| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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TC3567DFSG-002(ELG |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC35680FSG-002 |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.2 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35680FSG-002; 灵敏度:- 105 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 传输供电电流:11.3 mA; 接收供电电流:5.1 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 最大数据速率:2000 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 5.0 IC 8dBm 3.6V 128K Flash |
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TC3567DFSG-002(E1C |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC3567CFSG-002(ELG |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC35679FSG-002(ELC |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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TC35678FSG-002(ELC |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35678FSG-002; 灵敏度:- 93.5 dBm; 尺寸:5 mm x 5 mm x 0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:Serial; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 BLE IC 3.6V 3.3mA 0dBm |
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TC35681FSG-002 |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.2 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35681FSG-002; 灵敏度:- 105 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 120 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 dBm; 传输供电电流:11.3 mA; 接收供电电流:5.1 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大数据速率:2000 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 5.0 IC 8dBm 3.6V |
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2SK3476(TE12L,Q) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3476; 工作频率:520 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-X-4; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:7 W; 增益:11.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:20 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
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2SK3074TE12LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3074; 工作频率:530 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:630 mW; 增益:14.9 dB; Vds-漏源极击穿电压:30 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS |
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TC35661SBG-501,EL |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 最大工作频率:52 MHz; 电源电流—最大值:30 uA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35661; 灵敏度:- 91 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FBGA-64; 接口类型:SPI, I2C, I2S, UART, USB2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大数据速率:2 Mb/s; 频率范围:13 MHz to 52 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth IC 2dBm 3.6V |
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TC35662IXBG(EL) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Transceiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35662; 灵敏度:- 95 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FBGA-225; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:18 dBm; 电源电压-最大:3.3 V; 调制格式:OFDM; 最大数据速率:150 Mb/s; 频率范围:2.4 GHz, 5 GHz; 类型:Bluetooth, Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Combo Chip for BT Classic, WiFi & BLE |
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2SK3075(TE12L,Q) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3075; 工作频率:520 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-X-4; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:7.5 W; 增益:11.7 dB; Vds-漏源极击穿电压:30 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS |
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1SV271TPH3F |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:Toshiba; 宽度:1.25 mm; 类型:PIN Diodes; 长度:1.7 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:1SV271; 封装 / 箱体:USC-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:3 GHz; 最小工作频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:3 Ohms; 最大二极管电容:0.4 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
PIN 二极管 VARICAP DIODE |
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1SV307(TPH3,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; 最大串联电阻（中频最小时）:1.5 Ohms; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Toshiba; 类型:PIN Diodes; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:1SV307; 封装 / 箱体:USC-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.1 Ohms; 最大二极管电容:0.5 pF; Vr - 反向电压 :30 V; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
PIN 二极管 RF Diode 39V 1Vf 0.3pF 1.1Ohm Switch |
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2SC5108-Y,LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Toshiba; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; 系列:2SC5108; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor |
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MT3S20TU(TE85L) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:900 mW; 商标:Toshiba; 类型:VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:UFM-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S20; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V |
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1SV308,L3F |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:Toshiba; 类型:PIN Diodes; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:1SV308; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
PIN 二极管 Radio-Freq Switch 30V 0.3pF 1.1ohm |
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MT3S111(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:700 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 工作频率:11.5 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TO-236-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 晶体管极性:NPN; 技术:SiGe; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S111; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW |
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3SK291(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Toshiba; 类型:RF Small Signal MOSFET; 系列:3SK291; 工作频率:800 MHz; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-24-4; 安装风格:SMD/SMT; 增益:22.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:12.5 V; Id-连续漏极电流:30 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V |
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2SK3756(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:0.95 V; Vgs - 栅极-源极电压:3 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3756; 工作频率:470 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 增益:12 dB; Vds-漏源极击穿电压:7.5 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS |
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RFM01U7P(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:RFM01; 工作频率:520 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:1.2 W; 增益:10.8 dB; Vds-漏源极击穿电压:20 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V |
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2SC5066-O,LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:30 mA; 增益带宽产品fT:7 GHz; 商标:Toshiba; 直流电流增益 hFE 最大值:240 at 10 mA at 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-416-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 系列:2SC5066; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor |
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2SC5086-O,LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:80 mA; 增益带宽产品fT:7 GHz; 商标:Toshiba; 直流电流增益 hFE 最大值:240 at 20 mA at 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-75-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 系列:2SC5086; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor |
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2SK3078A(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:5 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3078; 工作频率:470 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 增益:8 dB; Vds-漏源极击穿电压:10 V; Id-连续漏极电流:500 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS |
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2SK3475TE12LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3475; 工作频率:520 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:630 mW; 增益:14.9 dB; Vds-漏源极击穿电压:20 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS |
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TC32306FTG,EL |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC32306; 灵敏度:- 121 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-36; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:10 dBm; 传输供电电流:12 mA; 接收供电电流:9.7 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2 V; 调制格式:ASK, FSK; 频率范围:315 MHz, 434 MHz, 868 MHz, 915 MHz; 类型:Multiband; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 射频收发器 UHF 2.0 to 5.5V -117dBm |
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RFM04U6P(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:0.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:3 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:7 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:RFM04; 工作频率:470 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-Mini-3; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:4.3 W; 增益:13.3 dB; Vds-漏源极击穿电压:16 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V |
