| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MAAP-011289-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3 W; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:650 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:28 GHz to 30 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:24 dB; P1dB - 压缩点:34 dBm; 工作频率:20 GHz to 30 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:AQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 Ka-Band 3W Power Amp |
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MAAL-011151-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:42 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; 测试频率:10 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:19 dB; 工作频率:2 GHz to 18 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:PQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 2-18GHz LNA |
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MAAM-011275-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:40 GHz; NF—噪声系数:6.8 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:30 kHz to 40 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAMX-011035-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 6 GHz; LO频率:5.5 GHz to 19 GHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:5.5 GHz to 19 GHz; 制造商:MACOM; |
射频混合器 5.5 to 19 GHz DBL BAL Mixer |
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MAAM-011238-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:30 GHz; NF—噪声系数:4.7 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:100 kHz to 67.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAMF-011119-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:50 dB; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:78 mA; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:35 dB; P1dB - 压缩点:40.5 dB; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:LAN; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 1-6 GHz Switch LNA Module |
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MAMF-011069-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:37 dB; 输入返回损失:13 dB; 开发套件:MAMF-011069-1SMB, MAMF-011069-2SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:255 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:2.6 GHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:33 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:1.8 GHz to 3.9 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 1.8-3.9GHz SWITCH LNA MODULE |
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MAAM-011286-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:44 GHz; NF—噪声系数:6.8 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 工作频率:30 kHz to 44 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAM-011238-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:18.5 dBm; 测试频率:20 GHz to 30 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:40 MHz to 50 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MADP-011104-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:500; 产品类型:PIN Diodes; 最大串联电阻（中频最小时）:2.21 Ohms; Ir - 反向电流 :6 nA; 载流子寿命:2 us; 商标:MACOM; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:5 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:0.91 V; If - 正向电流:250 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:950 mOhms; 最大二极管电容:0.45 pF; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Diode,Moat PIN,Shunt,3mmQFN-12LD |
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NPA1007 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 14 dB; 开发套件:NPA1007-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:2500 MHz; 工作电源电压:28 V; 增益:12.5 dB; 工作频率:20 MHz to 2500 MHz; 技术:GaN; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 Power Amplifier, 10W, 20-2500MHz, 5x6mm-DFN |
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MAAL-011139-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:25 dB; 输入返回损失:23 dB; 开发套件:MAAL-011139-050SMB, MAAL-011139-DSBSMB, MAAL-011139-USBSMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MAAL-011139; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:21.5 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:5 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 LNA,5-1218 MHz 21dB,SOT-89 |
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MAAM-011163-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-01163-001SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:290 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:Differential RF Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAMX-011037-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:12 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 开发套件:MAMX-011037-SB2; 商标:MACOM; 技术:Si; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 20 GHz; LO频率:18 GHz to 46 GHz; 转换损失——最大:12 dB; 射频:18 GHz to 46 GHz; 制造商:MACOM; |
射频混合器 |
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MAAL-011130-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:35 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:18 GHz; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:3.3 V to 5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:2 GHz to 18 GHz; 技术:Si; 类型:Broadband, Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAL-011129-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:45 dB; 输入返回损失:- 13 dB; 开发套件:MAAL-011129-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:24 GHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:23 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:18 GHz to 31.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAL-011134-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:7 dB; 开发套件:MAAL-011134-1SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:5.8 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:700 MHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAM-011258-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:17 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-011258-DSBSMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAM-011206-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:MAAM-011206-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:72 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:1 GHz, 6 GHz, 12 GHz, 15 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:13.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 15 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Darlington Amplifier; 封装 / 箱体:TDFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 DC-15GHz NF 4.5dB Gain 13.5dB GaAs |
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MAAV-011013-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:30 V; 最小频率:5 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3 dB; 商标:MACOM; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:MAAV-011013; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:45 GHz; 最大衰减:39 dB; 封装 / 箱体:PQFN-16; 制造商:MACOM; |
衰减器 5-45GHz IL 1.5dB Atten. >30dB |
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MAMF-011015 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 技术:Si; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC |
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MAAM-011251-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:19 dB; 输入返回损失:19 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:95 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAM-011162-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:20 dB; 输入返回损失:20 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:110 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAP-110150 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:MAAP-110150-001SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.3 A; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:10 GHz to 15.35 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:30 dB; P1dB - 压缩点:31 dBm; 工作频率:10 GHz to 15.35 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:PQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAMX-011054-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:19 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:MAMX-011054-SMBPPR; 商标:MACOM; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:AQFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 20 GHz; LO频率:18 GHz to 46 GHz; 转换损失——最大:13.5 dB; 射频:18 GHz to 46 GHz; 制造商:MACOM; |
射频混合器 |
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MAAP-118260 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.87 W; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:MAAP-118260-001SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Bulk; 系列:MAAP-118260; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:662 mA; OIP3 - 三阶截点:36.5 dBm; 测试频率:24 GHz to 26.5 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:25.5 dB; P1dB - 压缩点:28.5 dBm; 工作频率:17.7 GHz to 26.5 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 18-26GHz Gain 28.5dB P1dB 29dBm |
