| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GTVA126001EC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-36248-2; 安装风格:Screw Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:600 W; Id-连续漏极电流:10 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W |
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GTVA107001EC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:960 MHz to 1.215 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-36248-2; 安装风格:Screw Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:890 W; Id-连续漏极电流:10 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W |
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GTVA104001FA-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:LTN/GTVA104001FA-V1; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:960 MHz to 1.215 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37265J-2; 安装风格:Flange Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:400 W; Id-连续漏极电流:4.6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:19 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W |
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GTVA123501FA-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:LTN/GTVA123501FA-V1; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37265J-2; 安装风格:Flange Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:350 W; Id-连续漏极电流:15 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W |
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CG2H30070F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CG2H30070F-TB1; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:0.5 GHz to 3 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440224; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:70 W; Id-连续漏极电流:12 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:12.4 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt |
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CG2H40025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 6 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:25 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt |
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CGHV14800F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CGHV14800F-TB; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 100 C; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440117; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:800 W; Id-连续漏极电流:24 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt |
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CGHV40200PP |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CGHV40200PP-AMP1; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.7 GHz to 1.9 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440199; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:250 W; Id-连续漏极电流:8.7 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16.1 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt |
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CG2H40010F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.7 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 6 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:10 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt |
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CGH55030F1 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:58; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt |
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CG2H80015D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 8 GHz; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 225 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:15 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt |
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CMPA5259025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:- 10 dB; 开发套件:CMPA5259025F-AMP; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:5.5 GHz; 工作电源电压:28 V; 增益:30 dB; 工作频率:5.2 GHz to 5.9 GHz; 技术:GaN; 类型:Radar; 封装 / 箱体:440219; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 25W |
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CMPA0527005F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 工作电源电压:50 V; 工作频率:500 MHz to 2.7 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:L-Band to Ku-Band; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W |
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PTFC270101M-V1-R1K |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:900 MHz to 2700 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PG-SON-10; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 225 C; 输出功率:5 W; 增益:19.5 dB; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Vds-漏源极击穿电压:65 V; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET |
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CMPA5259050F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:61 W; 输入返回损失:- 12 dB; 开发套件:CMPA5259050F-AMP; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:5.5 GHz; 工作电源电压:28 V; 增益:31 dB; 工作频率:5.2 GHz to 5.9 GHz; 技术:GaN; 类型:Radar; 封装 / 箱体:440219; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W |
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CGH40010F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40010-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.19 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:5.21 mm; 高度:3.43 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:12.5 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt |
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CGH40025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40025F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.19 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:14.09 mm; 高度:3.43 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt |
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CGH40045F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:120; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40045F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 4 GHz; 长度:20.45 mm; 高度:4.19 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440193; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:55 W; Id-连续漏极电流:6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt |
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PTFC210202FC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs - 栅极-源极电压:10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1800 MHz to 2200 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37248-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 225 C; 输出功率:28 W; 增益:21 dB; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Vds-漏源极击穿电压:65 V; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET |
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CGHV1F006S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 湿度敏感性:Yes; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:18 GHz; 配置:Single; 应用:-; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-12; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:6 W; Id-连续漏极电流:950 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
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CGHV96100F2 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGHV96100F2-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:24.26 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:7.9 GHz to 9.6 GHz; 长度:23.01 mm; 高度:5.03 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440210; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:131 W; Id-连续漏极电流:12 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:12.4 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt |
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CGHV1F025S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:-; 开发套件:CGHV1F025S-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:3 mm; 类型:GaN SiC HEMT; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:15 GHz; 长度:4 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-12; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:25 W; Id-连续漏极电流:2 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:11 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt |
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CGHV27030S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:2.7 GHz; 配置:Single; 应用:Telecom; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-12; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:50 V; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:3.6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:21 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt |
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CGH40120F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40120F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:1 GHz to 2.5 GHz; 长度:20.45 mm; 高度:4.19 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440193; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:120 W; Id-连续漏极电流:12 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:19 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt |
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CMPA2560025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:-; 电源电压-最大:-; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:25 W; 隔离分贝:-; 输入返回损失:6 dB; 开发套件:-; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 产品:GaN; 带宽:2.5 GHz to 6 GHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:20 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:2.5 GHz to 6 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:28 V; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:2.5 GHz to 6 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:RF Power Amplifier; 封装 / 箱体:12.83 mm x 12.83 mm x 4.12 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt |
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CGH55015F1 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:58; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt |
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CGH27030F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; NF—噪声系数:3 dB; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:2.7 GHz; 配置:Single; 应用:Telecom; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440196; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:14 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:28 V; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:7 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt |
 |
