| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
QPA2598 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:9.8 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:- 10 dB; 开发套件:QPA2598EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 系列:QPA2598; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; 测试频率:10 GHz to 12 GHz; 工作电源电压:22 V; 增益:22 dB; 工作频率:6 GHz to 12 GHz; 技术:GaN; 类型:Driver Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6-12 GHx 2.5W GaN Driver Amp |
 |
REF10WTXQI4102TOBO1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RF Transmitter; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频发射器 |
 |
CC1352P1F3RGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:26 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:SimpleLink; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 工作频率:2.4 GHz, Sub-1 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
 |
MAAM-011238-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:18.5 dBm; 测试频率:20 GHz to 30 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:40 MHz to 50 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
 |
EFR32BG22C224F512IM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
 |
S2-LPTXQTR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Transmitter; 工作电源电流:350 uA; 湿度敏感性:Yes; 调制格式:ASK, OSK; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:SPI; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:S2-LP; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.6 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-24; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 工作频率:413 MHz to 479 MHz, 826 MHz to 958 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频发射器 LOW POWER RF |
 |
EFR32BG22C224F512GN32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.3 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, TQFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
|
EFR32FG22C121F512GM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:38.4 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 输出功率:6 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko, QFN32, (RTSL), 38.4 MHz, 2.4G, 6dB, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
|
EFR32MG22C224F512IM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 输出功率:6 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko, QFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, ZigBee+BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
 |
EFR32BG22C224F512IM40-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN40, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
|
EFR32MG22C224F512IM40-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 输出功率:6 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko, QFN40, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, ZigBee+BLE, 512kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
|
EFR32FG22C121F512GM40-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:38.4 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 输出功率:6 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko, QFN40, (RTSL), 38.4 MHz, 2.4G, 6dB, 512kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
|
EFR32MG22C224F512GN32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 输出功率:6 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko, TQFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, ZigBee+BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
 |
HMC521A-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs IQ Mixer Sample Pack |
|
HMC553AG-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixers |
 |
MKW37Z512VFT4 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, GPIO, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:KW37; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC 32-bit Bluetooth 5.0 Long-Range MCUs with LIN Bus, Arm Cortex -M0+ Core, no CAN-FD |
 |
ST25R3920-AQWT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 产品:NFC Reader; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFQFPN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:27.12 MHz; 存储容量:48 B; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 Automotive high performance NFC / HF RFID Reader IC |
 |
EZR32WG230F256R69G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32WG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32WG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
|
EZR32WG330F256R69G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32WG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32WG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 bit; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
|
ADL6316ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:208; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 0.5GHz to 1GHz Quad Hybrid, TXVGA |
|
EZR32LG230F256R69G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
|
EZR32LG330F256R69G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless USB Gecko SoC MCU 256KB |
 |
CY8C6347FMI-BLD43T |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 6; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1700; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:70 I/O; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C63xx; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:MCSP-104; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:50 MHz, 150 MHz; 数据 RAM 大小:288 kB; 程序存储器大小:1024 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F, ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSOC6 USB, BLE, WiFi |
|
CMX998Q1-REEL |
CML Microcircuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Transmitter; 湿度敏感性:Yes; 商标:CML Microcircuits; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; RoHS:Y; 制造商:CML Microcircuits; |
射频发射器 |
 |
nRF9160-SIBA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:10 mm; 技术:Si; 系列:NRF9160; 程序存储器类型:Flash; 长度:16 mm; 高度:1 mm; 封装 / 箱体:LGA-127; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:365 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 灵敏度:- 108 dBm; 输出功率:23 dBm; 最大数据速率:360 kb/s; 工作频率:700 MHz to 2.2 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:LTE-M; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC SIP Module NBIOT |
 |
A3T23H450W23SR6 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:150; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:2300 MHz to 2400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:87 W; 增益:14.7 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 0.5 V, 65 V; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V |
 |
GTVA104001FA-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:LTN/GTVA104001FA-V1; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:960 MHz to 1.215 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37265J-2; 安装风格:Flange Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:400 W; Id-连续漏极电流:4.6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:19 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W |
|
GTVA123501FA-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:LTN/GTVA123501FA-V1; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-37265J-2; 安装风格:Flange Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:350 W; Id-连续漏极电流:15 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W |
 |
QPA9421TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:21 dB; 开发套件:QPA9421EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:420 mA; 测试频率:2.14 GHz; 工作电源电压:3.6 V to 5.25 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:35.5 dBm; 工作频率:2.11 GHz to 2.17 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.11-2.17 GHz 0.5W Linear Small PA |
