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无线和射频半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
SKYA21038 无线和射频半导体 SKYA21038 Skyworks 无线和射频半导体 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKYA21038-EVB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKYA21038; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:MLPD-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:38 dB; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:0.9 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; RF 开关 IC WIFI SPDT,Automotive version of SKY13585
TMS3705EDRQ1 无线和射频半导体 TMS3705EDRQ1 Texas Instruments 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:TMS3705; 产品:RFID Transponders; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:4 MHz; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; RFID应答器 LF Reader IC 16-SOIC -40 to 85
DA14695-00000HQ2 无线和射频半导体 DA14695-00000HQ2 Dialog Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:16 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit, 14 bit; 输入/输出端数量:44 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:512 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:DA1469; 程序存储器类型:OTP; 长度:6 mm; 高度:0.9 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-86; 程序存储器大小:4 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:2.2 mA; 工作电源电压:2.4 V to 4.75 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33F, ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; 制造商:Dialog Semiconductor; RF片上系统 - SoC Multi-core wireless MCU for Bluetooth 5.0 and prop 2G4 protocols
WF200C 无线和射频半导体 WF200C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:76; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:WF200; 灵敏度:- 96.5 dBm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:17 dBm; 传输供电电流:148 mA; 接收供电电流:42.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:1DSSS; 最大数据速率:72.2 Mb/s; 频率范围:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; 射频收发器 WF200 FWi-Fi Transceiver IC with a 802.11 b/g/n Wi-Fi radio
EFR32ZG14P231F256GM32-BR 无线和射频半导体 EFR32ZG14P231F256GM32-BR Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:Z-Wave 700; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:39 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32ZG14; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:38.8 mA; 接收供电电流:10.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 98.8 dBm; 输出功率:13 dBm; 最大数据速率:100 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Z-Wave 700 Modem SoC, Sub-GHz, Arm M4, -98.8 dBm, 13 dBm, QFN32
SKY66423-11 无线和射频半导体 SKY66423-11 Skyworks 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:8000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 12 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:29 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66423; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:280 mA; 工作电源电压:2 V to 4.8 V; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作频率:860 MHz to 930 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; 射频前端 860 to 930MHz RF FEM High Gain
CC3235SM2RGKR 无线和射频半导体 CC3235SM2RGKR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3235; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz, 5 GHz; 核心:Arm Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU SimpleLink? Wi-Fi? , dual-band, single-chip wireless MCU solution 64-VQFN -40 to 85
MAAL-011139-TR1000 无线和射频半导体 MAAL-011139-TR1000 MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:25 dB; 输入返回损失:23 dB; 开发套件:MAAL-011139-050SMB, MAAL-011139-DSBSMB, MAAL-011139-USBSMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MAAL-011139; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:21.5 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:5 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; 射频放大器 LNA,5-1218 MHz 21dB,SOT-89
CMX868AE2 无线和射频半导体 CMX868AE2 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:62; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:1000 mW; 接口类型:Serial; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:5.5 mA; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 最大频率:12.288 MHz; 调制格式:DPSK, FSK, QAM; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Low Power V.22bis Modem
EFR32MG13P733F512GM48-D 无线和射频半导体 EFR32MG13P733F512GM48-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kbit; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kbit; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 dual 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO
MKW36Z512VHT4 无线和射频半导体 MKW36Z512VHT4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 48LQFN
MX614DW 无线和射频半导体 MX614DW CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:47; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:800 mW; 接口类型:UART; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:1.7 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最大频率:3.583125 MHz; 调制格式:FSK; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Bell 202 Compatible Modem
CY8C6347FMI-BLD53T 无线和射频半导体 CY8C6347FMI-BLD53T Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1700; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:70 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:MCSP-104; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz, 150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSOC 6 MCU BLE Low Energy
ATSAMR34J18B-I/7JX 无线和射频半导体 ATSAMR34J18B-I/7JX Microchip 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:429; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:27 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:8 kB, 32 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR34; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-64; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:94.5 mA; 接收供电电流:17 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:- 136 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:12 Mb/s; 工作频率:868 MHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver with USB and 256KB Flash
HMC908ALC5 无线和射频半导体 HMC908ALC5 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:0 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC908; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:100 mA; 工作电源电压:3 V, 5 V; NF—噪声系数:2 dB; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; 增益:11 dB; LO频率:8.5 GHz to 15.5 GHz; 中频:0 Hz to 3.5 GHz; 射频:9 GHz to 12 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 上下转换器 I/Q Down-Converter 9-12 GHZ
