| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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PHA-22+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1000 mW; 输入返回损失:11.7 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:146 mA; OIP3 - 三阶截点:42.9 dBm; 测试频率:1.5 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.4 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 1.5 GHz; 技术:Si; 类型:Dual Matched Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ADE-1HW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 750 MHz; LO频率:5 MHz to 750 MHz; 转换损失——最大:8.8 dB; 射频:5 MHz to 750 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ADE-12MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1200 MHz; LO频率:10 MHz to 1200 MHz; 转换损失——最大:8.5 dB; 射频:10 MHz to 1200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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HMC470ALP3ETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:DC; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC470A; 功率额定值:27 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:3 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Digital Attenuator |
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A2T27S007NT1 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:NXP Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V |
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EFR32FG12P432F1024GL125-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:65 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-125; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:126.7 mA; 接收供电电流:10.8 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.2 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 2.4G 19 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC |
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ADE-30+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:14 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:200 MHz to 3000 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:200 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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RF2317TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:180 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:4.9 dB; 工作电源电压:9 V to 12 V; 增益:14.3 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs; 类型:Linear; 封装 / 箱体:CJ2BATO; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-3GHz SSG 15dB NF 4.8dB |
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KAT-30+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:30 dB; 最大 VSWR:1.7:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:34.7 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 30 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-12+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:12 dB; 最大 VSWR:1.8:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:13 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 12 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:1.8 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 1 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-10+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.7 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:10 dB; 最大 VSWR:1.8:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:11 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 10 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-6+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.6 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:6 dB; 最大 VSWR:1.7:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:7 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 6 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-8+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.2 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:8 dB; 最大 VSWR:1.7:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:9 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 8 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-7+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.3 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:7 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:8 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 7 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-15+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:15 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:16 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 15 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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PMA2-123LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:9.8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; OIP3 - 三阶截点:26.3 dBm; 测试频率:12 GHz; NF—噪声系数:3.1 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:15.3 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 12 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC WIDEBAND LOW NOISE AMP |
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SYM-30DLHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:19 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 1500 MHz; LO频率:5 MHz to 3000 MHz; 转换损失——最大:9.2 dB; 射频:5 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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RSW-2-25PA+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:5 V; 电源电压-最大:7 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:30 uA; 最小工作温度:- 55 C; 高控制电压:7 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:RSW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:33 dB; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:DC to 2500 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SWITCH / SURF MOUNT / RoHS |
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SYM-25DMHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:40 MHz to 2500 MHz; 转换损失——最大:9 dB; 射频:40 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-2500+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:12 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:1 MHz to 2500 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:1 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SIM-153MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:14 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4000 MHz; LO频率:3200 MHz to 15000 MHz; 转换损失——最大:9.6 dB; 射频:3200 MHz to 15000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-18H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:10 MHz to 1500 MHz; LO频率:5 MHz to 1800 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:5 MHz to 1800 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-14H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:10 MHz to 1000 MHz; LO频率:100 MHz to 1370 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:100 MHz to 1370 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-63LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:14 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:1 MHz to 6000 MHz; 转换损失——最大:10.8 dB; 射频:1 MHz to 6000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ADE-42MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 3500 MHz; LO频率:5 MHz to 4200 MHz; 转换损失——最大:11.8 dB; 射频:5 MHz to 4200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-30DMHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 1500 MHz; LO频率:5 MHz to 3000 MHz; 转换损失——最大:9.3 dB; 射频:5 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-30DHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:29 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 1500 MHz; LO频率:5 MHz to 3000 MHz; 转换损失——最大:9.1 dB; 射频:5 MHz to 3000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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QPA3333TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:450 mA; 测试频率:1218 MHz; NF—噪声系数:4.6 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:27.8 dB; 工作频率:45 MHz to 1218 MHz; 技术:GaAs GaN; 类型:Power Doubler; 封装 / 箱体:11 mm x 8.5 mm x 1.375 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 CATV AMP, MCM, QPA3333, 1000pcs |
