| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
NJM2593V-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM2593; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:300 mW; 商标:NJR; 系列:NJM2593; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SSOP-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电压:2.5 V; 调制格式:FM; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 50MHz INPUT MIXER & 450kHz FM IF DEMOD |
 |
NJM2591V-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM2591; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:NJR; 系列:NJM2591; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 450KHz FM IF |
|
NJG1815K75-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1815K75; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch GaAs 1.8V 3.3V .45dB |
 |
NJM14570RB1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:410 mW; 商标:NJR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:2.9 mA; 工作电源电压:1.8 V to 9 V; 最小频率:10.7 MHz; 最大频率:15 MHz; 调制格式:FM; 类型:Demodulator; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 Wide-B FM IF Demod 1.8 to 9V 2.9mA 15 |
 |
NJG1152KA1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:NJG1152; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Wide Band LN Amp GaAs MMIC 20mA |
|
NJG1649HB6 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG164; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC 1 bit Control Medium Power SPDT Switch |
 |
NJG1156PCD-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:24 dBm; OIP3 - 三阶截点:55 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 增益:18.5 dB; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG115xP; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HFFP-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:3.3 mA; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作频率:915 MHz to 2.5 GHz; 类型:GPS; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频前端 GPS Front-End Mod 1.8V 2.8V 0.1uA |
|
NJG1117HA8-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG111; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:NJG1117; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.7 dB; 增益:19.5 dB; 工作频率:1.5 GHz to 2.4 GHz; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:USB-6-A8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 GPS LNA GaAs MMIC |
 |
NJG1130KA1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG113; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:NJG1130; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 GNSS Low Noise Amp GaAs MMIC |
 |
NJG1157PCD-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 增益:18.5 dB; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG115xP; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作频率:1575 MHz to 1606 MHz; 类型:GPS; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频前端 GPS and GLONASS FEM GNSS 1.5 to 3.3V |
|
NJM2552V-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM255; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Mixer; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJM2552; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频混合器 100MHz Inpt Mxr 450kHz FM/AM Dmdultr |
|
NJG1801K75-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT GaAs MMIC 6.0GHz 3.0V 31dBm |
 |
NJG1159PHH-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:24 dBm; OIP3 - 三阶截点:55 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 增益:16 dB; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG115xP; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HFFP-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:3.7 mA; 工作电源电压:1.5 V to 3.3 V; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作频率:1.575 GHz to 1.606 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频前端 GNSS Front-End Mod 1.8V 2.8V 0.1uA |
|
NJG1806K75-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1806; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC 1bit SPDT Switch IC GaAs MMIC 1.8V |
 |
NJG1143UA2-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:590 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:NJR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:NJG1143; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:4 mA; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.7 dB; 工作电源电压:1.5 V to 3.6 V; 增益:20 dB; 工作频率:1.575 GHz; 技术:GaAs; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Low Noise Amp GaAs MMIC 1.5V to 3.6V |
 |
NJG1681MD7-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG168; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:1300 mW; 工作电源电流:95 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.8 V; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1681; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:20 dB; 介入损耗:0.45 dB; 工作频率:6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC Ultra Low Pwr Op Amp GaAs MMIC ESD |
|
NJG1809ME7-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1809ME7; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC HP SP4T Switch GaAs 1.35 to 5.0V 32dBm |
 |
NJG1684ME2-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:1200 mW; 工作电源电流:180 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.35 V to 5 V; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1684; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:25 dB; 介入损耗:0.35 dB; 工作频率:0.9 GHz to 2.7 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC HP SP4T Switch GaAs 2.7GHz 1.8V |
 |
NJG1505R-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG150; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1505; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VSP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch |
|
NJG1804K64-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1804; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SP3T Switch GaAS MMIC 1.9Vctl 5.0V |
 |
NJG1665MD7-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:1300 mW; 工作电源电流:45 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.8 V; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1665; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:21 dB; 介入损耗:0.6 dB; 工作频率:2.5 GHz; 开关配置:SP5T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC GaAs SP5T 1.3V ESD 30dBm 5.0V |
 |
NSVS1174 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NSVS1174; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:1212 (3030 metric); 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频前端 1575.42MHz 50Ohm 2.8dB 1.0dB SAW |
|
NJG1647HD3 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG164; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1647; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC 1 bit Control Hi Pwr SPDT Switch |
|
NJM2550V-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM255; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:NJR; 系列:NJM2550; 封装:Reel; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 10.7MHz FM IF DEMODULATOR |
 |
NJM2594M |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM2594; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:300 mW; 商标:NJR; 系列:NJM2594; 封装:Tube; 封装 / 箱体:DMP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:14 mA; 工作电源电压:4.5 V to 9 V; 调制格式:Balanced; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 Dble Bal Modulation/ Demodulation |
|
