Advanced Semiconductor, Inc.无线和射频半导体价格_批发_代理商

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            无线和射频半导体
        

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
MRF151G	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
BLF278	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
BLF177	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
BLF861A	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF5812LF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1.25 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:1 GHz; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:200 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; 系列:MRF5812LF; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF5812GR1	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MRF5812LF; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF553	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:317D-02; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:500 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF1000MB	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:7 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:1090 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:332A-03; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:200 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:15; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD1446	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:183 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:50 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M113; 安装风格:Screw Mount; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:12 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF5943	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1 W; 增益带宽产品fT:1.3 GHz; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 集电极连续电流:400 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:25; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD1224-02	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:60 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M113; 安装风格:Screw Mount; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:5 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:5; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF3866	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:200 MHz; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:400 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:5; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF951	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:1 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Small Signal; 工作频率:2 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:Macro-X; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:100 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:10 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF171	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:40 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:115 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:200 MHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:211-07-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:4.5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MS1000	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:270 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:30 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M174; 安装风格:Screw Mount; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:20 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:36 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLV20	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:2.5 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:1 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLF245	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF315A	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:75 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:200 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:145A-09; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:5 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:5; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
TP9383	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:230 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:108 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M177; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:16 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
2N5643	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:60 W; 增益带宽产品fT:200 MHz; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:MT72; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:5 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:5; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLW86	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:60 W; 最大直流电集电极电流:12 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:5 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:5; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF172	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:40 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:220 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:200 MHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:211-07-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:9 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
BLV31	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:7 W; 最大直流电集电极电流:6 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:224 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-122A; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:3 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:15; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLX13C	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:73 W; 最大直流电集电极电流:9 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:28 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-120; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:3 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:36 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLV25	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:220 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:108 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:316-01; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:17.5 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:33 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:15; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLW96	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF587	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:5 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:500 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:Case244-04; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:200 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:17 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
BLW50F	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:87 W; 最大直流电集电极电流:7.5 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:30 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:3.25 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:19; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF174	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:40 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:270 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:200 MHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:221-11-3; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:13 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF422	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
SD2942	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs - 栅极-源极电压:4 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:500 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:250 MHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M244; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 输出功率:350 W; 增益:15 dB; Vds-漏源极击穿电压:130 V; Id-连续漏极电流:40 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF426	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF557	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:3 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:800 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:317D-02; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 集电极连续电流:400 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MRF559LF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:2 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:870 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M238; 安装风格:SMD/SMT; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:150 mA; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD1015-06	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:10 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:150 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M135; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:1 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
AGR18045EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
MRF09030LR1	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 封装:Tray; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1N26	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:PIN Diodes; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Bulk; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	PIN 二极管 HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
BLV32F	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:82 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:224 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:316-01; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:4 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD1485	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:385 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:170 MHz to 230 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M175; 安装风格:Screw Mount; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 集电极连续电流:25 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
TH430	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:330 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:30 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M177; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:40 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:15; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD1407	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:270 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:30 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:20 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
SD2932	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs - 栅极-源极电压:5 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:500 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:250 MHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:M244; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 输出功率:300 W; 增益:15 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:40 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF151GC	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:40 V; 子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:500 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Dual; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-262A; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:40 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF492	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
MRF314	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
BLW85	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:105 W; 最大直流电集电极电流:22 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:9 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
AGR18030EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Tray; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
ASMA203	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 封装:Bulk; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
SD1274-01	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	子类别:Transistors; 产品类型:RF Bipolar Transistors; Pd-功率耗散:65 W; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 类型:RF Bipolar Power; 工作频率:175 MHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOT-123; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 集电极连续电流:4 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:18 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 晶体管极性:NPN; 技术:Si; 晶体管类型:Bipolar Power; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.;	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor

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