制造商 | Manufacturer | Qorvo |
RoHS | Rohs | Y |
晶体管类型 | Transistor Type | HEMT |
技术 | Technology | GaN SiC |
增益 | Gain | 19.3 dB |
晶体管极性 | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | Vds_Drain_Source Breakdown Voltage | 32 V |
Id-连续漏极电流 | Id_Continuous Drain Current | 3.5 A |
输出功率 | Output Power | 47.6 dBm |
最大漏极/栅极电压 | Maximum Drain Gate Voltage | 100 V |
最小工作温度 | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
最大工作温度 | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd-功率耗散 | Pd_Power Dissipation | 53 W |
安装风格 | Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | Package_Case | Die |
封装 | Packaging | Gel Pack |
配置 | Configuration | Single |
工作频率 | Operating Frequency | 15 GHz |
工作温度范围 | Operating Temperature Range | - 65 C to + 150 C |
商标 | Brand | Qorvo |
产品类型 | Product Type | RF JFET Transistors |
标准包装数量 | Standard Pack Qty | 50 |
子类别 | Subcategory | Transistors |
序号 | 料号 | D/C | 数量 | 品牌 | 每条可出价1次 |
1 | PXV1220S-10DBN2-T02 | 0 | Qorvo | ||
2 | HMC6787ALC5A | 0 | Qorvo | ||
3 | BGSA402ML10E6327XTSA1 | 0 | Qorvo | ||
4 | HMC611LP4 | 0 | Qorvo | ||
5 | MAX19993ETX+T | 0 | Qorvo | ||
6 | D1218UK | 0 | Qorvo | ||
7 | LET9045F | 0 | Qorvo | ||
8 | ADE-751H+ | 0 | Qorvo | ||
9 | MAPS-010164-001SMB | 0 | Qorvo | ||
10 | SX1250IMLTRT | 21+ | 4480 | Qorvo | |
11 | TDA7708CB | 169 | Qorvo | ||
12 | PE4312C-Z | NA | 0 | Qorvo | |
13 | MAX2410EEI+T | 0 | Qorvo | ||
14 | 4408AQ-682G-08 | 0 | Qorvo | ||
15 | A2T21S260-12SR3 | 0 | Qorvo | ||
16 | PAT1632-C-3DB-T1 | 0 | Qorvo | ||
17 | PXV1220S-4DBN1-T02 | 0 | Qorvo | ||
18 | D1053UK | 0 | Qorvo | ||
19 | MAAVSS0008TR | 12000 | Qorvo | ||
20 | 4408AQ-901G-08 | 0 | Qorvo |