| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
MKW41Z512VHT4 |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:MKW41Z; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:6.1 mA; 接收供电电流:6.8 mA; 工作电源电压:0.9 V to 4.2 V; 灵敏度:- 95 dBm, - 100 dBm; 输出功率:3.5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC Kinetis KW41Z: BLE 4.2 & 802.15.4 Wireless MCU, 48MHz Cortex-M0+, 512KB Flash, 128KB RAM, 48-LQFN |
|
EFR32MG14P732F256IM48-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG14P; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN48 2.4 G extended 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO |
 |
HSWA2-63DR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:120 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.6 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:HSWA2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCLP-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 介入损耗:1.6 dB; 工作频率:100 MHz to 6 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SW SPDT DRVR ABSORP 6GHZ MSL3 |
 |
JSW2-63DR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:4.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:37 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:4.8 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:JSW2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:0.57 dB; 工作频率:5 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SP2T REFL DR 50-OHM 6GHZ RoHS |
 |
QPL9096TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:18 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPL9096EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:33.5 dBm; 测试频率:2500 MHz; NF—噪声系数:0.75 dB; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 增益:25 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:1.7 GHz to 2.7 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Gain Block Amplifier; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1.7-2.7GHz Gain 22dB NF .7dB |
 |
QPL9097TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:20 dB; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPL9097EVBP01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:3800 MHz; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:3 V to 5.25 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:15.5 dBm; 工作频率:3.3 GHz to 4.2 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3.3-4.2GHz NF 1.1dB Gain 22dB 3.3-5.0V |
 |
QPL9095SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:18 dB; 输入返回损失:8.5 dB; 开发套件:QPL9095EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:53 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:900 MHz; NF—噪声系数:0.6 dB; 工作电源电压:4.2 V; 增益:22 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:500 MHz to 1000 MHz; 技术:Si; 类型:Ultra Low-Noise; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 Bypass LNA, 0.7-1.0 GHz |
 |
ADE-5+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:15 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:5 MHz to 1500 MHz; 转换损失——最大:9.3 dB; 射频:5 MHz to 1500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
 |
CYW20704UA1KFFB1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20704; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FCBGA-49; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
 |
CYW20735PKML1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:6 Timer; ADC通道数量:28 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 输入/输出端数量:40 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20735; 程序存储器类型:ROM; 输出功率:10 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-60; 最大工作温度:+ 70 C; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:384 kB; 程序存储器大小:2 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
|
EFR32FG1P133F256GM48-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz, Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 256 kB flash 32 kB RAM 31 GPIO |
|
EFR32BG1P233F256GM48-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32BG1; 定时器数量:2 x 16 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, UART, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:8.7 mA; 工作电源电压:1.85 V to 3.8 V; 灵敏度:- 92.5 dBm; 输出功率:10.5 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz/sub-GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +10.5 dBm, QFN-48, BLE, proprietary |
 |
RFFM5765QTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:28 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:RFFM5765QPCBA-410; 增益:30 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:54 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:110 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2.5 GHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2400-2500MHz 3.0V to 4.8V |
 |
RF2312TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:22 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:100 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:700 MHz; NF—噪声系数:3.8 dB; 工作电源电压:5 V to 12 V; 增益:15.5 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:5 MHz to 725 MHz; 技术:Si; 类型:Linear; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-2.5GHz NF 4.8dB Gain 15.1dB |
 |
CC1350F128RHBR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1350; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1350STK; 输入/输出端数量:15 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1350; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:Sub-GHz, 2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
 |
QPC6044TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5.5 V; 开发套件:QPC6044PCK401; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:45.5 dB; 介入损耗:1.2 dB; 工作频率:5 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC .05-6GHz SP4T IL .98dB |
 |
