| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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RFFM4252 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 10 C; 开发套件:RFFM4252PCK-410; 增益:29 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RFFM4252; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:-; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:300 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.412-2.484GHz FEM WiFi 802.11b/g/n/ac |
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QPA2363CTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16.3 dB; 开发套件:QPA2363CPCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:26 mA; OIP3 - 三阶截点:21.4 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:9.6 dBm; 工作频率:50 MHz to 4000 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 12dB -40C +105C |
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QPA0163LTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:24.6 dB; 输入返回损失:12.8 dB; 开发套件:QPA0163LPCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA0163L; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30.7 mA; OIP3 - 三阶截点:15.3 dBm; 测试频率:1000 MHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:2.5 V to 4.5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:100 MHz to 1300 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 100-1300MHz NF 2.6dB Gain 16.8dB |
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GVA-63+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 隔离分贝:23.7 dB; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:69 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dB; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:4.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:11.8 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GVA-62+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.725 W; 隔离分贝:21.9 dB; 输入返回损失:20.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:23 dB; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:5.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:11.7 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-S66+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:19.1 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:3.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-2+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:7.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4.6 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:12.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:11.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:11 dB; P1dB - 压缩点:12.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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MAR-8ASM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:250 mW; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:36 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:3.7 V; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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QPC6014TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:75 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5.5 V; 开发套件:QPC6014PCK401; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC6014; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 介入损耗:1.05 dB; 工作频率:5 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC 5MHz - 6000MHz SPST +1.8V logic compatib |
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MAR-7SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:275 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:22 mA; OIP3 - 三阶截点:19 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:11 dB; P1dB - 压缩点:5.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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MAR-6SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 输入返回损失:30 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:16 mA; OIP3 - 三阶截点:18.1 dBm; 测试频率:0.5 GHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:3.7 dB; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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QPF8538TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF8538PCK401; 增益:12.5 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:270 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:4900 MHz to 5925 MHz; 类型:RF Front End; 制造商:Qorvo; |
射频前端 WiFi FEM NF 2.5dB 3.3V RX Gain 12.5dB |
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QPA4463ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:20 dB; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPA4463APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA4463A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:28.6 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:3.2 V; 增益:15.6 dB; P1dB - 压缩点:14.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 3500 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.8dB Gain 16.3dB |
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QPA4563ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:23.5 dB; 输入返回损失:16.9 dB; 开发套件:QPA4563APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA4563A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:28.9 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:2.8 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:15.8 dBm; 工作频率:0 Hz to 3500 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.5dB Gain 20.4dB |
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MAR-3SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.5 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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MAR-4SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAR; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:25.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5.25 V; 增益:8 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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PGA-102+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:21.9 dB; 输入返回损失:6.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:83 mA; OIP3 - 三阶截点:33.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.9 dB; 工作电源电压:3.3 V; 增益:10.4 dB; P1dB - 压缩点:16.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
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PMA-5451+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:6.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:32.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.3 dB; P1dB - 压缩点:17.3 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PMA-5456+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:37.2 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:5.8 dB; P1dB - 压缩点:22.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PMA-545+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:37.6 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.5 dB; P1dB - 压缩点:21.2 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PSA-5451+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:6.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:29.8 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:9.6 dB; P1dB - 压缩点:16.7 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
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GALI-39+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:22.9 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:9.8 dB; P1dB - 压缩点:10.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-1SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 W; 隔离分贝:17 dB; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:8.2 dB; P1dB - 压缩点:8 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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SAV-541+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:360 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:35.1 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:0.5 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:17.4 dB; P1dB - 压缩点:21.5 dBm; 工作频率:0.045 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PMA-5452+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:35.8 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.5 dB; P1dB - 压缩点:18.9 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PMA-5454+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:20 mA; OIP3 - 三阶截点:29.8 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:5.2 dB; P1dB - 压缩点:15.8 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PSA-5453+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:37.3 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:10.2 dB; P1dB - 压缩点:20.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
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ERA-33SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:22.5 dB; 输入返回损失:28 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:4.3 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:13.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GMP4235-GM1 |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 载流子寿命:500 ns; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:GigaMite Limiter Pin Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:2 GHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; If - 正向电流:20 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:800 mOhms; 最大二极管电容:0.6 pF; Vr - 反向电压 :250 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 Gigamite GC4225 |
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GALI-4+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:4.6 V; 增益:13.1 dB; P1dB - 压缩点:17.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-6+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12.3 dB; P1dB - 压缩点:18.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-3SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:24 dB; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:3.2 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:10.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-5+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-51+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.5 V; 增益:13.4 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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YAT-3A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:3 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:3.8 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 3 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50? |
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YAT-15A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:15 dB; 最大 VSWR:2:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:15.6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 15 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50? |
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YAT-0A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:0 dB; 最大 VSWR:1.8:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:0.7 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 0 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50? |
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YAT-10A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.7 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:10 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:10.6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 10 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50? |
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YAT-5A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:YAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:5 dB; 最大 VSWR:1.95:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:18 GHz; 最大衰减:5.5 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 5 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 18000 MHz, 50? |
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PGA-105+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.47 W; 隔离分贝:22.2 dB; 输入返回损失:9.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:63 mA; OIP3 - 三阶截点:32.4 dBm; 测试频率:2.6 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:19.3 dBm; 工作频率:0.04 GHz to 2.6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT/ 2.5GHZ RoHS |
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GVA-84+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:26.5 dB; 输入返回损失:11.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:108 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:6.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.5 dB; P1dB - 压缩点:15.6 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GVA-81+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.855 W; 隔离分贝:20.8 dB; 输入返回损失:18.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:103 mA; OIP3 - 三阶截点:31.1 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:8.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:8.1 dB; P1dB - 压缩点:17.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GVA-82+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.84 W; 隔离分贝:23.6 dB; 输入返回损失:14.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:106 mA; OIP3 - 三阶截点:30.9 dBm; 测试频率:7 GHz; NF—噪声系数:8.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.9 dB; P1dB - 压缩点:18.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 7 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-24+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:26.7 dB; 输入返回损失:19 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:30.3 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:5.3 dBm; 工作电源电压:5.8 V; 增益:12.4 dB; P1dB - 压缩点:14.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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PHA-1H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:19.6 dB; 输入返回损失:8.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:132 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.6 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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RF1126TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:400 nA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 高控制电压:3.6 V; 开发套件:RF1126PCBA-410; 商标:Qorvo; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:11 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:50 MHz to 5800 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC 50-5800MHZ SPDT -30C +85C |
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GMP4215-GM1 |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 载流子寿命:400 ns; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:Surface Mount PIN and Limiter Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:5 GHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; If - 正向电流:20 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:500 mOhms; 最大二极管电容:0.6 pF; Vr - 反向电压 :10 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 Gigamite GC4215 |
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HSWA2-30DR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:8 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.3 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:HSWA2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:DC to 3 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SW SPDT DRVR ABSORP DC-3GHZ |
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GALI-84+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:26.5 dB; 输入返回损失:16.7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:32.7 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:5.3 dBm; 工作电源电压:5.8 V; 增益:11.8 dB; P1dB - 压缩点:15.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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