| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CC3235MODSM2MOBR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3235; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C, Parallel, SD/MMC, SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 程序存储器类型:ROM; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFM-63; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:32.768 kHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:32 Mbit; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz to 5 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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SKY66407-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 增益:13 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66407; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CSP-9; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:17 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 Low-Profile BLE Range Extender CSP |
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SKY66118-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:13000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:19 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66118; 封装 / 箱体:MCM-18; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:90 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.3 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2.4GHz 100mW BT BLE FEM |
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HMC8192LG |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC8192; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 15 - 45 GHz I/Q Mixer |
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MAX2223ETI+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.13 V; 电源电压-最大:3.47 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:60; 产品类型:Tuners; 工作电源电流:140 mA; 安装风格:SMD/SMT; 增益:64 dB; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX2223; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TQFN-28; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 最小频率:925 MHz; 最大频率:2175 MHz; NF—噪声系数:9 dB; 类型:L-Band Satellite Tuner; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
调谐器 Complete Direct-Conversion L-Band Tuner |
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MAMX-011035-TR0100 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 技术:GaAs; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:0 GHz to 6 GHz; LO频率:5.5 GHz to 19 GHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:5.5 GHz to 19 GHz; 制造商:MACOM; |
射频混合器 5.5 to 19 GHz DBL BAL Mixer |
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ADRV9026-MB/PCBZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Mid Band Freq range (650 MHz - 2.8 GHZ) |
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MRF24G300HSR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF24300; 工作频率:2400 MHz to 2500 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-780H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:307 W; 增益:14.9 dB; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:24.3 mA; 技术:GaN SiC; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V |
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ADL6317ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:208; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 1.5GHz to 3GHz Quad Hybrid, TXVGA |
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MAAM-011238-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:135 mA; OIP3 - 三阶截点:27 dBm; 测试频率:30 GHz; NF—噪声系数:4.7 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:100 kHz to 67.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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SKY5A1007 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKY5A1007EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY5A1007; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:0.4 GHz to 5.9 GHz; 开关配置:DPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC 0.4 to 5.9 GHz DPDT Low Insertion Loss / High-Isolation Switch |
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QN9090HN/001Z |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC QN9090 BLE SoC |
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K32W061Z |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC High Performance and Ultra-Low-Power MCU for Zigbee ,Thread, and Bluetooth LE 5.0 with Built-in NFC option |
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HMC241ATCPZ-EP-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC241; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC EP GaAs MMIC SP4T |
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HMC560ALM3TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:9 dBm, 11.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm, 19.5 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC560G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CE-6-3; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 18 GHz; LO频率:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; NF—噪声系数:10.5 dB, 11.5 dB; 转换损失——最大:15 dB; 射频:22 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 38 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC DBL-BAL mix SMT, 22 GHz to 38 GHz |
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QN9030HN/001Z |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC QN9030 BLE SoC |
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QN9030THN/001Z |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC QN9030T BLE SoC |
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QN9090THN/001Z |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC QN9090T BLE SoC |
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HMC241ATCPZ-EP-PT |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC241; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:0.1 GHz to 4 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC EP GaAs MMIC SP4T |
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ADL6316ACCZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:750; 产品类型:RF Transceiver; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 0.5GHz to 1GHz Quad Hybrid, TXVGA |
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MAMF-011119-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:50 dB; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电流:78 mA; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:35 dB; P1dB - 压缩点:40.5 dB; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:LAN; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 1-6 GHz Switch LNA Module |
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MAMF-011069-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:37 dB; 输入返回损失:13 dB; 开发套件:MAMF-011069-1SMB, MAMF-011069-2SMB; 通道数量:2 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:255 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:2.6 GHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:33 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:1.8 GHz to 3.9 GHz; 技术:Si; 类型:LNA; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 1.8-3.9GHz SWITCH LNA MODULE |
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MAAM-011286-DIE |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:44 GHz; NF—噪声系数:6.8 dB; 工作电源电压:3 V to 8 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 工作频率:30 kHz to 44 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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QM12038SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:4.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:80 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QM12038; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm x 0.57 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:0.85 dB; 工作频率:698 MHz to 2690 MHz; 开关配置:SP8T; 开关数量:Octal; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC |
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EFR32BG22C112F352GM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:38.4 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:352 kB; 传输供电电流:4.4 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, (RTSL), 38.4 MHz, 2.4G, 0dB, PLFRCO, BLE, 352kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
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SKY65728-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 18 dBm; 开发套件:SKY65728-11EK1; 增益:16 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY65728; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-9; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:1.1 V to 2.85 V; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作频率:1164 MHz to 1189 MHz; 类型:GPS; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 GPS LNA Pre-Filter & LNA |
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SKY65725-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:15000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 19 dBm; 开发套件:SKY65725-11EK1; 增益:16.5 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY65725; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-9; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:1.1 V to 2.85 V; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作频率:1559 MHz to 1606 MHz; 类型:GPS; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 Custom GPS LNA shielded |
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EFR32BG22C222F352GM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:352 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, PLFRCO, BLE, 352kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
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EFR32BG22C222F352GM40-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:352 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN40, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, PLFRCO, BLE, 352kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
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EFR32BG22C224F512GM32-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
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SKY16603-632LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:1 W; 恢复时间:1 ns; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 类型:Limiter; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SKY16603; 封装 / 箱体:DFN-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:6 GHz; 最小工作频率:0.6 GHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; If - 正向电流:50 mA; Vr - 反向电压 :20 V; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
PIN 二极管 Anti-parallel PIN Diode Limiter |
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EFR32BG22C224F512GM40-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN40, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
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QPL8832TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8832EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8832; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:3.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 19dB Ga |
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QPL8833TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8833EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8833; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 15dB Ga |
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QPL8831TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8831PCK-01; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8831; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:50 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5 - 1218MHz 17dB Push-Pull Linear CATV A |
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QPL8834TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18 dB; 开发套件:QPL8834EVB00; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL8834; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 测试频率:5 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:24 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-1218MHz High Linearity RF Amp, 12dB Ga |
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EZR32LG230F64R63G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:64 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 64KB |
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EZR32LG230F128R63G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 128KB |
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EZR32LG230F256R60G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32LG230F256R61G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32LG230F256R63G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32LG230F256R68G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32LG330F256R63G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless USB Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32WG230F256R63G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32WG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:41 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32WG230; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32WG330F256R68G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32WG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32WG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 bit; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless Gecko SoC MCU 256KB |
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QPB0066SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:24 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:250 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:42 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:5 MHz to 500 MHz; 技术:Si; 类型:Digital Controlled Variable Gain; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5-500MHz Amplifier |
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QPA9424TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPA9424EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:455 mA; 测试频率:2.35 GHz; 工作电源电压:3.6 V to 5.25 V; 增益:35.8 dB; P1dB - 压缩点:35.4 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 2.4 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity 3-Stage Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-2.4 GHz 0.5W PA |
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RLM-33H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:30 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:6.35 mm x 7.87 mm x 4.06 mm; 工作频率:30 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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RLM-512-4WL+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:512 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Limiter; 技术:Si; 系列:RLM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:12.7 mm x 12.7 mm x 4.57 mm; 工作频率:50 MHz to 512 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 LIMITER / SURF MOUNT / RoHS |
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QPA2610 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:8.8 W; 输入返回损失:19 dB; 开发套件:QPA2610EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2610; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:56 mA; 工作电源电压:20 V; 增益:38.5 dB; 工作频率:8.5 GHz to 10.5 GHz; 技术:GaN; 类型:2 W X-Band Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 8.5-10.5 GHz 2W |
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