CEL无线和射频半导体价格_批发_代理商

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类目:

无线和射频半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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品牌:

CEL ABRACON Advanced Semiconductor, Inc. ALPS American Technical Ceramics (ATC) ams Analog Devices Inc. Anaren API Technologies AVX Bel Power Solutions Broadcom Limited Central Semiconductor Cinch Connectivity Solutions Cirrus Logic CML Microcircuits Coilcraft Comchip Technology Cree, Inc. Crystek CTS Cypress Semiconductor Dialog Semiconductor Diodes Incorporated DLP Design Espressif Fastron FLIR GeneSiC Semiconductor GHI Electronics Guerrilla RF HARTING Hirose Electric Infineon Intel Inventek Systems IXYS Kamaya Lantronix Lime MACOM Maxim Integrated MaxLinear Melexis Micro Commercial Components (MCC) Microchip Mikroe Mini-Circuits Molex Murata Nexperia NJR Nordic Semiconductor NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax pSemi Qorvo Radiall Renesas Electronics RF Solutions ROHM Semiconductor Semtech Silex Technology Silicon Laboratories Skyworks SparkFun Electronics STMicroelectronics Susumu TE Connectivity Texas Instruments Toshiba TT Electronics Vesper Vishay Walsin WeEn Semiconductors Wi2Wi ZiLOG

