| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
LHA-23LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:36.9 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LHA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:146 mA; OIP3 - 三阶截点:34.6 dBm; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:19.6 dB; P1dB - 压缩点:23 dBm; 工作频率:30 MHz to 2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER SURFACE MOUNT |
 |
PHA-23LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:27.2 dB; 输入返回损失:8.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:141.7 mA; OIP3 - 三阶截点:35.6 dBm; 测试频率:2000 MHz; NF—噪声系数:1.6 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:18.9 dB; P1dB - 压缩点:23.3 dBm; 工作频率:30 MHz to 2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT |
|
LHA-13HLN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:26 dB; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LHA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:239 mA; OIP3 - 三阶截点:40.2 dBm; 测试频率:1000 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:8 V; 增益:20.3 dB; P1dB - 压缩点:26.1 dBm; 工作频率:1 MHz to 1 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER SURFACE MOUNT |
 |
TSS-183A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.98 W; 隔离分贝:36 dB; 输入返回损失:8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TSS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:145 mA; OIP3 - 三阶截点:27.4 dBm; 测试频率:18 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:13.1 dB; P1dB - 压缩点:17.9 dBm; 工作频率:5 GHz to 18 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Monolithic Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER WITH BYPASS |
 |
CYW20732I |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:14 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.4 V to 3.6 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:24 MHz; 数据 RAM 大小:60 kB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
 |
EFR32MG12P432F1024GL125-C |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:65 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-125; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC BGA125 2.4 G 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO |
|
LHA-23HLN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:27.2 dB; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LHA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:244 mA; OIP3 - 三阶截点:45.2 dBm; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:8 V; 增益:20.2 dB; P1dB - 压缩点:27.9 dBm; 工作频率:30 MHz to 2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER SURFACE MOUNT |
|
PHA-23HLN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:27.5 dB; 输入返回损失:9.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:235 mA; OIP3 - 三阶截点:42.5 dBm; 测试频率:2000 MHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:8 V; 增益:19.5 dB; P1dB - 压缩点:27.8 dBm; 工作频率:30 MHz to 2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT |
 |
SIM-73L+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:9 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3000 MHz; LO频率:2400 MHz to 7000 MHz; 转换损失——最大:8.5 dB; 射频:2400 MHz to 7000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
 |
VSW2-33-10W+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:42 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5.2 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:VSW2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 0.89 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.6 dB; 工作频率:50 MHz to 3000 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SWITCH & DRIVER / SM / RoHS |
 |
CC3220SF12ARGKT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3220x; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3220; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:1 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU Single-Chip Wireless MCU |
|
SIM-762H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3000 MHz; LO频率:2300 MHz to 7600 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:2300 MHz to 7600 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
|
SIM-722MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3000 MHz; LO频率:2300 MHz to 7200 MHz; 转换损失——最大:9.3 dB; 射频:2300 MHz to 7200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
 |
SYM-25DLHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:40 MHz to 2500 MHz; 转换损失——最大:8.8 dB; 射频:40 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
 |
ADE-17H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:50 MHz to 1500 MHz; LO频率:100 MHz to 1700 MHz; 转换损失——最大:9.5 dB; 射频:100 MHz to 1700 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
|
ADE-30W+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:12 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 950 MHz; LO频率:300 MHz to 4000 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:300 MHz to 4000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
|
ADE-35MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 2500 MHz; LO频率:5 MHz to 3500 MHz; 转换损失——最大:10.5 dB; 射频:5 MHz to 3500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
 |
KAT-3+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:3 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:4 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 3 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
 |
HMC425ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V to 5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:2.2 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:4.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC425; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:8 GHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:LFCSP-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
 |
ST25RU3993-BQFT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25RU3993; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:250 kHz to 320 kHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
 |
MRF300BN |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 系列:MRF300; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V |
 |
HMC554ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:150 mW; P1dB - 压缩点:11 dBm; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC554A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 6 GHz; LO频率:11 GHz to 20 GHz; NF—噪声系数:8 dB; 转换损失——最大:11 dB; 射频:11 GHz to 20 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixers |
 |
HMC292ALC3B |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:460 mW; P1dB - 压缩点:14 dBm; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC292ALC3B; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC292; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LLC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 8 GHz; LO频率:14 GHz to 32 GHz; NF—噪声系数:14 dB; 转换损失——最大:12.5 dB; 射频:14 GHz to 32 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixers |
 |
HMC547ALC3 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:- 5 V to - 7 V; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC547; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:36 dB; 介入损耗:2.5 dB; 工作频率:DC to 20 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
 |
HMC8500PM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:20.6 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:9 dB; 开发套件:EV1HMC8500PM5; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC8500; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:47 dBm; 测试频率:1.3 GHz to 2.8 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:28 V; 增益:15 dB; 工作频率:0.01 GHz to 2.8 GHz; 技术:GaN; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA |
 |
HMC1018ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC1018A; 功率额定值:25 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:30 GHz; 最大衰减:31 dB; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
 |
ST25DV64K-IER6S3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
|
MAAV-011013-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:30 V; 最小频率:5 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3 dB; 商标:MACOM; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:MAAV-011013; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:45 GHz; 最大衰减:39 dB; 封装 / 箱体:PQFN-16; 制造商:MACOM; |
衰减器 5-45GHz IL 1.5dB Atten. >30dB |
 |
LMX2491RTWR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:55 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:LMX2491; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 最小输入频率:500 MHz; 最大输入频率:6.4 GHz; 电路数量:1; 类型:PLL; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