QPC3025SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:90 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.17 V to 5.5 V; 开发套件:QPC3025EVB-01; 运行时间—最大值:5.8 us; 空闲时间—最大值:4.7 us; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPC3025; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMD-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:39 dB; 介入损耗:0.35 dB; 工作频率:30 MHz to 4200 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC 30-4200MHz SPDT 30W pulsed 20W CW |
|
CYW20735KFBG |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:6 Timer; ADC通道数量:28 Channel; 最小工作温度:0 C; 输入/输出端数量:40 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20735; 程序存储器类型:ROM; 输出功率:10 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-60; 最大工作温度:+ 70 C; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:384 kB; 程序存储器大小:2 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4 |
 |
PMA-5453+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:500 mW; 输入返回损失:7 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:39 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:2.2 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:5.7 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
 |
LEE-29+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:17.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:25.5 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:3.6 V; 增益:10.6 dB; P1dB - 压缩点:11.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
LEE-19+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:24.5 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:6.5 dB; 工作电源电压:3.6 V; 增益:9 dB; P1dB - 压缩点:12.6 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
 |
PSA-545+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:35.4 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:10.4 dB; P1dB - 压缩点:20.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
|
PSA-5454+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:390 mW; 输入返回损失:6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:20 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.3 dB; P1dB - 压缩点:14.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
|
LEE-39+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:15.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:23.4 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:2.4 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:10.5 dB; P1dB - 压缩点:10.1 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
RF2878TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 开发套件:RF2878PCK-410; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:21.5 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:2.5 V to 5 V; 增益:20 dB; P1dB - 压缩点:14.4 dBm; 工作频率:150 MHz to 2500 MHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 150-2500MHz 2.5-5V |
 |
ERA-2+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:20 dB; 输入返回损失:22 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:10.7 dB; P1dB - 压缩点:11 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
MNA-5A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:700 mW; 输入返回损失:17.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:34 mA; OIP3 - 三阶截点:19.1 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:3.2 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:8.7 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
 |
LXMSANAA19-181 |
Murata |
无线和射频半导体 |
商标名:MAGICSTRAP; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5400; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Murata Electronics; 技术:Si; 系列:LXMS; 制造商:Murata; |
RFID应答器 902-928MHZ RFID TAG W/ANTENNA |
 |
MAAM-011258-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:17 dB; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:MAAM-011258-DSBSMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:105 mA; OIP3 - 三阶截点:37 dBm; 测试频率:45 MHz to 1218 MHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:5 MHz to 1218 MHz; 技术:Si; 类型:CATV Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
 |
PHA-1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:19.9 dB; 输入返回损失:8.6 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:146 mA; OIP3 - 三阶截点:38.8 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.7 dB; P1dB - 压缩点:21.6 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
GALI-52+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:32 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:14.4 dB; P1dB - 压缩点:15.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
GALI-4F+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:13.2 dB; P1dB - 压缩点:15.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
GALI-6F+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:4.8 V; 增益:12.3 dB; P1dB - 压缩点:15.8 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
 |
SAV-331+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:400 mW; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SAV; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:38.7 dBm; 测试频率:4000 MHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:4 V; 增益:11.5 dB; P1dB - 压缩点:21.8 dBm; 工作频率:10 MHz to 4000 MHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
 |
ERA-2SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:20 dB; 输入返回损失:22 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:3.4 V; 增益:10.7 dB; P1dB - 压缩点:11 dBm; 工作频率:0 Hz to 6 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
GALI-55+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:50 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:3.3 dB; 工作电源电压:4.3 V; 增益:15.7 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
|
