| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BGT24LTR22E6327XTSA1 |
Infineon |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Transceiver; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
射频收发器 MMW_CONSUMER & IOT |
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MDB-44H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Mixer; P1dB - 压缩点:10 dBm; OIP3 - 三阶截点:20 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:GaAs InGaP; 系列:MDB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCLP-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 15 GHz; LO频率:10 GHz to 40 GHz; NF—噪声系数:8.6 dB; 转换损失——最大:13.4 dB; 射频:10 GHz to 40 GHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 MMIC MIXER |
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SIM-14LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:12 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4000 MHz; LO频率:3700 MHz to 10000 MHz; 转换损失——最大:8.9 dB; 射频:3700 MHz to 10000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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KAT-20+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:0.8 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:20 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:23.1 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 20 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-9+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.1 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:9 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:9.9 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 9 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-4+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.7 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:4 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:5 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 4 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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KAT-5+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:Attenuators; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Fixed Attenuator; 系列:KAT; 功率额定值:1.4 W; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:5 dB; 最大 VSWR:1.9:1; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 最大频率:43.5 GHz; 最大衰减:6 dB; 封装 / 箱体:MCLP-6; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
衰减器 5 dB SMT Fixed Attenuator, DC - 43500 MHz, 50? |
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QPA9426TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:20 dB; 开发套件:QPA9426PCB401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA9426; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:805 mA; 测试频率:2.6 GHz; 工作电源电压:4.5 V; 增益:34 dB; P1dB - 压缩点:35.5 dBm; 工作频率:2.5 GHz to 2.7 GHz; 技术:Si; 类型:High Linearity Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMD-14; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.5-2.7GHz Gain 34dB PAE 14% |
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PMA2-153LN+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:4.2 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:PMA2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:66 mA; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:15 GHz; NF—噪声系数:3.8 dB; 工作电源电压:6 V; 增益:12.5 dB; P1dB - 压缩点:11.2 dBm; 工作频率:0.5 GHz to 15 GHz; 技术:Si; 类型:Wideband Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:MCLP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 MMIC WIDEBAND LOW NOISE AMP |
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SIM-153LH+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:18 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4000 MHz; LO频率:3200 MHz to 15000 MHz; 转换损失——最大:10.3 dB; 射频:3200 MHz to 15000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SIM-14H+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SIM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 4000 MHz; LO频率:3700 MHz to 10000 MHz; 转换损失——最大:10.5 dB; 射频:3700 MHz to 10000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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SYM-25DHW+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; OIP3 - 三阶截点:30 dBm; 商标:Mini-Circuits; 技术:Si; 系列:SYM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 1000 MHz; LO频率:80 MHz to 2500 MHz; 转换损失——最大:9 dB; 射频:80 MHz to 2500 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频混合器 DBL BAL MIX / SURF MT / RoHS |
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QPB8808SR |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:QPB8808PCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:525 mA; OIP3 - 三阶截点:50 dBm; 测试频率:50 MHz to 1.218 GHz; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:12 V; 增益:20.6 dB; P1dB - 压缩点:33 dBm; 工作频率:50 MHz to 1.218 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Doubler Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-40; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 45-1218MHz NF 4.5dB P1dB +33dBm |
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QPB9319TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:15 dB, 19 dB; OIP3 - 三阶截点:29.5 dBm, 34 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:QPB9319EVB-01; 增益:19 dB, 37 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 系列:QPL; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SMD-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电流:120 mA; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:1.45 dB; 工作频率:1.8 GHz to 4.2 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 1.8-3.8 GHz FEM 2 stage LNA w/Switch |
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QPA3223 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Tray; 系列:QPA3223; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:400 mA; 测试频率:45 MHz, 1003 MHz; NF—噪声系数:3 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:23 dB; 工作频率:1003 MHz; 技术:GaAs GaN; 类型:Hybrid Power Doubler Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-115J-7; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 1GHz 23dB Gain Low Current Pwr Dblr |
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QPA3320 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:16 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电流:280 mA; NF—噪声系数:4.5 dB; 工作电源电压:24 V; 增益:34.5 dB; 工作频率:40 MHz to 1003 MHz; 技术:GaAs GaN; 类型:Hybrid Push-Pull Amplifier; 封装 / 箱体:SOT-115J-9; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 40-1003MHz Gain 34.5 |
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MAAP-110150 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:MAAP-110150-001SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.3 A; OIP3 - 三阶截点:40 dBm; 测试频率:10 GHz to 15.35 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:30 dB; P1dB - 压缩点:31 dBm; 工作频率:10 GHz to 15.35 GHz; 技术:Si; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:PQFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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ZX60-V63+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:13.4 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Mini-Circuits; 系列:ZX60; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:69 mA; OIP3 - 三阶截点:23.9 dBm; 测试频率:6 GHz; NF—噪声系数:4.3 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:15.4 dB; P1dB - 压缩点:12.1 dBm; 工作频率:0.05 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Gain Block; 安装风格:Screw; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频放大器 BROADBAND AMPL / SMA / RoHS |
