| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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QPA2308 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:169 W; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:QPA2308EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2308; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; 工作电源电压:28 V; 增益:30.5 dB; 工作频率:5 GHz to 6 GHz; 技术:GaN; 类型:MMIC Power Amplifier; 封装 / 箱体:0.6 in x 0.6 in x 0.138 in; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-6 GHz 70W C-Band PA CP |
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QPA2213D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:13.7 W; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:QPA2213DEVBV01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:330 mA; 测试频率:20 GHz; NF—噪声系数:5.3 dB; 工作电源电压:18 V; 增益:21.6 dB; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA2213D DIE |
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QPA2210D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:20 W; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:QPA2210DEVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2210D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; 测试频率:31 GHz; 工作电源电压:20 V; 增益:26 dB; 工作频率:27 GHz to 31 GHz; 技术:GaN; 类型:Ka-Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA2210D Die |
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QPA1009D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:59.5 W; 输入返回损失:27 dB; 开发套件:1140794; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA1009D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; 测试频率:12.7 GHz; 工作电源电压:20 V; 增益:17 dB; 工作频率:10.7 GHz to 12.7 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA1009D Die sales |
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QPA1022D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:180 mA; 工作电源电压:22 V; 增益:24 dB; 工作频率:8.5 GHz to 11 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:MMIC Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA1022D SELLABLE DIE |
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QPA2225D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5 W; 输入返回损失:5 dB; 开发套件:QPA2225DEVBA; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:64 mA; 测试频率:35 GHz; 工作电源电压:20 V; 增益:23 dB; 工作频率:28 GHz to 38 GHz; 技术:GaN; 类型:MMIC Driver Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 28-38 GHz .4W GaN Amplifier |
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ST25R95-VMD5T |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25R95; 产品:NFC Readers; 封装 / 箱体:VFQFPN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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CC2642R1FRGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2642R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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QPF4528TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:27 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4528PCK-01; 增益:15 dB, 30 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4528; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:3 mm x 3 mm; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电流:165 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz Wi-Fi Front End Module |
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QPF4219TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4219EVB01; 增益:16 dB, 33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4219; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4 GHz 802.11ac Wi-FI FEM |
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QPF4288TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4288EVB-01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPF4288; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作频率:2400 MHz to 2500 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi 6 FEM |
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QPF4578TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:29 dBm; OIP3 - 三阶截点:10 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4578PCK-01; 增益:31 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:370 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz Wi-Fi FEM |
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EFR32BG13P532F512GM32-D |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 0 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO |
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EFR32MG21A020F512IM32-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 开发套件:SLWSTK6006A; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:20 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 输出功率:20 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko, QFN32, 2.4G, 20dB, mesh multiprotocol, 512kB, 64kB(RAM), 20 GPIO |
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QPL9057TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:12.5 dB; 开发套件:QPL9057EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL9057; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:0.54 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:22.8 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:0.6 GHz to 4.2 GHz; 技术:Si; 类型:Flat Gain Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 0.6-4.2 GHz Low Noise Amplifier |
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QPL6207QTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9.5 dB; 开发套件:QPL6207QPCK-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:2330 MHz; NF—噪声系数:0.45 dB; 工作电源电压:3.3 V to 5.25 V; 增益:18.5 dB; P1dB - 压缩点:21.5 dBm; 工作频率:2332 MHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 Hi-Linearity SDARS LNA |
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QPF4588TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:32 dBm; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电流:20 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:5 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz Wi-Fi FEM |
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ATSAMR34J16B-I/7JX |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:429; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:27 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:4 kB, 8 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR34; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-64; 程序存储器大小:64 kB; 传输供电电流:94.5 mA; 接收供电电流:17 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 136 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:12 Mb/s; 工作频率:868 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver with USB and 64KB Flash |
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ATSAMR35J17B-I/7JX |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:429; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:27 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:8 kB, 16 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR35; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-64; 程序存储器大小:128 kB; 传输供电电流:94.5 mA; 接收供电电流:17 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.63 V; 灵敏度:- 136 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:12 Mb/s; 工作频率:868 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver with 128KB Flash |
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ATSAMR34J17B-I/7JX |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:429; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:27 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:8 kB, 16 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR34; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-64; 程序存储器大小:128 kB; 传输供电电流:94.5 mA; 接收供电电流:17 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 136 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:12 Mb/s; 工作频率:868 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver with USB and 128KB Flash |
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EFR32BG13P632F512GM48-D |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE Soc QFN48 2.4 G 10 dB BLE/Proprietary 512 kB 64 kB(RAM) 31GPIO |
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EFR32MG13P632F512GM48-D |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kbit; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kbit; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO |
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QPA9120TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9120 EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:96 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:4.8 GHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:21 dBm; 工作频率:1.8 GHz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Gain Block; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1.8-5.0 GHz 2-stage wideband gain block |
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QPA9121TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:40 dB; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9121EVB01; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9121; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:95 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:3.6 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:25.5 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 5 GHz; 技术:GaAs; 类型:High Gain; 封装 / 箱体:SMT-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-5.0 GHz High Gain 0.5W Driver Amplif |
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QPB8858TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:- 45 dB; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:290 mA; OIP3 - 三阶截点:48 dBm; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:47 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-40; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1.2GHz, 34dB Push-Pull MMIC |