MKW36A512VFP4 无线和射频半导体 MKW36A512VFP4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:KW36; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 8KB EEPROM, 48MHz, BLE, CAN, 40QFN
CC3135RNMRGKR 无线和射频半导体 CC3135RNMRGKR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3135; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz, 5 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU SimpleLink? Wi-Fi? , dual-band network processor, IoT solution for MCU applications 64-VQFN -40 to 85
EFR32MG13P732F512GM48-D 无线和射频半导体 EFR32MG13P732F512GM48-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kbit; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kbit; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 31GPIO
EFR32BG13P732F512GM32-D 无线和射频半导体 EFR32BG13P732F512GM32-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:9.5 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO
ADL8111ACCZN 无线和射频半导体 ADL8111ACCZN Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.61 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:ADL8111; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:5000 MHz to 8000 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:10 MHz to 8000 MHz; 技术:Si; 类型:Bypass Amplifier; 封装 / 箱体:LGA-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 28-LGA-6X6_MM Module/SIP
FX614D4 无线和射频半导体 FX614D4 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:47; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:800 mW; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:1.7 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 最小频率:3.575965 MHz; 最大频率:3.583125 MHz; 调制格式:FSK; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Bell 202 Compatible Modem
ADPA7002CHIP 无线和射频半导体 ADPA7002CHIP Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:6.77 W; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:ADPA7002; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:34 GHz to 44 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:20 GHz to 44 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 Power Amplifier, 20 - 44 GHz
EFR32FG13P231F512GM48-D 无线和射频半导体 EFR32FG13P231F512GM48-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 94.8 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 31GPIO SoC
CMX869BE2 无线和射频半导体 CMX869BE2 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:62; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:1000 mW; 接口类型:Serial; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:8.6 mA; 工作电源电压:3.3 V; 最大频率:2258 Hz; 调制格式:FSK, QAM; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Low-power V.32bis Modem
MRFX035HR5 无线和射频半导体 MRFX035HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:154 W; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX035H; 工作频率:1.8 MHz to 512 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-360H-2SB; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:35 W; 增益:24.8 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:100 mA; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
CMX869BD2 无线和射频半导体 CMX869BD2 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:31; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:600 mW; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:Serial; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电流:8.6 mA; 工作电源电压:3.3 V; 最大频率:2258 Hz; 调制格式:FSK, QAM; 类型:Modulator/Demodulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Low Power V.32bis Modem
MKW35A512VFP4 无线和射频半导体 MKW35A512VFP4 NXP 无线和射频半导体 商标名:Kinetis; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:KW35; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.7 mA; 接收供电电流:6.3 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; RF片上系统 - SoC Kinetis W 32-bit MCU, Arm Cortex-M0+, 512KB Flash, 64KB SRAM, 48MHz, BLE, 40QFN
AWR1443FQIGABLQ1 无线和射频半导体 AWR1443FQIGABLQ1 Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:mmWave; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:200 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:576 kB; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:AWR1443; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:600 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; RF片上系统 - SoC
MAAM-011163-TR1000 无线和射频半导体 MAAM-011163-TR1000 MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-01163-001SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:290 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:Differential RF Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; 射频放大器
CMX7164Q1 无线和射频半导体 CMX7164Q1 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:Modulator / Demodulator; Pd-功率耗散:3500 mW; 湿度敏感性:Yes; 接口类型:Serial; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VQFN-64; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 工作电源电压:3.3 V; 最小频率:3 MHz; 最大频率:12.288 MHz; 调制格式:GMSK/SFSK; 类型:Modulator; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 Multi-mode High Perfomance Modem
ADRV9008BBCZ-2 无线和射频半导体 ADRV9008BBCZ-2 Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:2 Transmitter; 接收机数量:2 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRV9008; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-196; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传输供电电流:2059 mA; 电源电压-最大:3.465 V; 电源电压-最小:1.267 V; 最大数据速率:12.288 Gb/s; 频率范围:75 MHz to 6000 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频收发器 Integrated Dual RF Tx/ORx
EFR32MG13P732F512GM32-D 无线和射频半导体 EFR32MG13P732F512GM32-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kbit; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kbit; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN32 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 512 kB 64 kB (RAM) 16GPIO
MRFX600HR5 无线和射频半导体 MRFX600HR5 NXP 无线和射频半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780H-4L; 安装风格:Screw Mount; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
