| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
NSVF5490SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:30 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:30 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT |
|
NSVF5488SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:100 mW; 最大直流电集电极电流:70 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:70 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F |
 |
NSVF5501SKT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:5.5 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SOT-623-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:70 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 晶体管极性:NPN; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 70MA FT=5 .5GHZ |
 |
NCV-RSL10-101Q48-AVG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:17.4 mA; 接收供电电流:3.4 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:3 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC RSL10 RadioSoC Ultra Low Power BLE5 |
 |
NSVF6003SB6T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:800 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:7 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:CPH-6; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G |
 |
NSVF4020SG4T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:400 mW; 最大直流电集电极电流:150 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:16 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G |
 |
NSVF4017SG4T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:450 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:10 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G |
|
NSVF4015SG4T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:450 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:10 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-82FL-4; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G |
 |
NSVF3007SG3T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:350 mW; 最大直流电集电极电流:30 mA; 商标:ON Semiconductor; 工作频率:8 GHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-70FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:30 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN |
 |
NSVF4009SG4T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G |
 |
AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3 V; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 灵敏度:- 125 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-38; 接口类型:SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:13 dBm; 传输供电电流:45 mA; 接收供电电流:14 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.1 V; 调制格式:BPSK, GFSK; 最大数据速率:600 b/s; 频率范围:868.13 MHz to 869.525 MHz; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 SIP SFEU AT VERSIO |
 |
TCP-5018UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 系列:TCP-5018UB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Radio; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 Passive Tunable Int Circuit 1.8 pF |
 |
N24RF04DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 4 KB EEPROM |
|
N24RF16DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM |
|
N24RF64DWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM |
 |
N24RF16DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM T SSOP |
|
N24RF64DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM T SSOP |
 |
NCH-RSL10-101Q48-ABG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:8.9 mA; 接收供电电流:5.6 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Radio SoC Ultr Low Pwr |
 |
NCH-RSL10-101WC51-ABG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:2.364 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:2.325 mm; 高度:0.35 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-51; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:8.9 mA; 接收供电电流:5.6 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Ultra Low Power SoC 51 Bump WLCSP |
 |
AXM0F243-1-TX40 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:8 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:AXM0F243; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:64 kB; 传输供电电流:55 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 105 dBm; 输出功率:16 dBm; 最大数据速率:125 kb/s; 工作频率:27 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Sub GHz, 27-1050 MHz RF Microcontroller |
 |
NLHV1T0434ZR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:50 uA; 最小工作温度:- 55 C; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:2 MHz; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF 开关 IC 48 V RF ANTENNA SWI TCH DR |
|
N24RF64EDWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM SOIC |
|
N24RF04DTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID/NFC Tags; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 4KB EEPROM TSS OP |
 |
SPS1M002PET |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最小工作温度:- 20 C; 最大工作温度:+ 60 C; 工作频率:928 MHz; 存储容量:144 bit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 FCC-MOISTURE-PET |
 |
NCH-RSL10-101S51-ACG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-51; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:12 mA; 接收供电电流:3.4 mA; 工作电源电压:1.25 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC RSL10 SIP |
|
N24RF04EDWPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 4 KB EEPROM |
 |
N24RF16EDTPT3G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RFID应答器 RFID 16 KB EEPROM |
|
AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3 V; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 灵敏度:- 125 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SIP-38; 接口类型:SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 输出功率:13 dBm; 传输供电电流:45 mA; 接收供电电流:14 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.1 V; 调制格式:BPSK, GFSK; 最大数据速率:600 b/s; 频率范围:868.13 MHz to 869.525 MHz; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 SIP SFEU API VERSI |
|
TCP-5033UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:1 V to 24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; 类型:PTIC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 3.3PF HIGH Q PTIC |
|
TCP-5056UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:1 V to 24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; 类型:PTIC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 5.6PF HIGH Q PTIC |
 |
NSVP249SDSF3T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:100 mW; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ON Semiconductor; 类型:PIN Diodes; 配置:Dual Series; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:NSVP249SDSF3; 封装 / 箱体:MCP-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:100 MHz; 最小工作频率:1 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:0.92 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:4.5 Ohms; 最大二极管电容:0.23 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
