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类目:
无线和射频半导体
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品牌:
TT Electronics
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
D1028UK 无线和射频半导体 D1028UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:438 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:300 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:30 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 300W-28V-175MHz PP
D2002UK 无线和射频半导体 D2002UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:29 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:18.92 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE
D2003UK 无线和射频半导体 D2003UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:35 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz PP
D1040UK 无线和射频半导体 D1040UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:438 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:108 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:400 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:35 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
D1207UK 无线和射频半导体 D1207UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:400 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:10 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-400MHz PP
D1017UK 无线和射频半导体 D1017UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:220 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DM; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:150 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:30 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE
D2015UK 无线和射频半导体 D2015UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:29 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:SOT-171-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
D2013UK 无线和射频半导体 D2013UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:83 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:4 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
D2020UK 无线和射频半导体 D2020UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:30 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:4.06 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:5.08 mm; 高度:2.18 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
D1211UK 无线和射频半导体 D1211UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:30 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:4.06 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:5.08 mm; 高度:2.18 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:10 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-500MHz SE
D2017UK 无线和射频半导体 D2017UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:29 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:Flangeless DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
D1002UK 无线和射频半导体 D1002UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:87 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:9.52 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:6.6 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DA; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:10 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
D2219UK 无线和射频半导体 D2219UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:17.5 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:4.06 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:5.08 mm; 高度:2.18 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:2.5 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
D2203UK 无线和射频半导体 D2203UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:35 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
D2225UK 无线和射频半导体 D2225UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:17.5 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:5 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:4 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
D1029UK 无线和射频半导体 D1029UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:438 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:350 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:35 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
D1022UK 无线和射频半导体 D1022UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:292 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:4.82 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:100 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:15 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
D1020UK 无线和射频半导体 D1020UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:389 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:22.22 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:400 MHz; 长度:34.03 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:150 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:25 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175MHz SE
D1005UK 无线和射频半导体 D1005UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:146 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DM; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:80 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
D1008UK 无线和射频半导体 D1008UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:175 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:4.82 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:80 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:10 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-500MHz PP
D2012UK 无线和射频半导体 D2012UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:42 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:18.92 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:4 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
D5001UK 无线和射频半导体 D5001UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:50 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DA; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
D1001UK 无线和射频半导体 D1001UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:50 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:9.52 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:6.6 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DA; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:16 dB; Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175HMz SE
D1009UK 无线和射频半导体 D1009UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:389 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:22.22 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:34.03 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:150 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-500MHz PP
D1018UK 无线和射频半导体 D1018UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DD; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:100 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:15 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
D1007UK 无线和射频半导体 D1007UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:4.82 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
D1010UK 无线和射频半导体 D1010UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:389 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:22.22 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:34.03 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DR; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:125 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
D5011UK 无线和射频半导体 D5011UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:30 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE
D1218UK 无线和射频半导体 D1218UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:290 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DD; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:60 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:30 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
D1015UK 无线和射频半导体 D1015UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:350 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:19.17 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:400 MHz; 长度:30.48 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DH; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:125 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-400MHz SE
D2201UK 无线和射频半导体 D2201UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:17.5 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:18.92 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:2.5 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
D1016UK 无线和射频半导体 D1016UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:18.9 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
D1011UK 无线和射频半导体 D1011UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:30 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:4.06 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:5.08 mm; 高度:2.18 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
D2213UK 无线和射频半导体 D2213UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:83 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:8 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
D2001UK 无线和射频半导体 D2001UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:17.5 W; 通道模式:Enhancement; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:18.92 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:2.5 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:1 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V- 1GHz SE
D2031UK 无线和射频半导体 D2031UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:17.5 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:5.5 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:6.5 mm; 高度:2.31 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:F-0127-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:7.5 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
D1023UK 无线和射频半导体 D1023UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:117 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:12.7 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 长度:24.76 mm; 高度:7.62 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DT; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:60 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:15 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175MHz SE
D2010UK 无线和射频半导体 D2010UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:8.3 W; 商标:Welwyn Components / TT Electronics; 宽度:6.35 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 长度:18.92 mm; 高度:5.08 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:20 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:8 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
D1024UK 无线和射频半导体 D1024UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DD; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
D1025UK 无线和射频半导体 D1025UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:175 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DT; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:100 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:25 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-175MHz SE
D1217UK 无线和射频半导体 D1217UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:175 W; 商标:Welwyn Components / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DD; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
D1213UK 无线和射频半导体 D1213UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:58 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 宽度:8.43 mm; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 长度:6.47 mm; 高度:3.25 mm; 配置:Single; 封装 / 箱体:DBC1-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:6 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:40 V; Id-连续漏极电流:20 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
D2009UK 无线和射频半导体 D2009UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:58 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
D5006UK 无线和射频半导体 D5006UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:220 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DV; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:150 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:21 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
D2004UK 无线和射频半导体 D2004UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:58 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:10 W; 增益:10 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:2 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
D1034UK 无线和射频半导体 D1034UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:175 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:400 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DD; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:80 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:70 V; Id-连续漏极电流:10 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
D2006UK 无线和射频半导体 D2006UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:70 W; 商标:Welwyn Components / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:15 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:3 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
D2082UK 无线和射频半导体 D2082UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1 GHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DK; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:8 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:1.6 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
D5002UK 无线和射频半导体 D5002UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:87 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:175 MHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:DA; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:40 W; 增益:16 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:6 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-50V-175MHz SE
D2022UK 无线和射频半导体 D2022UK TT Electronics 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:125 W; 商标:Semelab / TT Electronics; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:500 MHz; 配置:Dual; 封装 / 箱体:DQ; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 输出功率:25 W; 增益:13 dB; Vds-漏源极击穿电压:65 V; Id-连续漏极电流:5 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; 制造商:TT Electronics; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 25W-28V-500MHz PP
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