制造商 | Manufacturer | Qorvo |
RoHS | Rohs | Y |
晶体管类型 | Transistor Type | HEMT |
技术 | Technology | GaN SiC |
增益 | Gain | 15.7 dB |
晶体管极性 | Transistor Polarity | N-Channel |
Id-连续漏极电流 | Id_Continuous Drain Current | 20 A |
输出功率 | Output Power | 460 W |
最大漏极/栅极电压 | Maximum Drain Gate Voltage | 55 V |
最小工作温度 | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
最大工作温度 | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Pd-功率耗散 | Pd_Power Dissipation | 511 W |
安装风格 | Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | Package_Case | 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm |
配置 | Configuration | Single |
工作频率 | Operating Frequency | 3.1 GHz to 3.5 GHz |
商标 | Brand | Qorvo |
开发套件 | Development Kit | QPD1017PCB4B01 |
湿度敏感性 | Moisture Sensitive | Yes |
产品类型 | Product Type | RF JFET Transistors |
标准包装数量 | Standard Pack Qty | 18 |
子类别 | Subcategory | Transistors |
序号 | 料号 | D/C | 数量 | 品牌 | 每条可出价1次 |
1 | EFR32MG12P332F1024GM48-B | 0 | Qorvo | ||
2 | LMX2531LQ2265E/NOPB | NA | 0 | Qorvo | |
3 | ADRF5250BCPZ | 0 | Qorvo | ||
4 | SI21662-B22-GM | 0 | Qorvo | ||
5 | SI4123-D-GM | 2 | Qorvo | ||
6 | HMC516 | 0 | Qorvo | ||
7 | QPA3055 | 0 | Qorvo | ||
8 | DA16200-00000A32 | 0 | Qorvo | ||
9 | STA710EC | 0 | Qorvo | ||
10 | HMC1110 | 0 | Qorvo | ||
11 | CLA4609-086LF | 1719 | 349 | Qorvo | |
12 | EZR32LG330F64R68G-C0 | 0 | Qorvo | ||
13 | R422220020 | 0 | Qorvo | ||
14 | AGR18125EF | 0 | Qorvo | ||
15 | CMD190 | 0 | Qorvo | ||
16 | UM2106A | 0 | Qorvo | ||
17 | EFR32MG12P332F1024IM48-C | 0 | Qorvo | ||
18 | NB3N3002DTR2G | 0 | Qorvo | ||
19 | AD8317ACPZ-R7 | 2年内 | 6000 | Qorvo | |
20 | QPA2576N | 0 | Qorvo |