Renesas Electronics无线和射频半导体价格_批发_代理商

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无线和射频半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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Renesas Electronics ABRACON Advanced Semiconductor, Inc. ALPS American Technical Ceramics (ATC) ams Analog Devices Inc. Anaren API Technologies AVX Bel Power Solutions Broadcom Limited CEL Central Semiconductor Cinch Connectivity Solutions Cirrus Logic CML Microcircuits Coilcraft Comchip Technology Cree, Inc. Crystek CTS Cypress Semiconductor Dialog Semiconductor Diodes Incorporated DLP Design Espressif Fastron FLIR GeneSiC Semiconductor GHI Electronics Guerrilla RF HARTING Hirose Electric Infineon Intel Inventek Systems IXYS Kamaya Lantronix Lime MACOM Maxim Integrated MaxLinear Melexis Micro Commercial Components (MCC) Microchip Mikroe Mini-Circuits Molex Murata Nexperia NJR Nordic Semiconductor NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax pSemi Qorvo Radiall RF Solutions ROHM Semiconductor Semtech Silex Technology Silicon Laboratories Skyworks SparkFun Electronics STMicroelectronics Susumu TE Connectivity Texas Instruments Toshiba TT Electronics Vesper Vishay Walsin WeEn Semiconductors Wi2Wi ZiLOG

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
F2976NEGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2976; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz
F2970NCGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:20 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2970EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2970; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LQFN-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:70 dB; 介入损耗:0.32 dB; 工作频率:5 MHz to 3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC F2970, 75 ohm, SPDTA RF Switch
IT2008	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5 W; 隔离分贝:30 dB; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电流:350 mA; 测试频率:2 GHz to 26.5 GHz; 工作电源电压:9 V; 增益:10 dB; P1dB - 压缩点:24.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 26.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Power; 封装 / 箱体:2.521 mm x 1.634 mm; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Renesas Electronics;	射频放大器
F1958NBGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step; 系列:F1958; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator 1MHz to 6GHz
F1958NBGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step; 系列:F1958; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:6 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator 1MHz to 6GHz
F2977NEGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:300; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2977EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2977; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFP-N-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:27 dB; 介入损耗:0.45 dB; 工作频率:30 MHz to 6 GHz; 开关配置:SP2T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC High Linearity Broadband SPDT Switch
F2972NEGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2972; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC
F2976NEGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2976; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC
F1420NLGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.5 W; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:F1420; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:1100 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.5 dB; P1dB - 压缩点:23.2 dBm; 工作频率:700 MHz to 1 GHz; 技术:Si; 类型:High Gain/High Linearity; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频放大器射频放大器 700MHz to 1.1GHz
F1431NBGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC
F0424NTGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.6 W; 隔离分贝:24 dB; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / IDT; 封装:Cut Tape; 系列:F0424; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:4200 MHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:3.15 V to 5.25 V; 增益:16.1 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:600 MHz to 4200 MHz; 技术:SiGe; 类型:High Gain RF Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频放大器
F2972NEGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2972; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.34 dB; 工作频率:5 MHz to 10 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz
F2270NLGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:624; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V/5 V; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.1 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:F2270; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:3000 MHz; 最大衰减:35 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 75 Ohm Voltage Variable RF Attenuator
F2913NLGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:90 uA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:F2913EVBI; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2913; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 110 C; 关闭隔离—典型值:46 dB; 介入损耗:1.25 dB; 工作频率:50 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SP2T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC F2913 PI FOR SP2T ABSORPTIVE RF SWITCH
F2911NBGP	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:230 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F2911; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:35 dB; 介入损耗:0.89 dB; 工作频率:1 MHz to 3500 MHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC 75 Ohm SPST RF SW 1MHz - 3500MHz
F1978NCGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step Attenuator; 系列:F1978; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31.7 dB; 封装 / 箱体:TQFN-20; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 Evaluation board for F2950, High Linearity SP2T Wi-Fi RF Switch 100MHz to 8GHz
ISL55012IEZ-T7	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:22.4 dB; 输入返回损失:23.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / Intersil; 带宽:2400 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ISL55012; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:71 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; NF—噪声系数:4.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16.6 dB; 工作频率:2400 MHz; 技术:Si; 类型:Broadband Amplifier; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频放大器 ISL59442IBZ 1GHZ 4X1 VID CROSPOINT SWITCH
