiver |
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TDA5220XUMA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-28; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频接收器 ASK/FSK SINGLE CONVERSION RECEIVER |
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BFR 460L3 E6327 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:0.05 A; 商标:Infineon Technologies; 宽度:0.6 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:22000 MHz; 长度:1 mm; 高度:0.45 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:90 at 20 mA at 3 V; 集电极—基极电压 VCBO:15 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5 V; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:BFR460L3; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA |
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BFR 380L3 E6327 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:380 mW; 最大直流电集电极电流:0.08 A; 商标:Infineon Technologies; 宽度:0.6 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:14 GHz; 长度:1 mm; 高度:0.45 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:90 at 40 mA at 3 V; 集电极—基极电压 VCBO:15 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:BFR380L3; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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BFR380L3E6327XTMA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:380 mW; 最大直流电集电极电流:80 mA; 商标:Infineon Technologies; 工作频率:14 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSLP-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:BFR380L3; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR |
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BFP740FH6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSFP-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 系列:BFP740; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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BGS 12PL6 E6327 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
RF 开关 IC CMOS SWITCH |
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BFP650FH6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSFP-4; 技术:Si; 系列:BFP650; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
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