| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CMD163C4 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:600 mW; 输入返回损失:8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA to 150 mA; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:2 V to 4.25 V; 增益:23 dB; 工作频率:17 GHz to 27 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 17 - 27 GHz 3 Stage LNA Die |
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ZX60-P103LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:95 mA; OIP3 - 三阶截点:44.3 dBm; 测试频率:3000 MHz; NF—噪声系数:1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:6.9 dB; P1dB - 压缩点:23.8 dBm; 工作频率:50 MHz to 3000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-P105LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:63 mA; OIP3 - 三阶截点:33.2 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.1 dB; P1dB - 压缩点:19.4 dBm; 工作频率:40 MHz to 2600 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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QPD1004SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1004EVB1; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Qorvo; 系列:QPD1004; 工作频率:30 MHz to 1200 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:27.6 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:55 V; 输出功率:40 W; Id-连续漏极电流:3.6 A; Vgs-栅源极击穿电压 :145 V; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:20.8 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN |
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ZX60-3018G-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 隔离分贝:2 dB to 6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:34 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:18.8 dB; P1dB - 压缩点:12.8 dBm; 工作频率:20 MHz to 3 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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ZX60-P162LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:52 mA; OIP3 - 三阶截点:29.6 dBm; 测试频率:1.6 GHz; NF—噪声系数:0.74 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:18.5 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:0.7 GHz to 1.6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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TGA3042-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.5 W; 输入返回损失:12 dB at 10.5 GHz; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:20 V; 增益:32 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:7 GHz to 10.5 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:GaN Power Amplifier; 封装 / 箱体:4.5 mm x 4.5 mm x 1.74 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 7-10.5GHz 4.5W GaN SSG 32dB |
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ZX60-33LNR-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.4 W; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:3000 MHz; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:11.4 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:50 MH to 3000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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QPC2108 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:Phase Detectors / Shifters; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-28; 技术:GaAs; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:2.5 GHz; 最大输入频率:4 GHz; 类型:Phase Shifter; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
相位探测器 / 移相器 QPC2108, 2.5 to 4 GHz 6-bit Phase Shift |
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QPD1015L |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1015LPCB401; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:3.7 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:NI-360; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:64 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:70 W; Id-连续漏极电流:2.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :145 V; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:20 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN |
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QPD1015 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1015PCB401; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:3.7 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:NI-360; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:64 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:70 W; Id-连续漏极电流:2.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :145 V; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:20 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN |
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ZX60-3011+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.12 W; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:120 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 测试频率:2400 MHz to 3000 MHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:10 dB; P1dB - 压缩点:20.4 dBm; 工作频率:400 MHz to 3000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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HMC6301BG46 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Receiver; NF—噪声系数:6 dBm; 增益:67 dB; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC6301; 带宽:1.8 GHz; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:WLBGA-75; 工作频率:57 GHz to 64 GHz; 类型:Receiver; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频接收器 V-Band eWLB pkg Receiver |
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QPF4006SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPF4006EVB03; 增益:18 dB, 23 dB; 商标:Qorvo; 技术:GaN SiC; 系列:QPF4006; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:4.5 mm x 4 mm x 1.8 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 95 C; 工作电源电压:20 V; NF—噪声系数:4.2 dB; 工作频率:37 GHz to 40.5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 Single Channel 39GHz FEM for 5G |
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TGA4549-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:45 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:9 dB; 开发套件:TGA4549-SM EVB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:300 mA; 工作电源电压:28 V; 增益:22 dB; 工作频率:21.2 GHz to 23.6 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:5 mm x 5.5 mm x 1.7 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 TGA4549-SM 21.2-23.6 GHz 40dBM PA |
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ZX60-83LN-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.95 W; 输入返回损失:6.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:77 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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QPD1008 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1008PCB401; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:3.2 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:NI-360; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:127 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:162 W; Id-连续漏极电流:4 A; Vgs-栅源极击穿电压 :145 V; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17.5 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN |
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QPD1008L |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:25; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1008LPCB401; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:3.2 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:NI-360; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:127 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:162 W; Id-连续漏极电流:4 A; Vgs-栅源极击穿电压 :145 V; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:17.5 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN |
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QPA1010 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:20; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:38 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:11 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:24 V; 增益:26 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:7.9 GHz to 11 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 7.9-11GHz 15W GaN |
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MMRF5017HSR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:154 W; 通道数量:1 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MMRF5017HS; 工作频率:30 MHz to 2200 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-400S-2; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 输出功率:125 W; Vds-漏源极击穿电压:125 V; Id-连续漏极电流:200 mA; 技术:GaN SiC; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz |
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MRF13750HR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:1.333 kW; 通道数量:2 Channel; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRF13750H; 工作频率:700 MHz to 1300 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:NI-1230H-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:750 W; 增益:20.5 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 105 V; Id-连续漏极电流:2.8 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W |
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ZX60-14012L-S+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:4.5 dB to 8.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:62 mA; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:11 dB; 工作频率:0.3 MHz to 1400 MHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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MAMF-011015 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 技术:Si; 制造商:MACOM; |
RF 开关 IC |