ISL55015IEZ-T7	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:18.9 dB; 输入返回损失:20.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Renesas / Intersil; 频率范围:500 MHz to 3 GHz; 带宽:2900 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ISL55015; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:69 mA; OIP3 - 三阶截点:28.4 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:4.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12.4 dB; P1dB - 压缩点:19.4 dBm; 工作频率:2.9 GHz; 技术:Si; 类型:Broadband Amplifier; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频放大器 ISL59444IBZ 1GHZ 4X1 VID CROSPOINT SWITCH
HFA3102BZ96	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:250 mW; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.03 A; 增益带宽产品fT:10000 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:3.9 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:10000 MHz (Typ); 长度:8.65 mm; 高度:1.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 3 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-14; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Hex; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 集电极连续电流:0.03 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:12 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3102; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 15
5P50902NBGI8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 商标:Renesas / IDT; 宽度:2 mm; 系列:5P50902; 长度:2 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFPN-8; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	锁相环 - PLL SPREAD SPECTRUM PLL
F1152NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Up-Down Converters; 商标:Renesas / IDT; 技术:SiGe; 系列:F1152; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-36; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	上下转换器 RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
F1100NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Mixer; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F1100; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-36; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 RF to IF Dual Down Cnvtr Mix 9dB Gain
F1102NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Mixer; 商标:Renesas / IDT; 技术:SiGe; 系列:F1102; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-36; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
F1956NBGI8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Attenuator; 系列:F1956; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-32; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 7-Bit 0.25dB WideB 31.5dB Attenuator
F2250NLGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.15 V to 5.25 V; 最小频率:50 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.6 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:F2250; 功率额定值:30 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:6000 MHz; 最大衰减:35 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
F2258NLGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 商标:Renesas / IDT; 系列:F2258; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 RF Attenuator 1.4dB 50 to 6000 MHz
F0552NLGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:168; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 技术:SiGe; 系列:F0552NL; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 DPD Mixer 0.35 UM SIGE BICMOS
F0502NLGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:168; 产品类型:RF Mixer; 商标:Renesas / IDT; 技术:SiGe; 系列:F0502NL; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 DPD Mixer 0.25 UM SIGE BICMOS
HFA3101BZ	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:98; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 最大直流电集电极电流:0.03 A; 增益带宽产品fT:10000 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:4 mm (Max); 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:10000 MHz (Typ); 长度:5 mm (Max); 高度:1.5 mm (Max); 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 3 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Hex; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 集电极连续电流:0.03 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3101; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
HFA3127BZ	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:48; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.065 A; 增益带宽产品fT:8000 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:4 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:8000 MHz (Typ); 长度:10 mm; 高度:1.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 2 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 配置:Quint; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:0.065 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3127; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
F1751NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Mixer; 商标:Renesas / IDT; 技术:Si; 系列:F1751; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 Ultra-Linear Single Ch Mixer Rx 11.8dB
F1150NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Zero-Distortion; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Mixer; 商标:Renesas / IDT; 技术:SiGe; 系列:F1150; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-36; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频混合器 RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
F1953NCGI8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:Attenuators; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 系列:F1953; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:4 mm; 高度:0.75 mm; 技术:Si; 封装 / 箱体:VFQFPN-20; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 6-Bit 0.50 dB DC Glitch Free Atten
F1977NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step Attenuator; 系列:F1977; 功率额定值:34 dBm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 最大 VSWR:-; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:TQFN-32; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 F1977 RF Switch
F1950NBGI8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 系列:F1950; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4 mm; 高度:0.8 mm; 技术:Si; 位数:7 bit; 封装 / 箱体:VFQFPN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 7-Bit 0.25 dB Glitch Free Atten
F1951NBGI8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 类型:Digital Step Attenuator; 系列:F1951; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:4 mm; 高度:0.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:4000 MHz; 最大衰减:32.5 dB; 封装 / 箱体:VFQFPN-24; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 6Bit, 31.5dB Max .5dB Step Attenuator
