| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GRF2013 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2013; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 技术:Si; 类型:Broadband Gain Block; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .05-8GHz NF 1.3dB Gain 18.5dB |
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GRF2133 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:900 mW; 开发套件:GRF2133-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2133; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:1950 MHz; NF—噪声系数:0.65 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 2.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-2.7GHz GaAs Gain 39.5dB max. |
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GRF5511 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.8 W; 开发套件:GRF5511-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5511; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; 测试频率:2.5 GHz, 5.5 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.4 dB; P1dB - 压缩点:25.8 dBm; 工作频率:0.7 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .7-6GHz GaAs Gain 20.1dB |
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GRF2071 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2071-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2071; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.36 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:0.7 GHz to 2.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .7-2.7GHz GaAs Gain 19dB |
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GRF2011 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Guerrilla RF; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF2080 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2080-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2080; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:39 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:0.38 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:18.2 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 1.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 21dB |
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GRF2105 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2105; 技术:Si; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .4-5GHz NF .77dB OP1dB 22.5dBm |
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GRF4142 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF4142-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF4142; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.95 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:LNA/Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-3.8GHz GaAs Gain 16dB |
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GRF2093 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 开发套件:GRF2093EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.38 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 5V/70 mA/2.5 GHz |
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GRF2073 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2073-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2073; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:3.6 GHz; NF—噪声系数:0.63 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18.6 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:3 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 18.6dB |
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GRF3044 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:700 mW; 开发套件:GRF3044-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF3044; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:31.5 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:7 V; 增益:16.6 dB; P1dB - 压缩点:19.8 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 11 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-11GHz GaAs Gain 16.6dB NF 1.8dB |
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GRF2106 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:150 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2106; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:11.5 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 4.2 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Gain, Low Current; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF3042 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:350 mW; 开发套件:GRF3042-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF3042; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:7 V; 增益:14.3 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 13 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .01-13GHz GaAs Gain 14.3dB NF 3dB |
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GRF2083 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2083-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2083; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:3.6 GHz; NF—噪声系数:0.55 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:3 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 17.5dB |
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GRF2100 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:150 mW; 开发套件:GRF2100-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 测试频率:2500 MHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:16.5 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .7-3.8GHz GaAs Gain 16.5dB |
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GRF2101 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:18 mA; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 测试频率:5500 MHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:17.5 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:4 GHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF2014 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.6 W; 开发套件:GRF2014-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2014; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:150 mA; OIP3 - 三阶截点:43.5 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:15.9 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .05-3.8GHz GaAs Gain 15.9dB |
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GRF2070 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2070-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2070; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:39.7 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:0.34 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20.8 dB; P1dB - 压缩点:20.1 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 1.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 20.8dB |
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GRF5115 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2 W; 开发套件:GRF5115-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5115; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:300 mA; OIP3 - 三阶截点:47.6 dBm; 测试频率:1.85 GHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:14.4 dB; P1dB - 压缩点:32.8 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 2.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-2.7GHz GaAs Gain 14.4dB |
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GRF4014 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1100 mW; 开发套件:GRF4014-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF4014; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.73 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:24.8 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-6GHz GaAs Gain 17dB |
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GRF2004 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:600 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2004; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:29.8 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:100 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .05-10GHz NF 1.9dB Gain 14dB |
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GRF2003 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2003; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:27.5 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:3.8 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:100 MHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .05-10GHz NF 3.8dB Gain 12dB |
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GRF2093-W |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1000 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:2332.5 MHz; NF—噪声系数:0.37 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 5V/70 mA/2.5 GHz |
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GRF4014-W |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1100 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:39 dBm; 测试频率:2332.5 MHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-6GHz GaAs Gain 17dB |
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GRF5109 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 开发套件:GRF5109-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5109; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:170 mA; OIP3 - 三阶截点:45 dBm; 测试频率:0.9 GHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17.9 dB; P1dB - 压缩点:28.3 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 1.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .4-1.5GHz GaAs Gain 17.5dB |
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GRF2373 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:100 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:1900 MHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:18.5 dB; P1dB - 压缩点:13.5 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Current LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF2072 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 开发套件:GRF2072-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2072; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:37.5 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19.3 dB; P1dB - 压缩点:19.7 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 2.3-3.8GHz GaAs Gain 19.3dB |