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3SK293(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:Toshiba; 类型:RF Small Signal MOSFET; 系列:3SK293; 工作频率:800 MHz; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; 增益:22.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:12.5 V; Id-连续漏极电流:30 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
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3SK292(TE85R,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Toshiba; 类型:RF Small Signal MOSFET; 系列:3SK292; 工作频率:500 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMQ-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益:26 dB; Vds-漏源极击穿电压:12.5 V; Id-连续漏极电流:30 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
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MT3S111P(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1 W; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 工作频率:8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 晶体管极性:NPN; 技术:SiGe; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S111P; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W |
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2SC5087R(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Toshiba; 类型:VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier; 工作温度范围:- 55 C to + 125 C; 工作频率:8 GHz (Typ); 直流电流增益 hFE 最大值:240; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMQ-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:2SC5087; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB |
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JDP2S02AFS(TPL3) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:Toshiba; 类型:PIN Diodes; 端接类型:SMD/SMT; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:JDP2S02; 封装 / 箱体:fSC-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:3 GHz; 最小工作频率:30 MHz; Vr - 反向电压 :30 V; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
PIN 二极管 Radio-Freq SGL 30V 0.3pF 1 Ohm |
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2SC5087YTE85LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:80 mA; 增益带宽产品fT:7 GHz; 商标:Toshiba; 直流电流增益 hFE 最大值:240; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-24-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 系列:2SC5087; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V |
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2SC2714-O(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:Toshiba; 类型:FM Frequency Amplifier; 工作温度范围:- 55 C to + 125 C; 工作频率:550 MHz (Typ); 直流电流增益 hFE 最大值:200; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:20 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:2SC2714; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW |
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MT3S16U(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:Toshiba; 类型:UHF Band Oscillator and Amplifier; 工作温度范围:- 55 C to + 125 C; 工作频率:4 GHz (Typ); 直流电流增益 hFE 最大值:140; 集电极—基极电压 VCBO:10 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-70-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:60 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S16; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz |
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3SK294(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:Toshiba; 类型:RF Small Signal MOSFET; 系列:3SK294; 工作频率:500 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益:26 dB; Vds-漏源极击穿电压:12.5 V; Id-连续漏极电流:30 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
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2SK4037(TE12L,Q) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:3 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK4037; 工作频率:470 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PW-X-4; 安装风格:SMD/SMT; 增益:11.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:12 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS |
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TC35667FTG-005(EL) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35667; 灵敏度:- 92.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:- 20 dBm to 0 dBm; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth v4.1 LE |
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TC35676FSG-001(EL) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35676; 灵敏度:- 92.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:- 20 dBm to 0 dBm; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth Smart IC |
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TC35670FTG-006(EL) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35670; 灵敏度:- 92 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:6.3 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大数据速率:424 kb/s; 频率范围:2.4 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Combo Chip for BT Smart & NFC tag |
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TC35675XBG-001(EL) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 系列:TC35675; 灵敏度:- 92.5 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FBGA-52; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:- 20 dBm to 0 dBm; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Combo Chip for BT Smart & NFC tag |
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TC35678FXG-002,EL |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93 dBm; 封装:Reel; 封装 / 箱体:QFN-60; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2.4 GHz to 2.4835 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 v4.2 Bluetooth Smart IC |
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TC3567CFSG-002(E1C |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Toshiba; 技术:Si; 灵敏度:- 93.5 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 接口类型:I2C, SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:0 dBm; 传输供电电流:3.3 mA; 接收供电电流:3.3 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.9 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:921.6 kb/s; 频率范围:2400 MHz to 2483.5 MHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA |
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MT3S113TU,LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:900 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 工作频率:11.2 GHz; 封装:Reel; 封装 / 箱体:UFM-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.3 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 晶体管极性:NPN; 技术:SiGe; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S113TU; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW |
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RFM12U7X(TE12L,Q) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:RFM12; 工作频率:520 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装 / 箱体:PW-X-4; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:12 W; 增益:10.8 dB; Vds-漏源极击穿电压:20 V; Id-连续漏极电流:4 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V |
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MT3S20P(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:400 mW; 最大直流电集电极电流:80 mA; 商标:Toshiba; 输出功率:1.8 W; 工作频率:7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 X34 Pb-FREE PW-MINI DIODE |
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2SC5086-Y,LF |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:80 mA; 增益带宽产品fT:7 GHz; 商标:Toshiba; 直流电流增益 hFE 最大值:240 at 20 mA at 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-75-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 系列:2SC5086; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor |
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2SC5087-O(TE85L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Toshiba; 类型:VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier; 工作温度范围:- 55 C to + 125 C; 工作频率:7 GHz (Typ); 直流电流增益 hFE 最大值:240; 集电极—基极电压 VCBO:20 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMQ-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:80 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:2SC5087; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz |
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MT3S113P(TE12L,F) |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1.6 W; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 工作频率:7.7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.3 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 晶体管极性:NPN; 技术:SiGe; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MT3S113P; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W |
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2SK3079ATE12LQ |
Toshiba |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:0.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:3 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 商标:Toshiba; 类型:RF Power MOSFET; 系列:2SK3079; 工作频率:470 MHz; 配置:Single; 封装:Reel; 封装 / 箱体:PW-X-4; 安装风格:SMD/SMT; 输出功率:2.2 W; 增益:13.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:10 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS |
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