DA14691-00000HQ2 无线和射频半导体 DA14691-00000HQ2 Dialog Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:16 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit, 14 bit; 输入/输出端数量:44 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:384 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:DA1469; 程序存储器类型:OTP; 长度:6 mm; 高度:0.9 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-86; 程序存储器大小:4 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:2.2 mA; 工作电源电压:2.4 V to 4.75 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33F, ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; 制造商:Dialog Semiconductor; RF片上系统 - SoC Multi-core wireless MCU for Bluetooth 5.0 and prop 2G4 protocols
CY8C6347BZI-BLD33 无线和射频半导体 CY8C6347BZI-BLD33 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz, 150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSoC6
MAMX-011037-DIE 无线和射频半导体 MAMX-011037-DIE MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:12 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 开发套件:MAMX-011037-SB2; 商标:MACOM; 技术:Si; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 20 GHz; LO频率:18 GHz to 46 GHz; 转换损失——最大:12 dB; 射频:18 GHz to 46 GHz; 制造商:MACOM; 射频混合器
CY8C6347BZI-BLD43 无线和射频半导体 CY8C6347BZI-BLD43 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz, 150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSoC6
CMX909BD5 无线和射频半导体 CMX909BD5 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:59; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-24; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 GMSK Packet Data Modem
ADF5902WCCPZ 无线和射频半导体 ADF5902WCCPZ Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Transmitter; 工作电源电流:190 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:EV-ADF5902SD1Z; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADF5902; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:3.3 V; 工作频率:24 GHz; 类型:ISM Band; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频发射器 24GHz 2 Ch ISM-band FMCW transmitter
CY8C6336BZI-BLD13 无线和射频半导体 CY8C6336BZI-BLD13 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:150 MHz; 数据 RAM 大小:128 kB; 程序存储器大小:512 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi
DA14699-00000HR2 无线和射频半导体 DA14699-00000HR2 Dialog Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:16 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit, 14 bit; 输入/输出端数量:55 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:512 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:DA1469; 程序存储器类型:OTP; 长度:5 mm; 高度:0.9 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-100; 程序存储器大小:4 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:2.2 mA; 工作电源电压:2.4 V to 4.75 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33F, ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; 制造商:Dialog Semiconductor; RF片上系统 - SoC Multi-core wireless MCU for Bluetooth 5.0 and prop 2G4 protocols
EFR32BG12P232F512GM68-C 无线和射频半导体 EFR32BG12P232F512GM68-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-68; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN68 2.4 G 10 dB BLE/proprietary 512 kB 64 kB (RAM) 46GPIO
ADPA7002C-KIT 无线和射频半导体 ADPA7002C-KIT Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:6.77 W; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:ADPA7002; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:34 GHz to 44 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:20 GHz to 44 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 ADPA7002 Sample Pack
WF200SC 无线和射频半导体 WF200SC Silicon Laboratories 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:76; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:WF200; 灵敏度:- 96.5 dBm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:17 dBm; 传输供电电流:148 mA; 接收供电电流:42.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:1DSSS; 最大数据速率:72.2 Mb/s; 频率范围:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; 射频收发器 WF200S Wi-Fi Transceiver IC with a 802.11 b/g/n Wi-Fi radio and Secure Link host interface
EFR32FG13P231F512GM32-D 无线和射频半导体 EFR32FG13P231F512GM32-D Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG13; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:35.3 mA; 接收供电电流:10.3 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 94.8 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 sub-GHz 20 dB proprietary 512 kB 646 kB (RAM) 16GPIO SoC
CY8C6336BZI-BLF03 无线和射频半导体 CY8C6336BZI-BLF03 Cypress Semiconductor 无线和射频半导体 商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:364; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 6A-BLE; 定时器数量:32 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:78 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-116; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:150 MHz; 数据 RAM 大小:128 kB; 程序存储器大小:512 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi
EFR32BG12P232F1024GM68-C 无线和射频半导体 EFR32BG12P232F1024GM68-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-68; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN68 2.4 G 10 dB BLE/proprietary 1024 kB 128 kB (RAM) 46GPIO
HMC1022ACHIPS 无线和射频半导体 HMC1022ACHIPS Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.69 W; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC1022A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:150 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:40 GHz to 48 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:0 Hz to 48 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 0.01-50GHz 0.1W DISTRIBUTED AMPLIFIER (T
PN7362AUEV/C300E 无线和射频半导体 PN7362AUEV/C300E NXP 无线和射频半导体 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7362; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VFBGA-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5.5 V; 最大时钟频率:20 MHz; 数据 RAM 大小:12 kB; 程序存储器大小:160 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:13.56 MHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:NXP; 射频微控制器 - MCU NFC Cortex-M0 microcontroller with 160kB Flash
CMX909BE2 无线和射频半导体 CMX909BE2 CML Microcircuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:62; 产品类型:Modulator / Demodulator; 商标:CML Microcircuits; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-24; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; 调节器/解调器 GMSK Packet Data Modem
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