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SX1250IMLTRT |
Semtech |
无线和射频半导体 |
商标名:LoRa; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Semtech; 技术:Si; 带宽:500 kHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.6 V; 工作频率:150 MHz to 960 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频前端 射频前端 transceiver |
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HMC717ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:520 mW; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:9 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC717; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; OIP3 - 三阶截点:29.5 dBm; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作电源电压:3 V to 5 V; 增益:14.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:4.8 GHz to 6 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 LNA w/ Adj Bias, 4.9 to 6.0GHz |
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ADRF5040BCPZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.9 V; 开发套件:ADRF5040-EVALZ; 运行时间—最大值:3.5 us; 空闲时间—最大值:3.5 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5040; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:20 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:9 kHz to 12 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation,SP4T,9kHz -12GHz |
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MRFX1K80NR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:3333 W; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:44.7 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 系列:MRFX1K80; 工作频率:1.8 MHz to 400 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-1230-4; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.8 kW; 增益:24.4 dB; Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V; Id-连续漏极电流:43 A; 技术:Si; 晶体管极性:Dual N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz |
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CY8C4128LQI-BL543 |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:PSoC 4; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 x 16 bit; ADC通道数量:24 Channel; 湿度敏感性:Yes; 输入/输出端数量:36 I/O; 接口类型:I2C/SPI/UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CY8C4128; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:- 18 dBm to + 3 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-56; 工作电源电压:1.71 V to 5.5 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:24 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU PSoC4 |
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CYW20719B1KUMLG |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 30 C; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20719; 程序存储器类型:Flash; 输出功率:4 dBm; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-40; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.9 V to 3.63 V; ADC分辨率:10 bit, 13 bit; 最大时钟频率:96 MHz; 数据 RAM 大小:512 kB; 程序存储器大小:1 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU BT 5.0 SOC Low Power BR/EDR/BLE |
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HMC521ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:460 mW; P1dB - 压缩点:7.5 dBm; OIP3 - 三阶截点:16 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC521ALC4; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC521; 封装 / 箱体:LCC-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 3.5 GHz; LO频率:8.5 GHz to 13.5 GHz; NF—噪声系数:14 dB; 转换损失——最大:9.5 dB; 射频:8.5 GHz to 13.5 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 Mixers |
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CC2640R2FTWRGZRQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F-Q1; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 105 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:48 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU Autom Qualified SimpleLink Bluetooth |
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AWR1642ABIGABLQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:mmWave; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:1.5 MB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 系列:AWR1642; 长度:10.5 mm; 高度:1.17 mm; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 工作电源电压:1.2 V, 1.3 V, 1.8 V, 3.3 V; 输出功率:12.5 dBm; 最大数据速率:12.5 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F, C674x; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC |
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SKY85331-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY85331-11EK1; 增益:33 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85331; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电流:470 mA; 工作电源电压:5 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2GHz 24dBm 5V 11ac FEM with RX filter po |
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HMC520ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:400 mW; P1dB - 压缩点:10 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EVAL-HMC520A; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC520; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:3.5 GHz; LO频率:6 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:9.5 dB; 转换损失——最大:8 dB; 射频:6 GHz to 10 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC I/Q Mixer 6-10 GHz |
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HMC973ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.5 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:5.6 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:HMC973A; 功率额定值:29 dBm; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:5 GHz; 最大衰减:28 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Voltage Variable |
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CG2H40010F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.7 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 6 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:10 W; Id-连续漏极电流:1.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16.5 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt |
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DA14586-00F02AT2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:4 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:16 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:24 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:96 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:DA14586; 程序存储器类型:Flash, OTP, ROM; 长度:5 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:64 kB, 128 kB, 2 Mbit; 传输供电电流:3.4 mA; 接收供电电流:3.7 mA; 工作电源电压:3 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:- 20 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BT5.0 QFN40 SoC |
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DA14683-00000A92 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
商标名:SmartBond; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:37 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 技术:Si; 系列:DA14682 & DA14683; 程序存储器类型:OTP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-60; 程序存储器大小:64 kB; 工作电源电压:1.7 V to 4.75 V; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0 |
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HMC346ALP3E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:- 5 V to 0 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0 Hz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:2.7 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Voltage Variable Attenuator; 系列:HMC346; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 最大 VSWR:-; 阻抗:50 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:-; 最大频率:14 GHz; 最大衰减:30 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 衰减器 |