NJM2549RB2-TE2 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJM254; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:NJR; 系列:NJM2549; 封装:Reel; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 Wide Band FM IF Demodulator |
|
NJG1119PB4-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG111; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:300 mW; 通道数量:2 Channel; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1119; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2.9 mA; 测试频率:2.14 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 增益:14.5 dB; 工作频率:800 MHz to 2.1 GHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Mult-Band W-CDMA LNA |
|
NJG1112PB1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG111; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:300 mW; 隔离分贝:25 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1112; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.5 mA; NF—噪声系数:1.6 dB; 增益:18.5 dB; 工作频率:800 MHz to 1.5 GHz; 技术:Si; 类型:Triple PDC Dual Band Low Noise Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 PDC Dual Band LNA |
|
NJG1698K84-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:Si; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC High Iso SP3T Switch 1.8Vctl 2.7Vdd 28dBm |
|
NJG1110PB1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG111; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:40 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1110; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.25 mA; OIP3 - 三阶截点:13 dBm; 测试频率:870 MHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 增益:18 dB; 工作频率:800 MHz to 1.5 GHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Dual Low Noise Amp PDC Dual LNA |
 |
NJG1522KB2-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG152; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1522; 封装:Reel; 封装 / 箱体:FLP-6-B2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch |
|
NJW2311V-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:NJR; 系列:NJW2311; 封装:Reel; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
调节器/解调器 High Precision C-MOS 3-Terminal Reg |
|
NJG1804K64 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1804; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SP3T GaAs MMIC 6GHz 1.9 to 5V 30dBm |
|
NJG1523KB2-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG152; 电源电压-最大:7.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1523; 封装:Reel; 封装 / 箱体:FLP-6-B2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT |
|
NJG1535HD3-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG153; 电源电压-最大:7.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1535; 封装:Reel; 封装 / 箱体:USB-6-D3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch |
|
NJG1523KB2-TE2 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG152; 电源电压-最大:7.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1523; 封装:Reel; 封装 / 箱体:FLP-6-B2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch |
 |
NJG1697EM1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.5 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:440 mW; 工作电源电流:15 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:4.5 V; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1697; 封装:Reel; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 介入损耗:0.45 dB, 0.5 dB, 0.55 dB; 工作频率:2.7 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC High Iso SPDT Switch 1bit GaAs 2G/3G |
|
NJG1697EM1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1697; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC 1bit GaAS SPDT MMIC 1.8V 2.7Vdd 50dB |
|
NJG1695ME7-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG169; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1695; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC High Iso X-SP3T 28dBm 5.0V |
|
NJG1144KA1-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG114; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1144; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Low Noise Amp 2.85VDD 0.5dB GNSS |
|
NJG1126HB6-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG112; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.2 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:135 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1126; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.2 mA; 测试频率:2.14 GHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 增益:16.5 dB; 工作频率:2.1 GHz; 技术:Si; 类型:General Purpose Amplifier; 封装 / 箱体:USB-8-B6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 2.1 GHz Band LNA |
 |
NJG1127HB6 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG112; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:2.95 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:160 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:NJR; 封装:Tube; 系列:NJG1127; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:16 mA; 测试频率:880 MHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:2.8 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:9 dBm; 工作频率:800 MHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:USB-8-B6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 800MHz Band LNA GaAs MMIC |
|
NJG1162K64-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1162; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Wide Band GaAS MMIC 40 to 1KMhz 50mA |
|
NJG1802K51-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1802; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC High Pwr SPDT GaAs 1.8V 2.7Vdd 73dB |
 |
NJG1131HA8 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG113; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:NJR; 频率范围:470 MHz to 770 MHz; 系列:NJG1131; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.4 mA; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:2.7 V; 增益:10 dB; P1dB - 压缩点:- 5 dBm; 工作频率:620 MHz; 技术:GaAs; 类型:UHF Band Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:USB-6-A8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 UHF Band Low Noise Amp GaAs MMIC |
|
NJG1682MD7-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG168; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:NJR; 技术:GaAs; 系列:NJG1682; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC GaAs SP3T Switch MMIC High Pwr |
 |
NJG1699MD7 |
NJR |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.5 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:1.3 W; 工作电源电流:20 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.8 V; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1699; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:EQFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 介入损耗:0.55 dB, 0.6 dB; 工作频率:2.7 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC High Iso SP4T Switch MMIC DC Blocking |
|
NJG1522KB2-TE2 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG152; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 30 C; 商标:NJR; 技术:Si; 系列:NJG1522; 封装:Reel; 封装 / 箱体:FLP-6-B2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
RF 开关 IC SPDT Switch |
|
NJG1108HA8-TE1 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG110; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1108; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 GPS High Gain LNA with Stand-by-mode |
 |
NJG1107HB3-TE2 |
NJR |
无线和射频半导体 |
商标名:NJG110; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 商标:NJR; 封装:Reel; 系列:NJG1107; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
射频放大器 Low Noise Amplifier GaAs MMIC for GPS |
QQ客服
