类目:
无线和射频半导体
展开
器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
QPA1003D 无线和射频半导体 QPA1003D Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:30 W; 输入返回损失:14.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Gel Pack; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:650 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:28 V; 增益:31 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:1 GHz to 8 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 1-8GHz 10 Watt GaN
TGA3042 无线和射频半导体 TGA3042 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:4.5 W; 输入返回损失:320 C; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Gel Pack; 工作电源电流:200 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:20 V; 增益:31 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:7 GHz to 10.5 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:GaN Power Amplifier; 封装 / 箱体:2.75 mm x 1.4 mm x 0.1 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 7-10.5GHz 4.5W GaN SSG 32dB
ADMV7810CHIPS 无线和射频半导体 ADMV7810CHIPS Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Waffle; 系列:ADMV7810; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:800 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 工作电源电压:4 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:81 GHz to 86 GHz; 技术:GaAs; 类型:E-Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 High Band PA Die
QPA1010D 无线和射频半导体 QPA1010D Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:20; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:38 W; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Gel Pack; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:600 mA; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:11 GHz; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:24 V; 增益:26 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:7.9 GHz to 11 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 7.9-11GHz 15W GaN
ST25DV04K-IER6S3 无线和射频半导体 ST25DV04K-IER6S3 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV04K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RFID应答器 MEMORY
ST25DV04K-IER6T3 无线和射频半导体 ST25DV04K-IER6T3 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV04K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RFID应答器 MEMORY
ESP8266EX 无线和射频半导体 ESP8266EX Espressif 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:160 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:ADC, GPIO, I2C, I2S, SDIO, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:50 kB; 商标:Espressif Systems; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:ESP8266; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:170 mA; 接收供电电流:56 mA; 工作电源电压:2.5 V to 3.6 V; 灵敏度:- 72 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:72.2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz to 2.5 GHz; 核心:L106; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; RF片上系统 - SoC SMD IC ESP8266EX, QFN32-pin, 5*5mm
ESP32-D0WD 无线和射频半导体 ESP32-D0WD Espressif 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:2 Timer; ADC通道数量:18 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:240 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, I2S, SDIO, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:16 kB, 520 kB; 商标:Espressif Systems; 技术:Si; 系列:ESP32; 程序存储器类型:ROM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:448 kB; 传输供电电流:240 mA; 接收供电电流:95 mA to 100 mA; 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:150 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:LX6; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; RF片上系统 - SoC SMD IC ESP32-D0WD, Dual Core MCU, WiFi & Bluetooth Combo, QFN48-pin, 5*5mm
ESP32-D0WDQ6 无线和射频半导体 ESP32-D0WDQ6 Espressif 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:2 Timer; ADC通道数量:18 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:240 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, I2S, SDIO, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:16 kB, 520 kB; 商标:Espressif Systems; 技术:Si; 系列:ESP32; 程序存储器类型:ROM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:448 kB; 传输供电电流:240 mA; 接收供电电流:95 mA to 100 mA; 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:150 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:LX6; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Espressif; RF片上系统 - SoC SMD IC ESP32-D0WDQ6, Dual Core MCU, WiFi & Bluetooth Combo, QFN48-pin, 6*6mm
BLUENRG-132 无线和射频半导体 BLUENRG-132 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:2 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:16 MHz/32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:15 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:STMicroelectronics; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:BLUENRG-1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 程序存储器大小:160 kB; 传输供电电流:15.1 mA; 接收供电电流:7.7 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 88 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4835 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RF片上系统 - SoC LOW POWER RF
nRF52810-QCAA-R7 无线和射频半导体 nRF52810-QCAA-R7 Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 32 pin 6x6
BLUENRG-248 无线和射频半导体 BLUENRG-248 STMicroelectronics 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:1 Timer; ADC通道数量:7 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:STMicroelectronics; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:BLUENRG-2; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:15.1 mA; 接收供电电流:7.7 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 88 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; RF片上系统 - SoC LOW POWER RF
nRF52811-QFAA-R 无线和射频半导体 nRF52811-QFAA-R Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, UART, TWI; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:4.6 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal
CC2640R2FRHBR 无线和射频半导体 CC2640R2FRHBR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:15 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU
ESP32-PICO-D4 无线和射频半导体 ESP32-PICO-D4 Espressif 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:10 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, JTAG, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:520 kB; 商标:Espressif Systems; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:ESP32; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.94 mm; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:4 MB; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:150 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz to 2.5 GHz; 核心:LX6; 类型:Bluetooth; 制造商:Espressif; RF片上系统 - SoC SIP module ESP32 with 4MByte Flash, Dual Core MCU, Wi-Fi & Bluetooth Combo, LGA48-pin, 7*7mm
CC2640R2FRGZR 无线和射频半导体 CC2640R2FRGZR Texas Instruments 无线和射频半导体 商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 射频微控制器 - MCU
MFRC63003HNE 无线和射频半导体 MFRC63003HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Front End; 技术:Si; 系列:MFRC63003; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 MIFARE®/NTAG frontend
nRF52840-QIAA-R7 无线和射频半导体 nRF52840-QIAA-R7 Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:800; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52840-DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:48 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:nRF52840; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装 / 箱体:AQFN-73; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:4.8 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC BLE ANT 2.4GHz SOC
nRF52840-QIAA-T 无线和射频半导体 nRF52840-QIAA-T Nordic Semiconductor 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52840-DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:48 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:nRF52840; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装 / 箱体:AQFN-73; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:4.8 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; RF片上系统 - SoC BLE ANT 2.4GHz SOC
PN7150B0HN/C11002E 无线和射频半导体 PN7150B0HN/C11002E NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN7150; 产品:NFC Controllers; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-40; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:52 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 High performance NFC controller, supporting all NFC Forum modes, with integrated firmware and NCI interface.