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ATSAMR21G18A-MU |
Microchip |
无线和射频半导体 |
商标名:SMART; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:SAMR21G; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:28 I/O; 接口类型:SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR21; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K |
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ADRF5250BCPZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.25 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:360 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5250-EVALZ; 运行时间—最大值:150 ns; 空闲时间—最大值:150 ns; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5250; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:46 dB; 介入损耗:1.8 dB; 工作频率:0.1 GHz to 6 GHz; 开关配置:SP5T; 开关数量:Quint; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC 0.1-6GHz High Isolation SP5T |
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ADRF5021BCCZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5021-EVALZ; 运行时间—最大值:1.1 us; 空闲时间—最大值:1.1 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5021; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:60 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:9 kHz to 30 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, low cut-off |
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QPA4263ATR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:- 19.7 dB; 输入返回损失:- 37 dB; 开发套件:QPA4263CPCK401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPA4263A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:27.8 dBm; 测试频率:2400 MHz; NF—噪声系数:4.1 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:13.7 dB; P1dB - 压缩点:14.2 dBm; 工作频率:50 MHz to 4000 MHz; 技术:SiGe; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 DC-3.5GHz NF 3.7dB Gain 12.3dB |
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BLUENRG-234 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:BLUENRG-2; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-34; 程序存储器大小:256 kB; 传输供电电流:15.1 mA; 接收供电电流:7.7 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 88 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:1 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M0; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RF片上系统 - SoC LOW POWER RF |
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CC2564CRVMR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:CC256XCQFN-EM; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2564C; 灵敏度:- 96 dBm; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-76; 接口类型:UART; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:12 dBm; 传输供电电流:112.5 mA; 电源电压-最大:4.8 V; 电源电压-最小:1.7 V; 调制格式:8DPSK, DQPSK, GFSK; 最大数据速率:4 Mb/s; 频率范围:2.402 GHz to 2.48 GHz; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频收发器 |
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CC2640R2FRHBT |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:250; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC26xx; 定时器数量:4; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:15 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2640R2F; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-32; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:48 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLink Bluetooth low enrgy Wirels MCU |
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HMC8073LP3DE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Attenuators; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 系列:HMC8073; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 0.6-3.0GHz, 6-bit Dig Atten |
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HMC863ALC4 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:2.88 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:8 dB, 17.5 dB; 开发套件:EV1HMC863ALC4, EVAL-HMC863ALC4; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC863; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:37.5 dBm to 38.5 dBm; NF—噪声系数:4.5 dB, 5 dB; 工作电源电压:5.5 V; 增益:24 dB; P1dB - 压缩点:27 dBm; 工作频率:24 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 29.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:3-Stage Power Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifier |
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QPL9065TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
商标名:E-pHEMT; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12.5 dB; 开发套件:QPL9065PCB401; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QPL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:160 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:1.95 GHz; NF—噪声系数:0.55 dB; 工作电源电压:3.3 V to 5.25 V; 增益:37.5 dB; P1dB - 压缩点:20.8 dBm; 工作频率:450 MHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:SMT-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 .45-3.8GHz NF .55dB Gain 37.5dB |
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HMC1121LP6GE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:20.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:15 dB; 开发套件:EV1HMC1121LP6G; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Cut Tape; 系列:HMC1121; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:2.2 A; OIP3 - 三阶截点:43 dBm; 测试频率:7.5 GHz to 8.5 GHz; 工作电源电压:7.5 V; 增益:28 dB; P1dB - 压缩点:36 dBm; 工作频率:5.5 GHz to 8.5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-40; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifier, Power, 5.5-8.5GHz, 5W |
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AD6688BBPZ-3000 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:0.95 V; 电源电压-最大:2.56 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Receiver; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:AD6688-3000EBZ; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD6688; 带宽:1.2 GHz; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:BGA-196; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:2.6 GHz; 类型:RF Diversity and Observation Receiver; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频接收器 RF Diversity & 1.2GHz BW Observation Rec |
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ST25DV04K-JFR8D3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV04K; 封装 / 箱体:UFDFPN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:4 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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SKY66403-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; OIP3 - 三阶截点:2 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKY66403-11EK1; 增益:22 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66403; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-22; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:97 mA; 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:2.4 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2.4GHz Zigbee/Thread /Bluetooth FEM |
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ADTR1107ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频前端 Front End Module, 6-18 GHz |
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ST25DV64K-JFR8D3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 封装 / 箱体:UFDFPN-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 工作频率:1 MHz; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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