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
CG2409M2-C4	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2409M2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2409M2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:Minimold-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:21 dB; 介入损耗:0.5 dB; 工作频率:0.05 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2164X3-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2164X3-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2164X3; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:18 dB; 介入损耗:0.6 dB; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
CA3509M4-C2B	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CA35; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:4.5 dBm; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.4 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
L407CDB	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:1 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:DO-41-2; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 175 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:800 mOhms; 最大二极管电容:2 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 180V 1W Axial Glass Pkg
L8104	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:3 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:MELF; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 175 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:750 mOhms; 最大二极管电容:1.2 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 180V 3W Ceramic MELF Pkg
CG2409M2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2409M2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2409M2; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:Minimold-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:21 dB; 介入损耗:0.5 dB; 工作频率:0.05 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
L9204F	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:1 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:SOD-123-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:650 mOhms; 最大二极管电容:0.9 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 180V 1W Plastic Pkg
L5206F	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:300 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:PIN Diode; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:SOD-523F-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.5 Ohms; 最大二极管电容:0.22 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 180V 300mW Plastic Pkg
L5204F	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:500 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:2512; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:750 mOhms; 最大二极管电容:0.9 pF; Vr - 反向电压 :180 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 180V 500mW Plastic Pkg
CE3514M4	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:54 mS; 商标:CEL; 配置:Single; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:125 mW; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Id-连续漏极电流:10 mA; 技术:GaAs; 晶体管类型:pHEMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
L204BBB	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:200 mW; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:PIN Diode; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 175 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:10 Ohms; 最大二极管电容:1.2 pF; Vr - 反向电压 :28 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 28V 200mW Axial Glass Pkg
CG2163X3-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2163X3-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:XSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:31 dB to 40 dB; 介入损耗:0.4 dB to 0.5 dB; 工作频率:2.4 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.4GHz to 6.0GHz SPDT GaAs MMIC
CG2185X2-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2185X2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:26 dB to 28 dB; 介入损耗:0.35 dB to 0.4 dB; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET
CG2176X3-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:150 mW; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2176X3-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:22 dB to 30 dB; 介入损耗:0.45 dB to 0.55 dB; 工作频率:2.3 GHz to 5.85 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC
CG2179M2-C4	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5.5 V; 开发套件:CG2179M2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:Minimold-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:23 dB to 39 dB; 介入损耗:0.3 dB to 0.45 dB; 工作频率:50 MHz to 3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CG2214M6-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:9000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2214M6-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:Minimold-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:23 dB to 38 dB; 介入损耗:0.3 dB to 0.35 dB; 工作频率:50 MHz to 3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CE3512K2-C1	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3520K3-C1	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CG2179M2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CE3512K2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:54; 商标:CEL; 封装:Bulk; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:125 mW; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Id-连续漏极电流:10 mA; Vds-漏源极击穿电压:4 V; 技术:GaAs; 晶体管类型:pHEMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3520K3	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Bulk; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3514M4-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CG2163X3	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.4GHz to 6.0GHz SPDT GaAs MMIC
CG2214M6	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CG2430X1	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.1GHz to 6.0GHz SP3T pHEMT GaAs
CG2164X3	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2164X3-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2164X3; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:TSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:18 dB; 介入损耗:0.6 dB; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2409X3	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2409M2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2409X3; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:TSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:34 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CE3521M4	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Bulk; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CG2415M6	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC L, S-band SPDT pHEMT GaAs MMIC
CA3509M4	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:200; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:CEL; 封装:Bulk; 系列:CA35; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:4.5 dBm; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.4 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CG2185X2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET
CG2176X3	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50 Ohm Term. SPDT pHEMT GaAs MMIC
CG2409X3-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 45 C; 高控制电压:1.8 V to 5 V; 开发套件:CG2409M2-EVAL; 商标:CEL; 技术:GaAs; 系列:CG2409X3; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:34 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2415M6-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:9000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC L, S-band SPDT pHEMT GaAs MMIC
L8107	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:1 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:MELF; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 175 C; Vf - 正向电压:0.85 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.5 Ohms; 最大二极管电容:0.6 pF; Vr - 反向电压 :90 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 90V 1W Ceramic MELF Pkg
L8104-240	CEL	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:100; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:3 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:CEL; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:Litec; 封装 / 箱体:MELF; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 175 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:50 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:750 mOhms; 最大二极管电容:1.2 pF; Vr - 反向电压 :240 V; RoHS:Y; 制造商:CEL;	PIN 二极管 RF PIN Diode 240V 3W Ceramic MELF Pkg
CG2430X1-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 0.1GHz to 6.0GHz SP3T pHEMT GaAs
CE3521M4-C2	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
ZIC2410FG72	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:ZIC2410; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; ADC分辨率:8 bit; 输入/输出端数量:24 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:SPI, UART; 数据 RAM 大小:8 kB; 商标:CEL; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:VFBGA-72; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:96 kB; 传输供电电流:33.2 mA; 接收供电电流:33.2 mA; 工作电源电压:1.9 V to 3.3 V; 灵敏度:- 98 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:8051; 类型:Zigbee; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF片上系统 - SoC 2.4 GHz ZigBee IC 8051 MCU 96KB FLASH
NESG270034-EV09-AZ	CEL	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1.9 W; 商标:CEL; 类型:RF Silicon Germanium; 安装风格:SMD/SMT; 集电极连续电流:750 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2.8 V; 技术:SiGe; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:E; 制造商:CEL;	射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
UPC2745TB-EVAL-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Wireless Misc; 商标:CEL; 技术:Si; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频无线杂项 3.0Volts Wideband 1.5 -2.5GHz Eval Brd
UPG2430T6Z-EVAL-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:CEL; 技术:GaAs; 带宽:0.5 GHz to 6 GHz; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:TSON-8; 介入损耗:0.65 dB; 工作频率:0.5 GHz to 6 GHz; RoHS:Y; 制造商:CEL;	RF 开关 IC 500-6000MHz 3Volt IL .55db@2.5GHz
NE5550979A-EV04-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:CEL; 封装:Bulk; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
UPB1508GV-EVAL-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:12 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CEL; 宽度:3.2 mm; 技术:Si; 封装 / 箱体:SSOP-8; 输出功率:- 7 dBm; 长度:3 mm; 高度:1.8 mm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4 .5 V; 分度:2; 最小工作频率:500 MHz; 最大工作频率:3 GHz; RoHS:Y; 制造商:CEL;	预定标器 3.0GHz Divide by 2 预定标器 Eval Brd
UPC8232T5N-A	CEL	无线和射频半导体	电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:130; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:CEL; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3 mA; OIP3 - 三阶截点:9 dBm; 测试频率:1.575 GHz; NF—噪声系数:0.95 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:- 21 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 1.65 GHz; 技术:SiGe; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:TSON-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频放大器 Low Noise Amp for GPS
UPG2251T6M-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:40; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:CEL; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.5 V; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:TSQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频放大器 2.45GHz 3.0Volts -40C -85C
UPG2318T5N-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:40; 产品类型:RF Amplifier; 商标:CEL; 封装:Bulk; 技术:GaAs; RoHS:Y; 制造商:CEL;	射频放大器 2.4GHz Single Band for W-LAN
UPB1512TU-T2-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CEL; 技术:Si; 封装 / 箱体:TU-8; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:CEL;	预定标器 Divide by 8 Prescalr
MC7833-AZ	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; 商标:CEL; 封装:Tray; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:23.5 V to 30 V; 增益:26 dB; 工作频率:50 MHz to 870 MHz; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:H02; 安装风格:Through Hole; RoHS:E; 制造商:CEL;	射频放大器 870MHz Push-Pull Amp
UPB1513TU-T2-A	CEL	无线和射频半导体	子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:Prescaler; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:48 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:CEL; 技术:Si; 封装 / 箱体:TU-8; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:CEL;	预定标器 Divide by 4 Prescalr

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