|
MADP-011104-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:500; 产品类型:PIN Diodes; 最大串联电阻（中频最小时）:2.21 Ohms; Ir - 反向电流 :6 nA; 载流子寿命:2 us; 商标:MACOM; 类型:High Power; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:5 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:0.91 V; If - 正向电流:250 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:950 mOhms; 最大二极管电容:0.45 pF; 制造商:MACOM; |
PIN 二极管 Diode,Moat PIN,Shunt,3mmQFN-12LD |
 |
QPB9337TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:19 dBm; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9337EVBP05; 增益:34 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPB9337; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMT-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:500 uA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1.8-3.8 GHz Dual Channel Switch LNA Modu |
 |
QPA4501SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.8 W; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPA4501EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA4501; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:75 mA; 工作电源电压:28 V; 增益:29.9 dB; 工作频率:4.4 GHz to 5 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-36; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 4.4-5.0GHz 3W GaN PA MODULE |
 |
CMD270P3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:523 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA to 80 mA; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:2 V to 5 V; 增益:15.5 dB; 工作频率:4 GHz to 8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 4-8 GHz Low Noise Amplifier |
 |
QPA3250 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:530 mA; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:24 V to 34 V; 增益:23 dB; 工作频率:45 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs GaN; 类型:CATV Power Doubler Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-115J; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 CATV Amp PI325, H34-PD-1218-23-DPD, Com |
 |
CMD204C3 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:631 mW; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.5 dB; 工作频率:10 GHz to 18 GHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz High Isolation SPST Switch |
 |
QPA1022 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPA1022EVB0; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:180 mA; 工作电源电压:22 V; 增益:32 dB; 工作频率:8.5 GHz to 11 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:4 mm x 4 mm x 0.85 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 Derivative PA from QPM1002 - OVM pkg |
|
A3T23H300W23SR6 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:150; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:2300 MHz to 2400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:63 W; 增益:15.6 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 5 V, 65 V; Id-连续漏极电流:3.2 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V |
 |
CMD203C4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:531 mW; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:30 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC DC - 20 GHz SP4T Switch |
 |
QPM1002SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 开发套件:QPM1002EVB1; 增益:25 dB, 33 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 系列:QPM1002; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 工作电源电压:10 V; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作频率:8.5 GHz to 10.5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 QPM1002SR 4.5W X-Band PA/LNA/Switch |
|
CMD274P4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:495 mW; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA to 115 mA; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4 V to 7 V; 增益:17.5 dB; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Phase Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2 - 20 GHz Low Phase Noise Amplifier |
 |
QPM2637 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 开发套件:QPM2637EVB; 增益:23 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-28 SMP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作频率:9 GHz to 10.5 GHz; 类型:Transmitter/Receiver; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 X-band GaN Tx/RX MMIC in ECHL package |
 |
MRFX600HSR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780S-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
 |
MRFX600GSR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX600; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780GS-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:600 W; 增益:26.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:193 V; Id-连续漏极电流:32 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
 |
QPF4001SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4001EVBV1; 增益:17 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5 mm x 4 mm x 1.8 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 95 C; 工作电源电压:20 V; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作频率:26 GHz to 30 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1W 28GHz single channel FEM |
 |
QPA2213 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:13.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:29 dB; 开发套件:QPA2213EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:330 mA; 测试频率:20 GHz; NF—噪声系数:5.3 dB; 工作电源电压:18 V; 增益:21.4 dB; 工作频率:2 GHz to 20 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:4.5 mm x 4.5 mm x 1.74 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-20 GHz 2W Driver in AC-EHS (formerly T |
 |
CMD192C5 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.8 W; 输入返回损失:23 dB; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:5 V to 9.5 V; 增益:21 dB; P1dB - 压缩点:25 dBm; 工作频率:20 GHz; 技术:GaAs; 类型:Distributed Driver Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-20 GHz Distributed Amplifier |
 |
QPA1003P |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:9.8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:650 mA; 工作电源电压:28 V; 增益:31.4 dB; 工作频率:1 GHz to 8 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:5 mm x 6 mm x 1.76 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA1003P, 1-8 GHZ 10W PA - EHS PKG |
 |
QPA1027 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:80 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:QPA1027EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA1027; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:300 mA; 工作电源电压:50 V; 增益:31 dB; 工作频率:2.8 GHz to 3.5 GHz; 技术:GaN; 类型:S-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.8-3.5GHz 60W GaN Power Amplifier |
 |
QPD1018 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:18; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1018EVB; 商标:Qorvo; 工作频率:2.7 GHz to 3.1 GHz; 配置:Single; 封装 / 箱体:17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:522 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:55 V; Id-连续漏极电流:15 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:145 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17.7 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 QPD1018 400W, 50V, 2.7-3.1GHz GaN IMFET |
 |
QPA2308D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:140 W; 输入返回损失:11 dB, 27 dB; 开发套件:QPA2308DEVB02; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; 工作电源电压:28 V; 增益:21 dB, 30.8 dB, 32.3 dB, 30.3 dB; 工作频率:5 GHz to 6 GHz; 技术:GaN; 类型:MMIC Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-6GHz 60W GaN Power Amp |
QQ客服
