| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
EFR32BG12P433F1024GM68-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-68; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN68 Dual 19 dB BLE/Proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 46GPIO |
 |
NSVF5501SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:5.5 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:70 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 晶体管极性:NPN; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ |
 |
CYW20735PB1KML1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:6 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 输入/输出端数量:40 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20735; 程序存储器类型:ROM; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-60; 最大工作温度:+ 70 C; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:384 kB; 程序存储器大小:2 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4 |
 |
SKY66421-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:16 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66421; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:280 mA; 工作电源电压:2 V to 4.8 V; 工作频率:860 MHz to 930 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 860 to 930MHz RF FEM |
 |
CMX972Q5 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:1410 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 最小频率:20 MHz; 最大频率:300 MHz; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
调节器/解调器 Quadrature Demoduator IF PLL VCO |
 |
SKY66111-21 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66111; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 Low Profile BLE Range Extender FEM |
 |
SKY68001-41 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 开发套件:SKY68001-41EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY68001; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:2.85 V to 4.5 V; 工作频率:699 MHz to 915 MHz, 1710 MHz to 1980 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 LTE Univ Multi-band FEM for IoT B28 |
 |
ESP8285 |
Espressif |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:160 MHz; 数据总线宽度:16 bit/32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:ADC, GPIO, I2C, I2S, PWM, SDIO, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:50 kB; 商标:Espressif Systems; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:ESP8285; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Reel; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:170 mA; 接收供电电流:56 mA; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 72 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:54 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz to 2.5 GHz; 核心:L106, RSIC; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; |
RF片上系统 - SoC SMD IC ESP8285, 1MB SPI flash inside, QFN32-pin, 5*5mm |
 |
EFR32FG1V131F256GM48-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 256 kB flash 32 kB RAM 32 GPIO |
 |
CC2640R2FRGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC26xx; 定时器数量:4; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:48 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLink Bluetooth low enrgy Wirels MCU |
 |
MMP4403-GM2 |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:5 W; Ir - 反向电流 :6 mA; 载流子寿命:3 us; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:High Voltage, High Power; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MMP4400; 封装 / 箱体:0805; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:12 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:300 mOhms; 最大二极管电容:1 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 50MHz - 12 GHz PIN Diode 3 us |
 |
PMA3-83LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.95 W; 输入返回损失:6.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:77 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
 |
CC3220SM2ARGKR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3220x; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3220; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:-; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
|
CC3220SF12ARGKR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3220x; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3220; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:1 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
 |
QPB9320TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 11.6 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9320EVB; 增益:32.5 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMD-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:230 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作频率:1.85 GHz to 2.025 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1.85-2.02GHz FEM 32.5Gain 1.1dB NF |
 |
QPB9329TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:16.5 dBm, 18 dBm; OIP3 - 三阶截点:33 dBm, 33.5 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9329EVB01; 增益:16.5 dB, 31.5 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMD-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:120 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作频率:3.8 GHz to 5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 3.8-5GHz FEM Dual Channel 3-5V |
 |
QPA2609TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPA2609EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA2609; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:120 mA; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:26 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:7 GHz to 14 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 7-14GHz NF 1.1dB SSGain 26dB |
 |
HMC8410LP2FE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8410; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:8 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai |
 |
SX1301IMLTRC |
Semtech |
无线和射频半导体 |
商标名:LoRaWAN; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 类型:Digital Baseband Chip; 技术:Si; 系列:SX1301; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-64; 工作电源电流:550 mA; 电源电压-最小:1.75 V; 电源电压-最大:1.85 V; 工作频率:868 MHz; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频无线杂项 Digital Baseband Chip for outdoor LoRaWAN macro gateways |
 |
QPF4005SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4005EVB03; 增益:18 dB, 23 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 系列:QPF4005; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:4.5 mm x 6 mm x 1.8 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 95 C; 工作电源电压:20 V; NF—噪声系数:4.2 dB; 工作频率:37 GHz to 40.5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 39GHz FEM for 5G |
 |
AFV10700HSR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:526 W; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1030 MHz to 1090 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780S-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:700 W; 增益:19.2 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V; Id-连续漏极电流:2.6 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz |
 |
ESP32-D2WD |
Espressif |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:2 Timer; ADC通道数量:18 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:240 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, I2S, SDIO, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:16 kB, 520 kB; 商标:Espressif Systems; 技术:Si; 系列:ESP32; 程序存储器类型:ROM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:448 kB; 传输供电电流:240 mA; 接收供电电流:95 mA to 100 mA; 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:150 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:LX6; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; |
RF片上系统 - SoC SMD IC ESP32-D2WD, Dual Core MCU, WiFi & Bluetooth Combo, 2MByte Flash inside, QFN48-pin, 5*5mm |
|
nRF52810-QFAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTAQFN 48 pin6x6mm |
 |
nRF52832-CIAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:5 x 32 bit Timer; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2 Wire, I2C, I2S, PDM, PPI, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF52832; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:WLCSP-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.3 mA; 接收供电电流:5.4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 2.4GHZ WLCSP 13" |
