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类目:
无线和射频半导体
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品牌:
NXP
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
MRF24G300HSR5 无线和射频半导体 MRF24G300HSR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF24300; 工作频率:2400 MHz to 2500 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:307 W; 增益:14.9 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:24.3 mA; 技术:GaN SiC; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V
QN9090HN/001Z 无线和射频半导体 QN9090HN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC QN9090 BLE SoC
K32W061Z 无线和射频半导体 K32W061Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC High Performance and Ultra-Low-Power MCU for Zigbee ,Thread, and Bluetooth LE 5.0 with Built-in NFC option
QN9030HN/001Z 无线和射频半导体 QN9030HN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC QN9030 BLE SoC
QN9030THN/001Z 无线和射频半导体 QN9030THN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC QN9030T BLE SoC
QN9090THN/001Z 无线和射频半导体 QN9090THN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC QN9090T BLE SoC
MKW37Z512VFT4 无线和射频半导体 MKW37Z512VFT4 NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, GPIO, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW37; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC 32-bit Bluetooth 5.0 Long-Range MCUs with LIN Bus, Arm Cortex -M0+ Core, no CAN-FD
A3T23H450W23SR6 无线和射频半导体 A3T23H450W23SR6 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:150; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:2300 MHz to 2400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:87 W; 增益:14.7 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 0.5 V, 65 V; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T23H300W23SR6 无线和射频半导体 A3T23H300W23SR6 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:150; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:2300 MHz to 2400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:63 W; 增益:15.6 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 5 V, 65 V; Id-连续漏极电流:3.2 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V
MRFX600HSR5 无线和射频半导体 MRFX600HSR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780S-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX600GSR5 无线和射频半导体 MRFX600GSR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780GS-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
PN7360AUEV/C300E 无线和射频半导体 PN7360AUEV/C300E NXP 无线和射频半导体 电源电压-最小:5.5 V; 电源电压-最大:2.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7360; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:80 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 80kB Flash
PN7462AUEV/C300E 无线和射频半导体 PN7462AUEV/C300E NXP 无线和射频半导体 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7462; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:160 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 160kB Flash and ISO/IEC 7816-3&4 UART
MKW36Z512VHT4 无线和射频半导体 MKW36Z512VHT4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 48LQFN
MKW36A512VFP4 无线和射频半导体 MKW36A512VFP4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 40QFN
MRFX035HR5 无线和射频半导体 MRFX035HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:154 W; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX035H; 工作频率:1.8 MHz to 512 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-360H-2SB; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:35 W; 增益:24.8 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:100 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
MKW35A512VFP4 无线和射频半导体 MKW35A512VFP4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:KW35; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 48MHz, BLE, 40QFN
MRFX600HR5 无线和射频半导体 MRFX600HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780H-4L; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
PN7362AUEV/C300E 无线和射频半导体 PN7362AUEV/C300E NXP 无线和射频半导体 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7362; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:160 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 160kB Flash
JN5188THN/001Z 无线和射频半导体 JN5188THN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:HVQFN-40; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU Wireless Microcontroller
JN5189THN/001Z 无线和射频半导体 JN5189THN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:HVQFN-40; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU Wireless Microcontroller
NXH3670UK/A1Z 无线和射频半导体 NXH3670UK/A1Z NXP 无线和射频半导体 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 最小工作温度:- 20 C; 接口类型:GPIO, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:NXH3670; 程序存储器类型:ROM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:WLCSP-34; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V; 最大时钟频率:32 MHz; 数据 RAM 大小:96 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU 2.4 GHz transceiver
JN5188HN/001Z 无线和射频半导体 JN5188HN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:HVQFN-40; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU Wireless Microcontroller
JN5189HN/001Z 无线和射频半导体 JN5189HN/001Z NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:HVQFN-40; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU Wireless Microcontroller
MKW36A512VHT4 无线和射频半导体 MKW36A512VHT4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 48LQFN
MKW36Z512VFP4 无线和射频半导体 MKW36Z512VFP4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 40QFN
MKW35Z512VHT4 无线和射频半导体 MKW35Z512VHT4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW35; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 48MHz, BLE, 48LQFN
AFV10700HSR5 无线和射频半导体 AFV10700HSR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:526 W; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1030 MHz to 1090 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780S-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:700 W; 增益:19.2 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V; Id-连续漏极电流:2.6 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