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MAAM-011240-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:21 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-011240-001SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:290 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:2.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:Differential RF Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAP-011233-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:MAAP-011233-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2.8 A; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:30 GHz; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:34.5 dBm; 工作频率:28.5 GHz to 31 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:AQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MASW-011107-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:20 ns; 空闲时间—最大值:20 ns; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:41 dB; 介入损耗:1.5 dB; 工作频率:DC to 26.5 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC |
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MADP-011034-10720T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:PIN Diodes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Pin Diode MELF package |
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MA4P7447ST-287T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:MACOM; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Diode,PIN,Plastic,LeadFree |
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MAAM-011229-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16 dB; 开发套件:MAAM-011229-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAAM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:0.05 GHz to 3.25 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:18.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Broadband Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C |
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MAGX-011086 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:MAGX-011086-SMBPPR; 商标:MACOM; 工作频率:DC to 6 GHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:4 W; Id-连续漏极电流:50 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 3 V; Vds-漏源极击穿电压:28 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:9 dB; 技术:GaN Si; 晶体管类型:HEMT; 制造商:MACOM; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 M/A-COM Technology Solutions |
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MACP-010571-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:2 GHz to 6 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 2-6GHz |
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MACP-010573-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:10 GHz to 30 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 10-30GHz |
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MACP-010572-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:GaAs; 工作电源电压:8 V; 频率范围:6 GHz to 18 GHz; 类型:Directional Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 RMS Power Detector 6-16GHz |
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MAAP-010168-000000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 商标:MACOM; 频率范围:0.5 GHz to 3 GHz; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3.5 A; 测试频率:3 GHz; 工作电源电压:10 V; 增益:24 dB; P1dB - 压缩点:39 dBm; 工作频率:3 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:CFlange-10; 制造商:MACOM; |
射频放大器 500-3000MHz 50 ohm Gain 24dB 12 Watt |
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2085-6013-13 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Detector; 商标:MACOM; 系列:2085; 封装:Bulk; 技术:Si; 制造商:MACOM; |
射频检测器 .85-6GHz 18pF VSWR 3:2 |
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MASW-007107-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:8.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1 uA; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:35 ns; 空闲时间—最大值:35 ns; 商标:MACOM; 技术:Si; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PDFN-8; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:20 dB; 介入损耗:0.75 dB; 工作频率:8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC DC-8.0GHz ISO 29dB IL .5dB @2.0-6.0GHz |
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MA4P7102F-1072T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:11.5 W; Ir - 反向电流 :1 uA; 载流子寿命:2.5 us; 商标:MACOM; 类型:Pin Diode; 端接类型:SMD/SMT; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ODS-1072; 最大工作频率:1.5 GHz; 最小工作频率:100 kHz; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:1 V; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:500 mOhms; 最大二极管电容:1 pF; Vr - 反向电压 :200 V; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 .1-1500MHz .7pF Min Vr 200Vdc |
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MADT-011000-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Detector; 开发套件:MADT-011000-SB1; 商标:MACOM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 工作电源电压:4.5 V; 动态范围 dB:30 dB; 频率范围:5 GHz to 44 GHz; 类型:Power Detector; 制造商:MACOM; |
射频检测器 |
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MADP-011029-14150T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:7.5 W; 最大串联电阻（中频最小时）:1.5 Ohms; 载流子寿命:1 us; 商标:MACOM; 端接类型:Solder; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MADP; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:12 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Vf - 正向电压:0.9 V; If - 正向电流:250 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.9 Ohms; 最大二极管电容:0.4 pF; Vr - 反向电压 :400 V; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 .5-12GHz Ls=.4nH 100W Pk |
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MADP-011028-14150T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:4.3 W; 最大串联电阻（中频最小时）:3.4 Ohms; 载流子寿命:2 us; 商标:MACOM; 端接类型:Solder; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MADP; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:12 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Vf - 正向电压:0.9 V; If - 正向电流:250 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:4.4 Ohms; 最大二极管电容:0.3 pF; Vr - 反向电压 :200 V; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 .5-12GHz Ls=.4nH 100W Pk |
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MASWSS0166TR-3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:4 uA; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:20 ns; 空闲时间—最大值:20 ns; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SC-70; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:12 dB; 介入损耗:0.55 dB; 工作频率:3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 21dB IL <.3dB @ 900MHz |
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MA4P7433-287T |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SMPP; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Single SOT-23 |
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MASW-008543-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:MACOM; 技术:Si; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC 0.01-4.0GHz IL:.95dB -40C to +85C |
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MASW-008322-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:1.9 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC DC-20GHz SPDT GaAs IL 2.5dB max |
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MRF151G |
MACOM |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:40 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:500 W; 商标:MACOM; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Dual; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 输出功率:300 W; 增益:14 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:40 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:MACOM; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB |
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MASW-004103-13650P |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 65 C; 商标:MACOM; 技术:Si; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 关闭隔离—典型值:32 dB; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:50 MHz to 20 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC 50-20000MHz -65C +125C Iso 41dB |
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MASW-008955-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 商标:MACOM; 技术:Si; 系列:MASW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC DC-3.5GHz IL:.85dB -40C to +85C |
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