| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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LEE-49+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:5 GHz; NF—噪声系数:5.5 dB; 工作电源电压:4.9 V; 增益:7.8 dB; 工作频率:0 Hz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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LEE-59+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LEE; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:5 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:4.8 V; 增益:7.6 dB; P1dB - 压缩点:11.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:MCLP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-59+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:14 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33.3 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:4.8 V; 增益:10.2 dB; P1dB - 压缩点:17.6 dBm; 工作频率:0 Hz to 5 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-49+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:18 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:33.3 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:4.4 dB; 工作电源电压:4.5 V; 增益:12 dB; P1dB - 压缩点:16.4 dBm; 工作频率:0 Hz to 5 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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nRF52811-CAAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:7000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:15 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:PDM, PWM, SPI, TWI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52811; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:WLCSP-33; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 5.1 Multiprotocal |
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RFPA5542TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:RFPA5542PCK-410; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RFPA5542; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:310 mA; 工作电源电压:5 V; 增益:33 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:4.9 GHz to 5.925 GHz; 技术:Si; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5GHz Gain 33dB Pout 23dBm |
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TSS-53LNB+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:16.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TSS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:82 mA; OIP3 - 三阶截点:30.9 dBm; 测试频率:5 GHz; NF—噪声系数:1.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18.7 dB; P1dB - 压缩点:19.2 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE BYPASS AMPL/SM/ RoHS |
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TSS-53LNB3+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:11.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TSS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:42 mA; OIP3 - 三阶截点:20.7 dBm; 测试频率:5 GHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:14.8 dB; P1dB - 压缩点:13.9 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC AMPLIFIER WITH BYPASS |
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MNA-6A+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:970 mW; 输入返回损失:14.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MNA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:99 mA; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 测试频率:2.5 GHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:2.8 V to 5 V; 增益:23.2 dB; P1dB - 压缩点:19.2 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 2.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-50SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:451 mW; 隔离分贝:23 dB; 输入返回损失:24 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:31 dBm; 测试频率:2 GHz; NF—噪声系数:3.4 dB; 工作电源电压:4.4 V; 增益:17.6 dB; P1dB - 压缩点:15.9 dBm; 工作频率:0 Hz to 2 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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GALI-74+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GALI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:80 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:1 GHz; NF—噪声系数:2.7 dB; 工作电源电压:4.8 V; 增益:13.4 dB; P1dB - 压缩点:18.3 dBm; 工作频率:0 Hz to 1 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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QPL9503TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL9503; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:56 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:0.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:21.6 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:0.6 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Flat Gain LNA; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1-6GHz Gain 21.6dB NF .9dB OIP3 35dBm |
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DA14681-01000A92 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:37 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 系列:DA14681; 程序存储器类型:OTP; 长度:6 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:AQFN-60; 程序存储器大小:64 kB; 传输供电电流:3.4 mA; 接收供电电流:3.1 mA; 工作电源电压:1.7 V to 4.75 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:0 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with Flexpower ARM Cortex M0, crypto, PMU, memories and peripherals - 37 GPIOs in AQFN60 package and 0.55mm pin pitch |
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ADE-11X+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:9 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:5 MHz to 1000 MHz; LO频率:10 MHz to 2000 MHz; 转换损失——最大:9.8 dB; 射频:10 MHz to 2000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ATSAMR30E18A-MU |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:48 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2S, Serial, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR30; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:18.2 mA; 接收供电电流:9.4 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; 灵敏度:11 dBm; 输出功率:5 dBm; 最大数据速率:1000 kb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M0+; 类型:Wi-Fi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
RF片上系统 - SoC 32 PIN SiP 256K MCU + 802.15.4 Sub-GHz Radio |
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ADEX-10L+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADEX; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 800 MHz; LO频率:10 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:8.8 dB; 射频:10 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ADEX-10+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADEX; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 800 MHz; LO频率:10 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:8.3 dB; 射频:10 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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EFR32FG1V131F32GM32-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:8 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:32 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 Sub-GHz 32 kB flash 8 kB RAM 16 GPIO |
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CC2640R2FRSMT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC26xx; 定时器数量:4; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:10 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:48 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLink Bluetooth low enrgy Wirels MCU |
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CYW20707UA2KFFB4G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:RISC; ADC通道数量:12 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:24 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, SPI; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20707; 程序存储器类型:ROM; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FBGA-49; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; 数据 RAM 大小:352 kB; 程序存储器大小:848 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex-M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU BCM20707UA2KFFB4G |
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ADE-2+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:5 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:9.5 dB; 射频:5 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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ADE-1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:15 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:0.5 MHz to 500 MHz; 转换损失——最大:7.8 dB; 射频:0.5 MHz to 500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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PMA2-33LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.5 W; 输入返回损失:12.3 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:56 mA; OIP3 - 三阶截点:38.6 dBm; 测试频率:3 GHz; NF—噪声系数:0.78 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:9.1 dB; P1dB - 压缩点:17.3 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 3 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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DA14680-01F08A92 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:6 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:6 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:AQFN-60; 程序存储器大小:8 Mbit; 传输供电电流:3.4 mA; 接收供电电流:3.1 mA; 工作电源电压:1.7 V to 4.75 V; 灵敏度:- 94 dBm; 输出功率:0 dBm; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with Flexpower ARM Cortex M0, crypto, PMU, and 8Mbit executable Flash - 37 GPIOs in AQFN60 package and 0.55mm pin pitch |
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ATSAMR21G18A-MF |
Microchip |
无线和射频半导体 |
商标名:SMART; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:SAMR21G; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:28 I/O; 接口类型:SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR21; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-48; 最大工作温度:+ 125 C; 工作电源电压:3.3 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K 125C |