82V3391BEQG	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:90; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 输入电平:AMI, LVCMOS, LVDS, LVPECL; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:82V3391; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 输出频率范围:0.002 MHz to 625 MHz; 最小输入频率:0.002 MHz; 最大输入频率:625 MHz; 类型:Synchronous Ethernet WAN PLL; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	锁相环 - PLL Gigabit Ethernet PLL
F1956NBGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.2 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Step Attenuator; 系列:F1956; 功率额定值:1.5 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.25 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:7 bit; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:31.75 dB; 封装 / 箱体:QFN-32; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 7-Bit 0.25dB WideB 31.5dB Attenuator
F1912NCGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:33 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Digital Attenuator; 系列:F1912; 功率额定值:1.5 W; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:4 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:QFN-20; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 6-Bit 0.5dB Wideband 31.5dB Attenuator
F2255NLGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	商标名:Glitch-Free; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:624; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.15 V to 5.25 V; 最小频率:1 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.1 dB; 商标:Renesas / IDT; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:F2255; 功率额定值:30 dBm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:34.6 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	衰减器 RF Attenuator 1.1dB 1MHz to 3000MHz
HFA3134IHZ96	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.026 A; 增益带宽产品fT:8500 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:1.6 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:8500 MHz (Typ); 长度:2.9 mm; 高度:1.15 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23; 配置:Dual; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 集电极连续电流:0.026 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:11 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:48; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3134; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
F2914NBGK8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:F2914; 长度:4 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-EP-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC HReliability SP4T Absorptive RF Switch
F2923NCGI	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:127 uA; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:F2923; 产品:Constant Impedance K RF Switch; 长度:4 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFN-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 介入损耗:0.48 dB; 工作频率:300 kHz to 8 GHz; 开关配置:SP2T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC Constant Impedence SP2T RF 0.48dB 2GHz
F2914NBGK	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:F2914; 长度:4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-EP-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC HReliability SP4T Absorptive RF Switch
HFA3096BZ96	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.065 A; 增益带宽产品fT:8000 MHz; 商标:Renesas / Intersil; 宽度:4 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:8 GHz, 5.5 GHz; 长度:10 mm; 高度:1.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 2 V at NPN, 20 at 10 mA at 2 V at PNP; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 配置:Quint; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:0.065 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN/PNP; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3096; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
HFA3102BZ	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:250 mW; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.03 A; 增益带宽产品fT:10000 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:3.9 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:10000 MHz (Typ); 长度:8.65 mm; 高度:1.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 3 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-14; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Hex; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 集电极连续电流:0.03 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:12 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3102; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14
F2933NBGP8	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:260 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:F2933; 长度:4 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-EP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:45 dB; 介入损耗:1.6 dB; 工作频率:50 MHz to 8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC F2933 RF Switch
82V3399BNLG	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:168; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 输入电平:LVCMOS, LVDS, LVPECL; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 系列:82V3399; 长度:10 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-72; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 输出频率范围:644.5312 MHz; 最大输入频率:625 MHz; 类型:Synchronous Ethernet WAN PLL; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	锁相环 - PLL Gigabit Ethernet PLL
F2932NBGP	Renesas Electronics	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:260 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Renesas / IDT; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:F2932; 长度:4 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-EP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:45 dB; 介入损耗:1.6 dB; 工作频率:50 MHz to 8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	RF 开关 IC F2932 RF Switch
HFA3046BZ	Renesas Electronics	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 最大直流电集电极电流:0.065 A; 增益带宽产品fT:8000 MHz (Typ); 商标:Renesas / Intersil; 宽度:3.9 mm; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:8000 MHz (Typ); 长度:8.65 mm; 高度:1.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 2 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-14; 配置:Quint; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:0.065 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:HFA3046; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics;	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR

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