CMPA2735075F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:-; 电源电压-最大:-; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:75 W; 隔离分贝:-; 输入返回损失:- 11 dB; 开发套件:-; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 产品:GaN; 带宽:2.7 GHz to 3.5 GHz; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 工作电源电流:28 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:2.7 GHz to 3.5 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:28 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz; 技术:GaN; 类型:RF Power Amplifier; 封装 / 箱体:0.5 in x 0.5 in; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp |
 |
CGH35240F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH35240F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:23.62 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:3.1 GHz to 3.5 GHz; 长度:24.33 mm; 高度:3.76 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440201; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:240 W; Id-连续漏极电流:24 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:11.6 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt |
 |
CGHV1J025D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:-; 类:-; 通道数量:4 Channel; 闸/源截止电压:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:800 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:10 MHz to 18 GHz; 长度:1.92 mm; 高度:100 um; 应用:-; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:25 W; Id-连续漏极电流:2 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt |
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CGHV60075D5 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 10 V, + 2 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:-; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:820 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:6 GHz; 长度:3 mm; 高度:100 um; 配置:-; 应用:-; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:41.6 W; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:75 W; Id-连续漏极电流:10 A; Vgs-栅源极击穿电压 :150 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt |
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CGH60030D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; 产品类型:RF JFET Transistors; 下降时间:-; 通道数量:2 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:920 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 长度:1.66 mm; 高度:100 um; 封装:Waffle; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt |
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CGHV40100F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGHV40100-TB; 类:-; 闸/源截止电压:- 10 V to + 2 V; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:500 MHz to 2.5 GHz; 长度:20.45 mm; 高度:4.19 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440193; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:100 W; Id-连续漏极电流:8.7 A; Vgs-栅源极击穿电压 :2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:11 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt |
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CGH40006S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:200; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:-; 开发套件:CGH40006S-KIT; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:3.15 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:3.15 mm; 高度:1 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-6; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:6.9 W; Id-连续漏极电流:0.75 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:13 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt |
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CGH40006P |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40006P-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.21 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 6 GHz; 长度:4.19 mm; 高度:2.79 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440109; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:9 W; Id-连续漏极电流:0.75 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:13 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt |
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CGH40180PP |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40180PP-TB; 类:-; 通道数量:2 Channel; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:1 GHz to 2.5 GHz; 长度:29 mm; 高度:4.34 mm; 配置:Dual; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440199; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:220 W; Id-连续漏极电流:24 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:19 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt |
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CGH55030F2 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:60; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.19 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:4.5 GHz to 6 GHz; 长度:14.09 mm; 高度:3.43 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:25 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:12 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt |
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CGHV27015S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:2.7 GHz; 配置:Single; 应用:Telecom; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-12; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:50 V; 输出功率:15 W; Id-连续漏极电流:1.78 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:21.2 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt |
 |
CGH27030S |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:2.7 GHz; 配置:Single; 应用:Telecom; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:21.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:28 V; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:7 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:84 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt |
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CGHV59350F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:15; 产品类型:RF JFET Transistors; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:23.01 mm; 产品:C-Band Radar HEMT; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:5900 MHz; 长度:24.26 mm; 高度:5.03 mm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:450 W; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:125 V; 增益:11 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt |
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CGHV40050F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tray; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt |
 |
CGH27015F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; NF—噪声系数:3 dB; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 工作频率:2.7 GHz; 配置:Single; 应用:Telecom; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:14 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:28 V; 输出功率:15 W; Id-连续漏极电流:3.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt |
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CGH40035F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:120; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:CGH40035F-TB; 类:-; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.97 mm; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2 GHz to 4 GHz; 长度:20.46 mm; 高度:4.19 mm; 配置:Single; 应用:-; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440193; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:45 W; Id-连续漏极电流:4.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt |
|
CGH31240F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 上升时间:-; 产品类型:RF JFET Transistors; 下降时间:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Cree, Inc.; 宽度:23.62 mm; 类型:GaN SiC HEMT; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:2.7 GHz to 3.1 GHz; 长度:24.33 mm; 高度:3.76 mm; 应用:Radar; 封装 / 箱体:440201; 安装风格:Flange Mount; Pd-功率耗散:345 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:240 W; Id-连续漏极电流:24 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:12 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 240W, GaN HEMT, 28V, 2.7-3.1GHz, IM FET, Flange |
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CMPA1D1E025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最大:40 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:30; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:94 W; 输入返回损失:- 8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 频率范围:13.75 GHz to 14.5 GHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:1.6 MHz; NF—噪声系数:-; 增益:16.7 dB; 工作频率:14.5 GHz; 技术:GaN; 类型:Ku-Band Power Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt |
 |
CGHV60040D |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:-; 典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:RF JFET Transistors; P1dB - 压缩点:-; NF—噪声系数:-; 下降时间:-; 开发套件:-; 类:-; 通道数量:2 Channel; 闸/源截止电压:-; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:820 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 工作频率:6 GHz; 长度:1.8 mm; 高度:100 um; 配置:Dual; 应用:-; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:-; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:40 W; Id-连续漏极电流:3.2 A; Vgs-栅源极击穿电压 :-; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt |
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CGHV1J006D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; 产品类型:RF JFET Transistors; 下降时间:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:800 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 长度:840 um; 高度:100 um; 封装:Gel Pack; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt |
 |
CMPA801B025F-TB |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:-; 电源电压-最大:-; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:77 W; 隔离分贝:-; 输入返回损失:- 6 dB; 开发套件:-; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 带宽:-; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 130 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:28 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:45.8 dBm; 工作频率:8.5 GHz to 11 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:-; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频放大器 Test Board without GaN MMIC |
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CGH60008D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
典型关闭延迟时间:-; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 上升时间:-; 产品类型:RF JFET Transistors; 下降时间:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:920 um; 产品:GaN HEMT; 工作温度范围:-; 长度:820 um; 高度:100 um; 封装:Waffle; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt |
|
CG2H80030D-GP4 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:10; Rds On-漏源导通电阻:410 mOhms; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:8 GHz; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 225 C; 输出功率:30 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt |
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