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QPA1011 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:70 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:11 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:24 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:7.9 GHz to 11 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 7.9-11GHz 25W GaN |
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TGA2214-CP |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4 W; 输入返回损失:> 8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:22 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:2 GHz to 18 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Wideband Power Amplifier; 封装 / 箱体:15.2 mm x 15.2 mm x 3.5 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2-18GHz 4W GaN SSG > 22dB |
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HMC939A-SX |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:7 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 容差:1 dB; 系列:HMC939; 功率额定值:453 mW; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:Die; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 attenuator-Sample Pack |
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AD6684BCPZ-500 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:0.975 V; 电源电压-最大:2.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:168; 产品类型:RF Receiver; 工作电源电流:319 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:AD6684-500EBZ; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD6684; 带宽:135 MHz; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LFCSP-72; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:135 MHz; 类型:IF Receivers; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频接收器 135 MHz BW Quad reciever |
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TGF2942 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; NF—噪声系数:1.2 dB; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Qorvo; 系列:TGF; 工作频率:DC to 25 GHz; 配置:Single; 应用:Defense and Aerospace, Broadband Wireless; 封装:Gel Pack; 封装 / 箱体:DIE; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:2.9 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:2.4 W; Id-连续漏极电流:170 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :-; Vds-漏源极击穿电压:-; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN |
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ADRF5132BCPZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:1.1 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.3 V to 5 V; 开发套件:ADRF5132-EVALZ; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5132; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:45 dB, 50 dB; 介入损耗:0.5 dB, 0.6 dB, 0.65 dB, 0.9 dB; 工作频率:0.7 GHz to 5 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High Pwr ,20W Peak SPDT,Reflective Swich |
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SLRC61003HNE |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:SLRC610; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 NTAG<sup> </sup>5 and ICODE<sup> </sup> frontend |
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CC1350F128RGZT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1350; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1350STK; 输入/输出端数量:30 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1350; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:16 bit; 工作频率:Sub-GHz, 2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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HMC8410CHIPS |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC8410; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Die Sales |
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ST25DV64K-IER8S3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:X-NUCLEO-NFC04A1; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 功能:Energy Harvesting, Data Protection, Fast Transfer Mode, RF Management; 封装 / 箱体:SON-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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QPA5263ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:18.5 dB; 输入返回损失:15.6 dB; 开发套件:QPA5263APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:29.1 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:12.4 dB; P1dB - 压缩点:15.1 dBm; 工作频率:0 Hz to 4500 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-4.5GHz Gn 12.5dB NF 4.4dB |
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EFR32MG12P132F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN48 2.4 G 10 dB mesh multi-protocol 1024 kB 128 kB (RAM) 31GPIO |
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HMC906A |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:13.18 W; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:HMC906; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:1.2 A; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 工作电源电压:6 V; 增益:26.5 dB; P1dB - 压缩点:33.5 dBm; 工作频率:27.3 GHz to 33.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 27-34GHz 2W POWER AMPLIFIER |
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SKY68001-31 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY68001-31EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY68001; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:2.85 V to 3.3 V; 工作频率:699 MHz to 915 MHz, 1710 MHz to 1910 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 LTE Multi Band FEM |
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EFR32FG12P431F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10.8 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO SoC |
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HMC547ALC3TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC547; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC hi Isolation SPDT Switch |
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MAAM-011251-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:19 dB; 输入返回损失:19 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:95 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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GC4701-6LP |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 载流子寿命:10 ns; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:Limiter PIN Diode; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GC4701; 封装 / 箱体:QFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:15 GHz; 最小工作频率:DC; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:1.2 V; If - 正向电流:10 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:1.5 Ohms; 最大二极管电容:0.35 pF; Vr - 反向电压 :20 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 0.1-15GHz Limiter PIN DIODE Element |
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CC3120RNMARGKR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3120R; 定时器数量:-; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:-; 接口类型:SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3120; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:No ADC; 最大时钟频率:40 MHz; 数据 RAM 大小:-; 程序存储器大小:-; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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EFR32MG12P433F1024GL125-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:65 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-125; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 dual 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO |
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NCV-RSL10-101Q48-AVG |
ON Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:76 kB, 88 kB; 商标:ON Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:RSL10; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:384 kB; 传输供电电流:17.4 mA; 接收供电电流:3.4 mA; 工作电源电压:1.1 V to 3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:3 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC RSL10 RadioSoC Ultra Low Power BLE5 |
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EFR32BG12P432F1024GM48-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO |
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HMC1019ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:6.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC1019A; 功率额定值:27 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:0.5 dB; 最大 VSWR:-; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:30 GHz; 最大衰减:31 dB; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.5 dB LSB 5-Bit dig atten , 0.1-30 GHz |
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ST25TA02KB-DC6H5 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:CLOUD-ST25TA; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25TA02KB-D; 功能:Digital Output, Product Identification and Protection; 封装 / 箱体:UFDFPN-5; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:2 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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ST25R3912-AWLT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25R3912; 封装 / 箱体:WLCSP-30; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:13.56 MHz, 27.12 MHz; 存储容量:6 Mbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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EFR32FG1P131F256GM32-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:110 MHz to 956 MHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 Sub-GHz 256 kB flash 32 kB RAM 16 GPIO |
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HMC558ALC3BTR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Mixer; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC558; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Double Balance Mixer 5-15GHz |
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