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GRF2201 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:150 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:2.45 GHz; NF—噪声系数:0.73 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:20.7 dB; P1dB - 压缩点:12.8 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Gain LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF2140 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:18 mA; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 测试频率:1.95 GHz; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:17.8 dB; P1dB - 压缩点:9.3 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Current LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF2710 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:300 mW; 开发套件:GFR2710-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2710; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:25 mA; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 测试频率:11 GHz; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:13.9 dB; P1dB - 压缩点:13 dBm; 工作频率:8 GHz to 13 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 8-13GHz GaAs Gain 13.9dB |
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GRF6011 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1 mA; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:GRF6011-EVB; 商标:Guerrilla RF; 技术:Si; 系列:GRF6011; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:22 dB; 介入损耗:0.43 dB; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
RF 开关 IC .1-3.8GHz SPDT IL .43dB |
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GRF7001 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:100 mW; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作电源电压:3 V to 5 V; 工作电源电流:30 mA; OIP3 - 三阶截点:25.4 dBm; 增益:- 6 dB; 商标:Guerrilla RF; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 中频:157 MHz; LO频率:965 MHz; NF—噪声系数:7.1 dB; 转换损失——最大:6 dB; 射频:808 MHz; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频混合器 |
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GRF2501 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 输入返回损失:- 9.6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:12 mA; OIP3 - 三阶截点:25.5 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:16.9 dB; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; 工作频率:4.9 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Gain, Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 4.9-6GHz NF .8dB 802.11a/n/ac |
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GRF4001 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:275 mW; 输入返回损失:- 14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:19.8 dBm; 工作频率:100 MHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-6GHz NF .9dB Gain 15.7dB |
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GRF5010 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.7 W; 输入返回损失:- 10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.7 dB; 工作电源电压:4.5 V to 8 V; 增益:17.5 dB; P1dB - 压缩点:28.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Power LNA; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .01-6GHz NF .7dB Gain 17.5dB |
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GRF2051 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 输入返回损失:- 10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:39 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.27 dB; 工作电源电压:2.7 V to 6 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:3.2 dBm; 工作频率:700 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .7-3.8GHz NF .27dB Gain 19.2dB |
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GRF2505 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:275 mW; 输入返回损失:- 12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:0.77 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:12.8 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:4 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Linear PA Driver/Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 4-6GHz NF .77dB OP1dB +20dBm |
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GRF2052 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 输入返回损失:- 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.38 dB; 工作电源电压:2.7 V to 6 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:1.5 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 4.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Ultra-Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 1.5-4.5GHz NF .38dB Gain 19.2dB |
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GRF4005 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 输入返回损失:- 13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:170 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.8 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:27.5 dBm; 工作频率:100 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 1.7-2.7GHz Gain 13dB OP1dB 27.5dBm |
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GRF4002 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 输入返回损失:- 11.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:23.5 dBm; 工作频率:100 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-3.8GHz NF .75dB Gain 15dB |
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GRF5020 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.9 W; 输入返回损失:- 14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5020; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:110 mA; OIP3 - 三阶截点:44 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.7 dB; 工作电源电压:4.5 V to 10 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:30.5 dBm; 工作频率:10 MHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Power LNA; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .01-6GHz Gain 17dB OP1dB 30.5dBm |
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GRF5040 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.5 W; 输入返回损失:- 12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5040; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:160 mA; OIP3 - 三阶截点:45.5 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.67 dB; 工作电源电压:4.5 V to 10 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:30.8 dBm; 工作频率:10 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Power LNA; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .01-3.8GHz Gain 15.5dB |
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GRF2012 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.2 W; 开发套件:GRF2012-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2012; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:90 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .05-3.8GHz NF 1.9dB Gain 15dB OIP3 40dB |
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GRF4003 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:600 mW; 输入返回损失:- 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:95 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:100 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-3.8GHz NF .75dB Gain 13dB |
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GRF2541 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:200 mW; 开发套件:GRF2541-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2541; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:18 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:- 10.2 dBm; 工作频率:4.9 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 5GHz 802.11a/n/ac/p Gain 16.4dB |
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GRF2374 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:100 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:15 mA; OIP3 - 三阶截点:19.5 dBm; 测试频率:2.4 GHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:10 dBm; 工作频率:0.1 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Current LNA; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 |
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GRF4042 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 输入返回损失:- 9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5 V; 增益:16.2 dB; P1dB - 压缩点:4.5 dBm; 工作频率:400 MHz to 2.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier with Bypass and Guerrilla Armor; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .4-2.7GHz NF .85dB Gain 16.2dB |
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GRF4004 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:800 mW; 输入返回损失:- 11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:43.2 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 增益:12.7 dB; P1dB - 压缩点:26.4 dBm; 工作频率:100 MHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband LNA/Linear Driver; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 .1-3.8GHz Gain 12.7dB |
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GRF2081 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:600 mW; 开发套件:GRF2081-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF2081; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.38 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18.2 dB; P1dB - 压缩点:19.8 dBm; 工作频率:1.4 GHz to 2.7 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 1.4-2.7GHz GaAs Gain 18.2dB |
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GRF5110 |
Guerrilla RF |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 开发套件:GRF5110-EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Guerrilla RF; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GRF5110; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:170 mA; OIP3 - 三阶截点:46 dBm; 测试频率:1.9 GHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:28.8 dBm; 工作频率:1.5 GHz to 3.8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Guerrilla RF; |
射频放大器 1.5-3.8GHz GaAs Gain 15dB OIP3 46dB |
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