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QPL9098TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:16 dB; 输入返回损失:11 dB; 开发套件:QPL9098EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL9098; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:5500 MHz; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:4.2 V; 增益:19.6 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:4 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:LNA; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 LNA w/ bypass, 4.4-6.0 GHz, 1.8V logic |
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EFR32BG13P733F512GM48-D |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko QFN48 Dual 19 dB BLE/Proprietary 512 kB 64 kB(RAM) 31GPIO |
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EFR32MG13P732F512IM48-D |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kbit; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kbit; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO, +125C |
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QPA9127TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9127 EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA9127; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linearity Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3-5 GHz Gain Bock High Gain |
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QPB8958TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 隔离分贝:- 45 dB; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPB8958EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:260 mA; OIP3 - 三阶截点:49 dBm; 测试频率:1003 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:27 dBm; 工作频率:50 MHz to 1003 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-40 5x7; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 34dB 1GHz Push Pull Amp |
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EFR32MG12P132F512GM68-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:46 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-68; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko QFN68 2.4G 10db Mesh Multi-Protocol 512kB 64kB(RAM) 46GPIO |
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QPB8957TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPB8957EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:49 dBm; 测试频率:1003 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:50 MHz to 1003 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Doubler Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-40; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 28dB 1GHz Power Doubler |
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PN7360AUEV/C300E |
NXP |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:5.5 V; 电源电压-最大:2.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7360; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:80 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 80kB Flash |
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CY8C6316BZI-BLF03 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz; 数据 RAM 大小:128 kB; 程序存储器大小:512 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi |
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PN7462AUEV/C300E |
NXP |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7462; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:160 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 160kB Flash and ISO/IEC 7816-3&4 UART |
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CY8C6316BZI-BLF53 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz; 数据 RAM 大小:128 kB; 程序存储器大小:512 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi |
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LTC5555IUFD#PBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:73; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:11.3 dBm; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:192 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 增益:9 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:LTC5555; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-28; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 中频:1 MHz to 900 MHz; LO频率:0.5 GHz to 8 GHz; NF—噪声系数:23.9 dB; 射频:1.5 GHz to 7 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 1.5GHz to 7GHz PRGM GAIN DWNCONV MXR |
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QPA3357 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:440 mA; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:28 dB; 工作频率:47 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:Power Doubler Hybrid; 封装 / 箱体:SOT-115J-9; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 CATV Amp PI347, H24-PD-1218-28-IC, Com |
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ST25R3916-AQWT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25R3916; 产品:NFC Universal Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFPN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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CC2642R1FRGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2642R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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FX604D4 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:47; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:800 mW; 接口类型:UART; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:1.7 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最大频率:3.583125 MHz; 调制格式:FSK; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
调节器/解调器 V.23 Compatible Modem |
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CMX998Q1 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Transmitter; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:SPI; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; 工作频率:30 MHz to 1 GHz; 类型:Feed-Back Loop; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频发射器 Cartesian Feedback Loop Tx |
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CMX469AD3 |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:38; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:560 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:4.5 mA; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 最小频率:4.028 MHz; 最大频率:4.036 MHz; 调制格式:FFSK, MSK; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
调节器/解调器 Duplex Multi-mode FFSK/MSK Modem |
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NPA1007 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 14 dB; 开发套件:NPA1007-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 测试频率:2500 MHz; 工作电源电压:28 V; 增益:12.5 dB; 工作频率:20 MHz to 2500 MHz; 技术:GaN; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 Power Amplifier, 10W, 20-2500MHz, 5x6mm-DFN |
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SKY66420-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 2 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:16 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66420; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:280 mA; 工作电源电压:2 V to 4.8 V; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作频率:860 MHz to 930 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 860 to 930MHz RF FEM |
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SKY65943-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:8500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 13.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 9 dbm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY65943-11EK1; 增益:16 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY65943; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-10; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电流:2.9 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.3 V; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作频率:1559 MHz to 1606 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 GPS LNA Module |
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STM32WB55CEU6 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
商标名:STM32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1560; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:5 Timer; ADC通道数量:13 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:64 MHz, 32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:30 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, LPUART, SAI, SPI, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:STM32WB55CG; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:UFQFPN-48; 程序存储器大小:512 KB; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RF片上系统 - SoC 16/32-BITS MICROS |
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STM32WB55CGU6 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
商标名:STM32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1560; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:5 Timer; ADC通道数量:13 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:64 MHz, 32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:30 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, LPUART, SAI, SPI, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:STM32WB55CG; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:UFQFPN-48; 程序存储器大小:1 MB; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RF片上系统 - SoC 16/32-BITS MICROS |
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STM32WB55RGV6 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
商标名:STM32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1560; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:5 Timer; ADC通道数量:19 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:64 MHz, 32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:49 IO; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, LPUART, QSPI, SAI, SPI, USART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:STM32WB55RG; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFQFPN-68; 程序存储器大小:1 MB; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RF片上系统 - SoC 16/32-BITS MICROS |
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CY8C6347BZI-BLD53 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz, 150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC6 |
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