SX1280IMLTRT 无线和射频半导体 SX1280IMLTRT Semtech 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 技术:Si; 系列:SX1280/SX1281; 灵敏度:- 132 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 接口类型:SPI, UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:12.5 dBm; 传输供电电流:24 mA; 接收供电电流:8.2 mA; 电源电压-最大:3.7 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:GFSK; 最大数据速率:1.3 Mb/s; 频率范围:2400 MHz to 2500 MHz; 类型:ISM; RoHS:Y; 制造商:Semtech; 射频收发器 Long range 2.4 GHz Wireless Transceiver
CLRC66303HNE 无线和射频半导体 CLRC66303HNE NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:CLRC66303; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 CL READER IC'S
PN5180A0HN/C3Y 无线和射频半导体 PN5180A0HN/C3Y NXP 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:PN5180A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最小工作温度:- 30 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:NXP; RFID应答器 High-performance multi-protocol full NFC Forum-compliant frontend
TMS3705DDRQ1 无线和射频半导体 TMS3705DDRQ1 Texas Instruments 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:TMS3705; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; RFID应答器 LF Reader IC 16-SOIC -40 to 85
SX1261IMLTRT 无线和射频半导体 SX1261IMLTRT Semtech 无线和射频半导体 商标名:LoRa; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 技术:Si; 系列:SX126x; 灵敏度:- 125 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:15 dBm; 传输供电电流:25.5 mA; 接收供电电流:8 mA; 电源电压-最大:3.7 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:2-FSK, FSK, GFSK, LoRa; 最大数据速率:300 kb/s; 频率范围:150 MHz to 960 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:Semtech; 射频收发器 LoRa, Low Power sub- GHz 射频收发器
HMC589AST89E 无线和射频半导体 HMC589AST89E Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC589A; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频放大器 MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHzFor
HMC220BMS8GE 无线和射频半导体 HMC220BMS8GE Analog Devices Inc. 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:HMC220; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; 射频混合器 5-12 GHz DBL-BAL Mixer
MAAM-011206-TR3000 无线和射频半导体 MAAM-011206-TR3000 MACOM 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:MAAM-011206-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:72 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:1 GHz, 6 GHz, 12 GHz, 15 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:13.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:0 Hz to 15 GHz; 技术:GaAs; 类型:Broadband Darlington Amplifier; 封装 / 箱体:TDFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; 射频放大器 DC-15GHz NF 4.5dB Gain 13.5dB GaAs
EFR32MG14P733F256GM48-B 无线和射频半导体 EFR32MG14P733F256GM48-B Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG14P; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA, 35.3 mA; 接收供电电流:8.4 mA, 8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 输出功率:19 dBm, 20 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN48 dual 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 28GPIO
ADE-1H+ 无线和射频半导体 ADE-1H+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:23 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:0.5 MHz to 500 MHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:0.5 MHz to 500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
ADE-6+ 无线和射频半导体 ADE-6+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:900; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:10 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 5.23 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 200 MHz; LO频率:0.05 MHz to 250 MHz; 转换损失——最大:8.4 dB; 射频:0.05 MHz to 250 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
EM3581-RT 无线和射频半导体 EM3581-RT Silicon Laboratories 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EM3581; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:24 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:14 bit; 输入/输出端数量:24 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EM358x; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:45 mA; 接收供电电流:28 mA; 工作电源电压:2.1 V to 3.6 V; 灵敏度:- 100 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:5 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; 类型:Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--256 kB flash+32 kB RAM
ADE-1L+ 无线和射频半导体 ADE-1L+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:2 MHz to 500 MHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:2 MHz to 500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
ADE-1ASK+ 无线和射频半导体 ADE-1ASK+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 600 MHz; LO频率:2 MHz to 600 MHz; 转换损失——最大:7.5 dB; 射频:2 MHz to 600 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
EFR32MG1P732F256GM32-C0 无线和射频半导体 EFR32MG1P732F256GM32-C0 Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32MG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 开发套件:SLWRB4154A; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA, 9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256/512 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN32, mesh, BLE, proprietary
EFR32MG1P233F256GM48-C0 无线和射频半导体 EFR32MG1P233F256GM48-C0 Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32MG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 开发套件:SLWRB4154A; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA, 9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, dual band, 256 kB, mesh, BLE, SRI,19.5 dBm, QFN-48