PSA4-5043+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:380 mW; 输入返回损失:11.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA4; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:58 mA; OIP3 - 三阶截点:32.6 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.44 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:8 dB; P1dB - 压缩点:21.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-343-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
|
ERA-21SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:19 dB; 输入返回损失:8.5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:40 mA; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 测试频率:8 GHz; NF—噪声系数:5 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:8.9 dB; P1dB - 压缩点:8 dBm; 工作频率:0 Hz to 8 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
 |
QPA4363CTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:18.9 dB; 输入返回损失:21.2 dB; 开发套件:QPA4363APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:27.9 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:3.2 dB; 工作电源电压:3.2 V; 增益:14.1 dB; P1dB - 压缩点:14.2 dBm; 工作频率:0 Hz to 4000 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 13.6dB -40C +105C |
 |
QPA5389ATR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:22.4 dB; 开发套件:QPA5389APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA5389A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:1.95 GHz; NF—噪声系数:3.7 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:15.6 dB; P1dB - 压缩点:16.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 4.5 GHz; 技术:SiGe; 类型:HBT MMIC Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-4500MHz NF 3.7dB P1dB 16.3 dBm |
 |
QPA4263CTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:- 19.7 dB; 输入返回损失:- 37 dB; 开发套件:QPA4263CPCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:27.8 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:4.1 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:13.7 dB; P1dB - 压缩点:14.2 dBm; 工作频率:50 MHz to 4000 MHz; 技术:SiGe; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 14dB -40C +105C |
 |
RFFM4558ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:20 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:RFFM4558APCK401; 增益:32 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:RFFM4558A; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:6 Mb/s; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:240 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作频率:5150 MHz to 5925 MHz; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 4.9-5.925GHz 32dB TxGain 2.5dB NF |
 |
QPA4563CTR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:23.5 dB; 输入返回损失:16.9 dB; 开发套件:QPA4563APCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; OIP3 - 三阶截点:28.9 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:2.8 dB; 工作电源电压:3.5 V; 增益:19.2 dB; P1dB - 压缩点:15.8 dBm; 工作频率:0 Hz to 3500 MHz; 技术:SiGe; 类型:HBT; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 21.1dB -40C +105C |
|
PSA-0012+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:550 mW; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PSA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:74 mA; OIP3 - 三阶截点:35.1 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.6 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.1 dB; P1dB - 压缩点:21.2 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MOUNT / RoHS |
|
LHA-1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:19.3 dB; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LHA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:146 mA; OIP3 - 三阶截点:38 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:9.2 dB; P1dB - 压缩点:22.5 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER/SURF MOUNT/RoHS |
 |
TQF7059 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 30 C; 开发套件:TQF7059-PCB; 增益:13 dB, 31 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:-; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:300 mA; 工作电源电压:3.3 V to 5 V; NF—噪声系数:2.1 dB, 4 dB; 工作频率:4.9 GHz to 5.925 GHz; 类型:802.11 a/n/ac WLAN; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 5GHz WLAN FEM 802.11a/n/ac FEM |
|
PGA-103+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 隔离分贝:21.2 dB; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PGA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:97 mA; OIP3 - 三阶截点:45.4 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:6.2 dB; P1dB - 压缩点:23.2 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / 4GHZ RoHS |
|
ERA-3+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:330 mW; 隔离分贝:24 dB; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:35 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:3.2 V; 增益:16.4 dB; P1dB - 压缩点:10.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 3 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
 |
QPD1025L |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:18; 产品类型:RF JFET Transistors; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPD1025LEVB1; 商标:Qorvo; 系列:QPD; 工作频率:1 GHz to 1.1 GHz; 配置:Dual Gate Dual Drain; 应用:Avionics, IFF Transponders; 封装:Tray; 封装 / 箱体:NI-1230-4; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:758 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:225 V; 输出功率:1.5 kW; Id-连续漏极电流:28 A; 增益:22.9 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V |
 |
TGA2590-CP |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:30 W; 输入返回损失:5 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 系列:TGA; 工作电源电流:2 A; OIP3 - 三阶截点:-; 测试频率:-; NF—噪声系数:-; 工作电源电压:20 V to 25 V; 增益:35 dB; P1dB - 压缩点:-; 工作频率:6 GHz to 12 GHz; 技术:GaN SiC; 类型:Wideband Power Amplifier; 封装 / 箱体:15.24 mm x 15.24 mm x 3.5 mm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 6-12GHz 30W SSG 35dB GaN |
QQ客服