CLRC66303HNY 无线和射频半导体 CLRC66303HNY NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:CLRC66303; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 CL READER IC'S
MRF300AN 无线和射频半导体 MRF300AN NXP 无线和射频半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 系列:MRF300; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRFX1K80HR5 无线和射频半导体 MRFX1K80HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:2247 W; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:44.7 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX1K80; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.8 kW; 增益:25.1 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V; Id-连续漏极电流:43 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
MRF1K50NR5 无线和射频半导体 MRF1K50NR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:2.941 kW; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:33.5 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1.8 MHz to 500 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-1230-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.5 kW; 增益:23 dB; Vds-漏源极击穿电压:133 V; Id-连续漏极电流:36 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
QN9083DUKZ 无线和射频半导体 QN9083DUKZ NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:3.2 mm; 技术:Si; 系列:QN9083; 程序存储器类型:Flash; 长度:3.28 mm; 高度:0.365 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-47; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:5 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:2 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2483.5 MHz; 核心:ARM Cortex M4F; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC BLE 5 WLCSP
NT2H1611G0DA8J 无线和射频半导体 NT2H1611G0DA8J NXP 无线和射频半导体 商标名:g0; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:28000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:NT2H1611; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144/504/888 bytes user memory
MFRC63103HNE 无线和射频半导体 MFRC63103HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:Front-End ICs; 技术:Si; 系列:MFRC63103; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 ISO/IEC 14443 A/B frontend
MKW41Z512VHT4 无线和射频半导体 MKW41Z512VHT4 NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:MKW41Z; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 95 dBm, - 100 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis KW41Z: BLE 4.2 & 802.15.4 Wireless MCU, 48MHz Cortex-M0+, 512KB Flash, 128KB RAM, 48-LQFN
MFRC63003HNE 无线和射频半导体 MFRC63003HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:MFRC63003; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 MIFARE®/NTAG frontend
PN7150B0HN/C11002E 无线和射频半导体 PN7150B0HN/C11002E NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7150; 产品:NFC Controllers; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:52 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 High performance NFC controller, supporting all NFC Forum modes, with integrated firmware and NCI interface.
CLRC66303HNE 无线和射频半导体 CLRC66303HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:CLRC66303; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 CL READER IC'S
PN5180A0HN/C3Y 无线和射频半导体 PN5180A0HN/C3Y NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN5180A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 High-performance multi-protocol full NFC Forum-compliant frontend
A2T27S007NT1 无线和射频半导体 A2T27S007NT1 NXP 无线和射频半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
MRF300BN 无线和射频半导体 MRF300BN NXP 无线和射频半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 系列:MRF300; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MMRF5017HSR5 无线和射频半导体 MMRF5017HSR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:154 W; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MMRF5017HS; 工作频率:30 MHz to 2200 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-400S-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:125 W; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:200 mA; 技术:GaN SiC; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz
MRF13750HR5 无线和射频半导体 MRF13750HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF13750H; 工作频率:700 MHz to 1300 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:750 W; 增益:20.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V; Id-连续漏极电流:2.8 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
SLRC61003HNE 无线和射频半导体 SLRC61003HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:SLRC610; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 NTAG<sup> </sup>5 and ICODE<sup> </sup> frontend
PN5180A0ET/C3QL 无线和射频半导体 PN5180A0ET/C3QL NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN5180A; 封装:Tray; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 High-performance multi-protocol full NFC Forum-compliant frontend
MKW41Z512VHT4R 无线和射频半导体 MKW41Z512VHT4R NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 95 dBm, - 100 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis KW41Z: BLE 4.2 & 802.15.4 Wireless MCU, 48MHz Cortex-M0+, 512KB Flash, 128KB RAM, 48-LQFN
MRFX1K80NR5 无线和射频半导体 MRFX1K80NR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3333 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:44.7 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX1K80; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-1230-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.8 kW; 增益:24.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V; Id-连续漏极电流:43 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
AFM907NT1 无线和射频半导体 AFM907NT1 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V , 12 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:65.7 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 正向跨导 - 最小值:9.8 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:136 MHz to 941 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:8 W; 增益:15 dB; Vds-漏源极击穿电压:30 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
NVT4857UKAZ 无线和射频半导体 NVT4857UKAZ NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:NVT4857; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
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