QPA9501TR13 无线和射频半导体 QPA9501TR13 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9501PCB401; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9501; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:520 mA; 测试频率:5800 MHz; NF—噪声系数:7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:32 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:4900 MHz to 5900 MHz; 技术:Si; 类型:3-Stage; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 5.1-5.9GHz Gain 32dB P1dB 32dBm
QPA9805TR13 无线和射频半导体 QPA9805TR13 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:22 dB; 开发套件:QPA9805EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9805; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:248 mA; OIP3 - 三阶截点:43.2 dBm; 测试频率:880 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:27.4 dBm; 工作频率:600 MHz to 1000 MHz; 技术:Si; 类型:Balanced Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 700-960MHz .5W
ADE-2ASK+ 无线和射频半导体 ADE-2ASK+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:12 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:1 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:9.5 dB; 射频:1 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
ADE-1MH+ 无线和射频半导体 ADE-1MH+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:2 MHz to 500 MHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:2 MHz to 500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
GVA-123+ 无线和射频半导体 GVA-123+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.34 W; 隔离分贝:20.7 dB; 输入返回损失:6.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:52 mA; OIP3 - 三阶截点:14.9 dBm; 测试频率:12 GHz; NF—噪声系数:6.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:7.1 dB; P1dB - 压缩点:5.1 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 12 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
MSWA-2-20+ 无线和射频半导体 MSWA-2-20+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:0.2 mA; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:9 ns; 空闲时间—最大值:3 ns; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:MSWA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1.2 MHz; 工作频率:DC to 2 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; RF 开关 IC SWITCH / SURF MOUNT / RoHS
MSW-2-20+ 无线和射频半导体 MSW-2-20+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:0.2 mA; 最小工作温度:- 40 C; 运行时间—最大值:10 ns; 空闲时间—最大值:4 ns; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:MSW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.33 mm x 4.14 mm x 1.96 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.75 dB; 工作频率:DC to 2 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; RF 开关 IC SWITCH / SURF MOUNT / RoHS
LVA-123+ 无线和射频半导体 LVA-123+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.34 W; 隔离分贝:19.2 dB; 输入返回损失:5.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:52 mA; OIP3 - 三阶截点:15.5 dBm; 测试频率:12 GHz; NF—噪声系数:5.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:8.1 dB; P1dB - 压缩点:5.3 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 12 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
PHA-202+ 无线和射频半导体 PHA-202+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.8 W; 隔离分贝:23 dB; 输入返回损失:14.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:39.4 dBm; 测试频率:2700 MHz; NF—噪声系数:5.4 dB; 工作电源电压:11 V; 增益:12.7 dB; P1dB - 压缩点:25.7 dBm; 工作频率:0.03 GHz to 2.7 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 MMIC AMPLIFIER-SURFACE MOUNT
RF2173TR13 无线和射频半导体 RF2173TR13 Qorvo 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 开发套件:RF2173PCBA-410; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2 A; 工作电源电压:2.7 V to 4.8 V; 工作频率:800 MHz to 950 MHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; 射频放大器 800-950MHz Pout 36% PAE 56%
PHA-11+ 无线和射频半导体 PHA-11+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1000 mW; 输入返回损失:4.5 dB; 通道数量:2 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:146 mA; OIP3 - 三阶截点:41.8 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:20.4 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 3 GHz; 技术:Si; 类型:Dual Matched Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS
PHA-101+ 无线和射频半导体 PHA-101+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.25 W; 隔离分贝:20.5 dB; 输入返回损失:9.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:182 mA; OIP3 - 三阶截点:43.8 dBm; 测试频率:1500 MHz; NF—噪声系数:4.2 dB; 工作电源电压:9 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:25.4 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 1.5 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频放大器 MMIC AMPLIFIER
ADE-1MHW+ 无线和射频半导体 ADE-1MHW+ Mini-Circuits 无线和射频半导体 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 600 MHz; LO频率:0.5 MHz to 600 MHz; 转换损失——最大:8 dB; 射频:0.5 MHz to 600 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; 射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS
EFR32FG12P231F1024GM48-C 无线和射频半导体 EFR32FG12P231F1024GM48-C Silicon Laboratories 无线和射频半导体 商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG12; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:1024 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:10.8 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 91.3 dBm; 输出功率:20 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 128 kB (RAM) 31GPIO SoC
当前是第 13 页
QQ客服
在线客服