|
nRF52832-CIAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:5 x 32 bit Timer; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2 Wire, I2C, I2S, PDM, PPI, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF52832; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.3 mA; 接收供电电流:5.4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 2.4GHZ WLCSP 7" |
 |
ST25R3911B-AQFT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25R3911B; 产品:RFID Readers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:13.56 MHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
 |
CLRC66303HNY |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:CLRC66303; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 CL READER IC'S |
 |
RF5110GTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:RF5110GPCK-410; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2 A; 工作电源电压:3.5 V; 增益:31.5 dB; 工作频率:150 MHz to 960 MHz; 技术:GaAs; 类型:General Purposes/GSM; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 150-960MHz Pout 32dBm PAE 53% |
 |
HMC470ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC470A; 功率额定值:27 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Digital Attenuator |
 |
LMX2572RHAT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:75 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:LMX2572EVM; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2572; 特点:Integrated VCO , FSK modulation, Flexible ramp generation, Integer-Boundary Spurs (IBS) removal, In; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.5 V; 输出频率范围:13 MHz to 6.4 GHz; 最小输入频率:5 MHz; 最大输入频率:150 MHz; 电路数量:1; 类型:Synthesizer; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
锁相环 - PLL |
 |
MRF300AN |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 系列:MRF300; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
|
HMC8410LP2FETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.3 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8410; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19.5 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC Low Noise Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai |
 |
HMC553ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:414 mW; P1dB - 压缩点:11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC553A; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 14 GHz; 转换损失——最大:10 dB; 射频:6 GHz to 14 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Wideband Passive Mixer |
 |
HMC787ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:1.044 W; P1dB - 压缩点:15 dBm; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC787ALC3B; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC787; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4 GHz; LO频率:3 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:9 dB; 转换损失——最大:11 dB; 射频:3 GHz to 10 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double-Balanced - Mixer, 3-11GHz |
 |
HMC558ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:490 mW; P1dB - 压缩点:11.5 dB; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EVAL-HMC558A; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC558; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:6 GHz; LO频率:5.5 GHz to 14 GHz; NF—噪声系数:10 dB; 转换损失——最大:8.5 dB; 射频:5.5 GHz to 14 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double Balance Mixer 5-15GHz |
|
LMX2594RHAT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:340 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2594; 特点:Flexible ramp generation, Integer-Boundary Spurs (IBS) removal, Integrated VCO, JESD204B SYSREF, Mu; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 输出频率范围:10 MHz to 15 GHz; 最小输入频率:5 MHz; 最大输入频率:1400 MHz; 电路数量:1; 类型:Wideband PLL; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
锁相环 - PLL |
 |
HMC392ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC392AG; 技术:Si; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 lo Noise amp SMT, 3.5 - 7.0 GHz |
 |
ADRF5020BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5020-EVALZ; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5020; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:65 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:100 MHz to 30 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, fast switchi |
|
LMX2595RHAT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:340 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:LMX2595EVM; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2595; 特点:Flexible ramp generation, Integer-Boundary Spurs (IBS) removal, Integrated VCO, JESD204B SYSREF, Mu; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 输出频率范围:10 MHz to 19 GHz; 最小输入频率:5 MHz; 最大输入频率:1400 MHz; 电路数量:1; 类型:RF Synthesizer; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
锁相环 - PLL |
|
HMC941ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC941; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:0.5 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:33 GHz; 最大衰减:15.5 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
|
ADRF5026BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:ADRF5026-EVALZ; 运行时间—最大值:14 ns; 空闲时间—最大值:14 ns; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5026; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:55 dB; 介入损耗:3.8 dB; 工作频率:100 MHz to 44 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT,40GHz,fast switch |
|
HMC8191LC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC8191G; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 26.5 GHz; NF—噪声系数:-; 转换损失——最大:11 dB; 射频:6 GHz to 26.5 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 6 GHz to 26.5 GHz, Wideband I/Q Mixer |
 |
ADRF5730BCCZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5730; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,Digital Atten 100MHz-30GHz |
|
ADRF5730BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5730; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,Digital Atten 100MHz-30GHz |
|
ADRF5720BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:9 kHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:30 dBm; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:ADRF5720; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5dB LSB,6-Bit,Silicon Digital Atten |
 |
HMC907APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.4 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC907; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:27.5 dBm; 工作频率:0.2 GHz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
|
HMC797APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.37 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC797; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:400 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:29 dBm; 工作频率:0 Hz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
 |
HMC998APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:8.4 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC998; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:500 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:18 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:10 V to 15 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:30 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Distributed Amplifier |
 |
MRFX1K80HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:2247 W; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:44.7 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX1K80; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.8 kW; 增益:25.1 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V; Id-连续漏极电流:43 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor |
 |
HMC8205BF10 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:89.4 W; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:EV1HMC8205BF10; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC8205; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.3 A; 测试频率:3 GHz to 6 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:50 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:0.3 GHz to 6 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LDCC-10; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 0.5-6GHz 30W PA w/ Driver |
QQ客服
