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无线和射频半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
KC2-19+ 无线和射频半导体 KC2-19+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:1100 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:1900 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:2200 MHz to 3800 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KC2-11+ 无线和射频半导体 KC2-11+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:500 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:1100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:1000 MHz to 2200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KSX2-722+ 无线和射频半导体 KSX2-722+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:1300 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3600 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:2600 MHz to 7200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KSX2-442+ 无线和射频半导体 KSX2-442+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:600 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:2200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:1200 MHz to 4400 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KC2-36+ 无线和射频半导体 KC2-36+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:1700 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:3600 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:3400 MHz to 7200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KSX2-14+ 无线和射频半导体 KSX2-14+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:2500 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:5000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:5000 MHz to 10000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
KSX2-24+ 无线和射频半导体 KSX2-24+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:5 GHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:10 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:10 GHz to 20 GHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS
RLM-33+ 无线和射频半导体 RLM-33+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-751-2WL+ 无线和射频半导体 RLM-751-2WL+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; NF—噪声系数:3 MHz to 750 MHz; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:3 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:750 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-33-2W+ 无线和射频半导体 RLM-33-2W+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:0.2 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:0.2 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-521-2WL+ 无线和射频半导体 RLM-521-2WL+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:0.5 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:520 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:0.5 MHz to 520 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-63-2W+ 无线和射频半导体 RLM-63-2W+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:6000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 6000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-23-1WL+ 无线和射频半导体 RLM-23-1WL+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:100 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:2500 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:12.7 mm x 12.7 mm x 4.57 mm; 工作频率:100 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-43-5W+ 无线和射频半导体 RLM-43-5W+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:20 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:4000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:20 MHz to 4000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-33H+ 无线和射频半导体 RLM-33H+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
RLM-512-4WL+ 无线和射频半导体 RLM-512-4WL+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:512 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:12.7 mm x 12.7 mm x 4.57 mm; 工作频率:50 MHz to 512 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS
PMA3-83LN+ 无线和射频半导体 PMA3-83LN+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.95 W; 输入返回损失:6.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:77 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
GVA-63+ 无线和射频半导体 GVA-63+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 隔离分贝:23.7 dB; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:69 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dB; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:4.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:11.8 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GVA-62+ 无线和射频半导体 GVA-62+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.725 W; 隔离分贝:21.9 dB; 输入返回损失:20.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:23 dB; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:5.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:11.7 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-S66+ 无线和射频半导体 GALI-S66+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:19.1 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:3.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-2+ 无线和射频半导体 GALI-2+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:7.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4.6 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:12.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-1+ 无线和射频半导体 GALI-1+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:11.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:11 dB; P1dB - 压缩点:12.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-8ASM+ 无线和射频半导体 MAR-8ASM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:250 mW; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:36 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:3.7 V; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-7SM+ 无线和射频半导体 MAR-7SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:275 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:22 mA; OIP3 - 三阶截点:19 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:11 dB; P1dB - 压缩点:5.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-6SM+ 无线和射频半导体 MAR-6SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 输入返回损失:30 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:18.1 dBm; 测试频率:0.5 GHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:3.7 dB; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-3SM+ 无线和射频半导体 MAR-3SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.5 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MAR-4SM+ 无线和射频半导体 MAR-4SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:25.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5.25 V; 增益:8 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
PGA-102+ 无线和射频半导体 PGA-102+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:21.9 dB; 输入返回损失:6.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:83 mA; OIP3 - 三阶截点:33.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:10.4 dB; P1dB - 压缩点:16.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
PMA-5451+ 无线和射频半导体 PMA-5451+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:6.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:32.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.3 dB; P1dB - 压缩点:17.3 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PMA-5456+ 无线和射频半导体 PMA-5456+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:37.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:5.8 dB; P1dB - 压缩点:22.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PMA-545+ 无线和射频半导体 PMA-545+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:37.6 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.5 dB; P1dB - 压缩点:21.2 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PSA-5451+ 无线和射频半导体 PSA-5451+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:6.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:29.8 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:9.6 dB; P1dB - 压缩点:16.7 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
GALI-39+ 无线和射频半导体 GALI-39+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:22.9 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:9.8 dB; P1dB - 压缩点:10.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
ERA-1SM+ 无线和射频半导体 ERA-1SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 W; 隔离分贝:17 dB; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:8.2 dB; P1dB - 压缩点:8 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
SAV-541+ 无线和射频半导体 SAV-541+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:360 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:35.1 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:0.5 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:17.4 dB; P1dB - 压缩点:21.5 dBm; 工作频率:0.045 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PMA-5452+ 无线和射频半导体 PMA-5452+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:35.8 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.5 dB; P1dB - 压缩点:18.9 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PMA-5454+ 无线和射频半导体 PMA-5454+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:20 mA; OIP3 - 三阶截点:29.8 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:5.2 dB; P1dB - 压缩点:15.8 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
PSA-5453+ 无线和射频半导体 PSA-5453+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:37.3 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:10.2 dB; P1dB - 压缩点:20.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS
ERA-33SM+ 无线和射频半导体 ERA-33SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:22.5 dB; 输入返回损失:28 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:4.3 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:13.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-4+ 无线和射频半导体 GALI-4+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:4.6 V; 增益:13.1 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-6+ 无线和射频半导体 GALI-6+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12.3 dB; P1dB - 压缩点:18.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
ERA-3SM+ 无线和射频半导体 ERA-3SM+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:24 dB; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:3.2 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:10.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-5+ 无线和射频半导体 GALI-5+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
GALI-51+ 无线和射频半导体 GALI-51+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.5 V; 增益:13.4 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
YAT-3A+ 无线和射频半导体 YAT-3A+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:3 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:3.8 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 衰减器 3 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
YAT-15A+ 无线和射频半导体 YAT-15A+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:15 dB; 最大 VSWR:2:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:15.6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 衰减器 15 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
YAT-0A+ 无线和射频半导体 YAT-0A+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:0 dB; 最大 VSWR:1.8:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:0.7 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 衰减器 0 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
YAT-10A+ 无线和射频半导体 YAT-10A+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.7 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:10 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:10.6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 衰减器 10 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
YAT-5A+ 无线和射频半导体 YAT-5A+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:5 dB; 最大 VSWR:1.95:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:5.5 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 衰减器 5 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50?
PGA-105+ 无线和射频半导体 PGA-105+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.47 W; 隔离分贝:22.2 dB; 输入返回损失:9.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:63 mA; OIP3 - 三阶截点:32.4 dBm; 测试频率:2.6 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:19.3 dBm; 工作频率:0.04 GHz to 2.6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT/ 2.5GHZ RoHS
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