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MMP4401-GM2 |
Microchip |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:PIN Diodes; Pd-功率耗散:3.5 W; Ir - 反向电流 :10 uA; 载流子寿命:1.5 us; 商标:Microchip / Microsemi; 类型:Control Devices Surface Mount PIN Diodes; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MMP4400; 封装 / 箱体:0805; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作频率:12 GHz; 最小工作频率:50 MHz; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:-; If - 正向电流:100 mA; 最大串联电阻（中频最大时）:800 mOhms; 最大二极管电容:0.35 pF; Vr - 反向电压 :50 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
PIN 二极管 50MHz - 12 GHz PIN Diode 1.5 us |
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PMA2-43LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:11.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:51 mA; OIP3 - 三阶截点:32.2 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:1.08 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:12.9 dB; P1dB - 压缩点:17.1 dBm; 工作频率:1.1 GHz to 4 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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PMA3-63GLN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1 W; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:69 mA; OIP3 - 三阶截点:22.3 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:24.9 dB; P1dB - 压缩点:10.7 dBm; 工作频率:1.8 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC WIDEBAND LOW NOISE AMPL |
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ADEX-10H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADEX; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 800 MHz; LO频率:10 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:9.5 dB; 射频:10 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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EFR32FG1V131F256GM32-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 Sub-GHz 256 kB flash 32 kB RAM 16 GPIO |
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ERA-5+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:451 mW; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.9 V; 增益:14.3 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-51SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:451 W; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:25 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:27.8 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:4.5 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:14.8 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-5SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:451 mW; 隔离分贝:22 dB; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:26 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:3.5 dB; 工作电源电压:4.9 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:12.5 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-4SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:417 mW; 隔离分贝:23 dB; 输入返回损失:21 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:65 mA; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:45 dB; 工作电源电压:4.6 V; 增益:11.3 dB; P1dB - 压缩点:11.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ERA-6SM+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:451 mW; 隔离分贝:19 dB; 输入返回损失:28 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ERA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 45 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:28.5 dBm; 测试频率:4 GHz; NF—噪声系数:4.7 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:10.3 dB; P1dB - 压缩点:14.7 dBm; 工作频率:0 Hz to 4 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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ST25R3915-AQFT |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25R3915; 资格:AEC-Q100; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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MFRC63103HNE |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RFID Transponders; 湿度敏感性:Yes; 商标:NXP Semiconductors; 类型:Front-End ICs; 技术:Si; 系列:MFRC63103; 封装:Tray; 封装 / 箱体:HVQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:27.12 MHz; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 ISO/IEC 14443 A/B frontend |
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EFR32FG1P131F256GM48-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:EFR32; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:EFR32FG1; 定时器数量:2 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SMBus, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32FG1; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.2 mA; 接收供电电流:9.8 mA; 工作电源电压:3.3 V; 灵敏度:- 89.2 dBm, - 92.5 dBm; 输出功率:19.5 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:Sub-GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 128 kB flash 32 kB RAM 32 GPIO |
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EFR32MG14P732F256GM32-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG14P; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN32 2.4 G 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO |
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PMA-545G1+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.35 W; 输入返回损失:19.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:158 mA; OIP3 - 三阶截点:33.6 dBm; 测试频率:2.2 GHz; NF—噪声系数:1.2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:26.1 dB; P1dB - 压缩点:22.6 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 2.2 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS |
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CYW20706UA1KFFB1G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:24 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20706; 程序存储器类型:EEPROM; 输出功率:12 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FCBGA-49; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.2 V, 3.3 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:352 kB; 程序存储器大小:848 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4 |
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GVA-91+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.7 W; 隔离分贝:29.9 dB; 输入返回损失:6.9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:147 mA; OIP3 - 三阶截点:43.4 dBm; 测试频率:2170 MHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.4 dB; P1dB - 压缩点:26.7 dBm; 工作频率:869 MHz to 2170 MHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Linear Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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CYW20706UA2KFFB4G |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 输入/输出端数量:24 I/O; 接口类型:I2C, I2S, PCM, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20706; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:FCBGA-49; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4 |
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EFR32MG14P732F256GM48-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:31 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG14P; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN48 2.4 G 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 31GPIO |
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ADE-12+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:17 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 2.08 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:50 MHz to 1000 MHz; 转换损失——最大:9 dB; 射频:50 MHz to 1000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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CY8C4128LQI-BL553 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4128; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
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GVA-93+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.34 W; 隔离分贝:20.7 dB; 输入返回损失:7.1 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:GVA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:52 mA; OIP3 - 三阶截点:20.3 dBm; 测试频率:9 GHz; NF—噪声系数:5.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.2 dB; P1dB - 压缩点:9 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 9 GHz; 技术:GaAs InGaP; 类型:Gain Block; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 ML AMPL / SURF MT / RoHS |
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EFR32MG14P732F256IM32-B |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
商标名:Mighty Gecko; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:3 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:16 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:EFR32MG14P; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:8.8 mA, 10.2 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; 灵敏度:- 95.3 dBm; 输出功率:19 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Mighty Premium SoC QFN32 2.4 G extended 19.5 dB mesh multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO |
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VSWA2-63DR+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:50 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:VSWA2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:4 mm x 4 mm x 0.9 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 介入损耗:1 dB; 工作频率:500 MHz to 6000 MHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
RF 开关 IC SWITCH & DRIVER / SM / RoHS |
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ADE-1LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:15 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:ADE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 500 MHz; LO频率:0.5 MHz to 500 MHz; 转换损失——最大:8.2 dB; 射频:0.5 MHz to 500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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