锁相环 - PLL |
 |
HMC629ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3 V/5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3.75 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC629; 功率额定值:28 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:3 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:4 bit; 最大频率:10 GHz; 最大衰减:45 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
 |
HMC625BLP5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.546 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC625; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2.5 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:3 GHz to 5 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:13 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:0 Hz to 5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Digital Variable Gain; 封装 / 箱体:SMT-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Digital VGA |
 |
SKY13585-679LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:5 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.6 V to 3.6 V; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13585; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MLPD-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 关闭隔离—典型值:38 dB; 介入损耗:0.5 dB; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC SPDT SOI WIFI SWITCH |
 |
SKY65723-81 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 14.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 8 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:65723-81-EVB; 增益:16.8 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY65723; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:4.2 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作频率:1559 MHz to 1606 MHz; 类型:GPS; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 GPS/GNSS/BDS Pre-Filter |
|
nRF52811-QCAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, TWI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal |
 |
STKNX |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2940; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:32 V; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:STKNX; 封装 / 箱体:VFQFPN-24; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:32 V; 电源电压-最小:20 V; 最大数据速率:9600 b/s; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频收发器 INDUSTRIAL & POWER CONVERSION |
|
nRF52832-QFAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:5 x 32 bit Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2 Wire, I2C, I2S, PDM, PPI, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:64 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF52832; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:5.3 mA; 接收供电电流:5.4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Multiprotocol Bluetooth Smart/ANT/2.4GHz SoC |
 |
ADL5904ACPZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF Detector; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:ADL5904-EVALZ; 商标:Analog Devices; 系列:ADL5904; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 技术:Si; 最大二极管电容:100 pF; 工作电源电压:3.3 V; 配置:Single; 动态范围 dB:45 dB; 频率范围:DC to 6 GHz; 类型:RF Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 RMS TruPwr Detectors |
 |
ADRF5040BCPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:20 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.9 V; 开发套件:ADRF5040-EVALZ; 运行时间—最大值:3.5 us; 空闲时间—最大值:3.5 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5040; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:20 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:9 kHz to 12 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation, SP4T, 9kHz - 12GHz |
 |
HMC952ALP5GE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:10 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:24 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC952; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:1.4 A; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:13 GHz to 14 GHz; 工作电源电压:6 V; 增益:30.5 dB; P1dB - 压缩点:34 dBm; 工作频率:8 GHz to 14 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier With Power Detector; 封装 / 箱体:5.1 mm x 5.1 mm x 1 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 9-13.3GHz 2W POWER AMPLIFIER |
|
HMC347ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 55 C; 高控制电压:- 5 V; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:10 ns; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC347; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:40 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:DC to 14 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Switches |
 |
HMC812ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:5 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:MMIC Voltage Variable Attenuator; 系列:HMC812A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:30 GHz; 最大衰减:35 dB; 封装 / 箱体:SMT-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Voltage Variable (RFH-CTL-ATTN) |
|
HMC939ALP4E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:8 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC939; 功率额定值:25 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:33 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:QFN-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 attenuator |
|
HMC5805ALS6 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.89 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:11 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC5805; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:175 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:30 GHz to 40 GHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:23 dBm; 工作频率:0 Hz to 40 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 01-40GHz DISTRIBUTED AMPLIFIER |
 |
HMC637BPM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:EV1HMC637BPM5; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC637; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:345 mA; OIP3 - 三阶截点:39 dBm; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:0 Hz to 7.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Distributed amp |
 |
ST25DV64K-JFR6D3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
 |
DA14585-00000AT2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:16 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:96 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:DA14585; 程序存储器类型:OTP, ROM; 长度:5 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:64 kB, 128 kB; 传输供电电流:3.4 mA; 接收供电电流:3.7 mA; 工作电源电压:900 mV to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:0 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BT5.0 QFN40 SoC |
|
HMC943APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:10.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:EV1HMC943APM5; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC943A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.3 A; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:29 GHz to 34 GHz; 工作电源电压:5.5 V; 增益:23 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:24 GHz to 34 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 28-31.5GHz 2W POWER AMPLIFER |
 |
CY8C4248LQI-BL553 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:PSoC 4; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:24 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:36 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4248; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-56; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.71 V to 5.5 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
 |
QPD1000 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1000PCB401, QPD1000PCB402; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 工作频率:30 MHz to 1.215 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-8; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:28.8 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:24 W; Id-连续漏极电流:817 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :100 V; Vds-漏源极击穿电压:28 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:19 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN |
 |
ADMV1009AEZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:1.3 W; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:ADMV1009; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:16.5 dB; P1dB - 压缩点:26 dBm; 增益:21 dB; LO频率:9 GHz to 12.6 GHz; 中频:2.8 GHz to 4 GHz; 射频:12.7 GHz to 15.4 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 13/15GHz GaAs UpConverter |
QQ客服