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UMX9989AP |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 UM9989 (RoHS AP) |
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AVA-24A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:860 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:120 mA; OIP3 - 三阶截点:21.4 dBm; NF—噪声系数:6.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.1 dB; P1dB - 压缩点:18.6 dBm; 工作频率:5 GHz to 20 GHz; 技术:Si; 类型:Monolithic Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
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QPA1008 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.2 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:16 dB; 开发套件:QPA1008EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 频率范围:2.7 GHz to 3.8 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:400 mA; OIP3 - 三阶截点:42 dBm; 工作电源电压:6 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:30.8 dBm; 工作频率:3.3 GHz; 技术:Si; 类型:2-Stage Variable Gain Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.7-3.8GHz SSG 28dB P1dB 31dBm |
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QPB9324SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 15.4 dBm,; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9324EVB; 增益:33.8 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPB93; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMD-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:240 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作频率:3.4 GHz to 3.6 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 3.4-3.6GHz Switch LNA Module |
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QPD0030 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作频率:DC to 4 GHz; 配置:Single; 应用:Microcell Base Station, W-CDMA / LTE; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:45 W; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:45 W; Id-连续漏极电流:-; Vgs-栅源极击穿电压 :-; Vds-漏源极击穿电压:-; 增益:21.7 dB; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V |
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HSW2-272VHDR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; Pd-功率耗散:28.2 W; 工作电源电流:130 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.6 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:GaAs; 系列:HSW2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.7 dB; 工作频率:30 MHz to 2700 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SW SPDT DRVR REFL 2.7GHZ MSL3 |
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ADMV1011AEZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:ADMV1011; 封装 / 箱体:LCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:16 dB; P1dB - 压缩点:22 dBm; 增益:21 dB; LO频率:8 GHz to 12 GHz; 中频:2 GHz to 4 GHz; 射频:17 GHz to 24 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 18/23GHz GaAs Up Converter |
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ZX60-V62+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18.6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:22.5 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:5.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14.4 dB; P1dB - 压缩点:11.6 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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TGA4544-SM |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:200; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:8 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.1 A; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:6 V; 增益:23 dB; P1dB - 压缩点:31 dBm; 工作频率:26 GHz to 31 GHz; 技术:Si; 类型:Ka-Band Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-26; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 26-31GHz 1 Watt Gain 23dB |
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AVA-183A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:980 mW; 输入返回损失:7.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:131 mA; OIP3 - 三阶截点:24.4 dBm; 测试频率:18 GHz; NF—噪声系数:6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12.4 dB; P1dB - 压缩点:18.7 dBm; 工作频率:5 GHz to 18 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Monolithic Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
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SIM-43MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1500 MHz; LO频率:824 MHz to 4200 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:824 MHz to 4200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SIM-43+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:12 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1500 MHz; LO频率:750 MHz to 4200 MHz; 转换损失——最大:8.1 dB; 射频:750 MHz to 4200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SIM-43LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:15 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1500 MHz; LO频率:824 MHz to 4200 MHz; 转换损失——最大:8.2 dB; 射频:824 MHz to 4200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ADE-25MH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 1500 MHz; LO频率:5 MHz to 2500 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:5 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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kat-0+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:Attenuators; 商标:Mini-Circuits; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 |
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PMA3-83LNW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.95 W; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:75 mA; OIP3 - 三阶截点:29 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:18.1 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER RoHS |
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CC3220SM2ARGKT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC3220x; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:27 I/O; 接口类型:I2C; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3220; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU Single-Chip Wireless MCU |
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EFR32BG12P432F1024GL125-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:65 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32BG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-125; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO |
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SIM-83+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:10 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3000 MHz; LO频率:2300 MHz to 8000 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:2300 MHz to 8000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SIM-83LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:11 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3000 MHz; LO频率:1700 MHz to 8000 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:1700 MHz to 8000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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PHA-13HLN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.3 W; 隔离分贝:26.3 dB; 输入返回损失:10.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:234.1 mA; OIP3 - 三阶截点:42.2 dBm; 测试频率:1000 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:8 V; 增益:20.4 dB; P1dB - 压缩点:27.4 dBm; 工作频率:1 MHz to 1 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT |
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