| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MMBT5551-G |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Comchip Technology; 类型:RF Bipolar Power; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; 系列:MMBT5551; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA |
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MMBT2907A-G |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:Comchip Technology; 类型:RF Bipolar Power; 输出功率:-; 工作频率:200 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:- 600 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 晶体管极性:PNP; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; 系列:MMBT2907A; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA |
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MMBT2222A-G |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:300 mW; 最大直流电集电极电流:600 mA; 商标:Comchip Technology; 类型:RF Bipolar Power; 输出功率:-; 工作频率:300 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:600 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; 系列:MMBT2222A; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA |
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MMBT5401-G |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:300 mW; 商标:Comchip Technology; 类型:RF Bipolar Power; 输出功率:-; 工作频率:100 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOT-23; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:- 0.6 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 晶体管极性:PNP; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; 系列:MMBT5401; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA |
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CPINUC5206-HF |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:300 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Comchip Technology; 类型:PIN Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOD-523F-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.5 Ohms; 最大二极管电容:0.15 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
PIN 二极管 PIN 二极管 300mW 180V 0603C HF |
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CPINF5204-HF |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:500 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Comchip Technology; 类型:PIN Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOD-323F-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:750 mOhms; 最大二极管电容:0.9 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
PIN 二极管 PIN 二极管 500mW 180V 1005 HF |
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MMBT2907A-HF |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Comchip Technology; 类型:RF Bipolar Power; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; 系列:MMBT2907A; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
射频(RF)双极晶体管 60V 0.6A SOT-23 |
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CPINU5208-HF |
Comchip Technology |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:300 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Comchip Technology; 类型:PIN Diode; 配置:Single; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOD-523F-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:700 mOhms; 最大二极管电容:0.9 pF; Vr - 反向电压 :35 V; RoHS:Y; 制造商:Comchip Technology; |
PIN 二极管 PIN 二极管 300mW HALOGEN-FREE |
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