PIN 二极管 PIN DI SERIES RS 4.5 OHM |
 |
NSVP264SDSF3T1G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:100 mW; 最大串联电阻（中频最小时）:2.5 Ohms; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ON Semiconductor; 类型:PIN Diode for VHF, UHF, AGC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 封装 / 箱体:SC-70-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:0.91 V at 50 mA; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:4.5 Ohms; 最大二极管电容:0.4 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
PIN 二极管 RF Diode Dual Series VHF, UHF, AGC |
 |
TCP-5068UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Passive Tunable Integrated Circuit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 6.8PF HIGH Q PTIC |
|
TCP-5082UB-DT |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Tuners; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:24 V; 最小频率:700 MHz; 最大频率:2.7 GHz; NF—噪声系数:-; 类型:Passive Tunable Integrated Circuit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调谐器 WLCSP6 8.2PF HIGH Q PTIC |
 |
LA72912V-TLM-H |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:32 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:LA72912V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SSOP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 技术:Si; 工作电源电压:5 V; 调制格式:FM; 类型:Modulator; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调节器/解调器 FM MODULATOR DEMODULATOR |
 |
NB2309AI1DR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4 mm; 系列:NB2309A; 长度:10 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 输出频率范围:15 MHz to 133 MHz; 电路数量:1; 类型:Zero Delay PLL Clock Buffer; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
锁相环 - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer |
 |
MMBF5485 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF JFET Transistors; 闸/源截止电压:- 4 V; 正向跨导 - 最小值:0.0035 S to 0.007 S; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 类型:JFET; 系列:MMBF5485; 产品:RF JFET; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:225 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大漏极/栅极电压:25 V; Id-连续漏极电流:10 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; 晶体管极性:N-Channel; 技术:Si; 晶体管类型:JFET; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor |
 |
MMBF4416 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF JFET Transistors; 闸/源截止电压:- 6 V; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 类型:JFET; 系列:MMBF4416; 产品:RF JFET; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:225 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大漏极/栅极电压:30 V; Id-连续漏极电流:15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; 晶体管极性:N-Channel; 技术:Si; 晶体管类型:JFET; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor |
|
MC12093MNR4G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 宽度:2 mm; 技术:Si; 系列:MC12093; 封装 / 箱体:DFN-8; 输出电压:0.8 V; 长度:2 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 分度:2, 4, 8; 最小工作频率:100 MHz; 最大工作频率:1100 MHz; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
预定标器 LO PWR PRESCLR 2/4/8 |
|
MC12093DR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:MC12093; 封装 / 箱体:SOIC-8; 输出电压:0.8 V; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 分度:2, 4, 8; 最小工作频率:100 MHz; 最大工作频率:1100 MHz; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
预定标器 1.1GHz Low Power 预定标器 w/ Standby |
|
MCK12140DG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.94 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:98; 产品类型:Phase Detectors / Shifters; 工作电源电压:4.94 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4 mm; 系列:MCK12140; 封装:Tube; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装 / 箱体:SOIC-8; 技术:Si; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:650 MHz; 最大输入频率:800 MHz; 类型:Phase Frequency Detector; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
相位探测器 / 移相器 Phase Freq. Detector |
 |
NBC12429FAG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 宽度:7 mm; 系列:NBC12429; 长度:7 mm; 高度:1.45 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:5.25 V; 输出频率范围:25 MHz to 400 MHz; 最小输入频率:10 MHz; 最大输入频率:20 MHz; 电路数量:1; 类型:Programmable PLL Clock Synthesizer; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
锁相环 - PLL 3.3V/5V Programmable PLL Clock Generator |
 |
LA72914V-TLM-H |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:40 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:LA72914V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 技术:Si; 工作电源电压:5 V; 调制格式:FM; 类型:Modulator; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调节器/解调器 FM MODULATOR DEMODULATOR |
|
MMBFJ211 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF JFET Transistors; 闸/源截止电压:- 4.5 V; 正向跨导 - 最小值:0.006 S to 0.012 S; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 类型:JFET; 系列:MMBFJ211; 产品:RF JFET; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:225 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大漏极/栅极电压:25 V; Id-连续漏极电流:20 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; 晶体管极性:N-Channel; 技术:Si; 晶体管类型:JFET; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor |
|
AX5043-1-TW30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 系列:AX5043; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 RADIO TRANSCEIVER |
 |
AX-SFEU-1-01-TX30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:Sigfox; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 系列:AX-SFxx; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC SigFox SoC for Uplink/Downlink |
|
AX5243-1-TW30 |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 系列:AX5243; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 类型:Narrow Band; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
射频收发器 RADIO TRANSCEIVER |
 |
NB3N5573DTR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4.5 mm; 系列:NB3N5573; 长度:5.1 mm; 高度:1.05 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电压-最大:3.63 V; 输出频率范围:25 MHz to 200 MHz; 最小输入频率:25 MHz; 电路数量:1; 类型:PLL Clock Generator; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
锁相环 - PLL XTAL-HCSL CLK GNRTR |
|
MC12026ADR2G |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:MC12026A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 输出电压:1.6 V; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 分度:8, 9, 16, 17; 最小工作频率:100 MHz; 最大工作频率:1100 MHz; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
预定标器 BBG 2Mod 预定标器 |
|
LA72910V-TLM-H |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:26.5 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:LA72910V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 技术:Si; 工作电源电压:5 V; 调制格式:FM; 类型:Modulator; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
调节器/解调器 FM MODULATOR DEMODULATOR |
QQ客服
