| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS29CF160B-55TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:2 M x 8/1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:AS29CF160; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Alliance Memory; |
NOR闪存 |
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24AA02T/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA02; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA, 1 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 - 1.8V |
![TH58NYG3S0HBAI6 存储器 IC]( "TH58NYG3S0HBAI6 存储器 IC") |
TH58NYG3S0HBAI6 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
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AT28HC256E-12JU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:50 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.51 mm (Max); 长度:14.05 mm (Max); 高度:2.79 mm (Min); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 最大时钟频率:14.29 MHz; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 Parallel 电可擦除可编程只读存储器 5V-120NS, 883c, GR |
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DS1270Y-70# |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:9; 产品类型:NVRAM; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 系列:DS1270Y; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 存储容量:16 Mbit; 封装 / 箱体:EDIP-36; RoHS:E; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 16M Nonvolatile SRAM |
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 接口类型:Quad SPI; 系列:IS25LQ020B; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, T&R |
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IS62WV2568BLL-55TLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV2568BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 uA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:18 MHz; 访问时间:55 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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AS4C8M16SA-6TCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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IS43DR16320C-3DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16320C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS43DR16160B-37CBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16160B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:500 ps; 最大时钟频率:266 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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AS7C4096A-12JCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:19; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4096A-12; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 5V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS42SM32400H-75BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42SM32400H; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS |
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IS43TR16640BL-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640BL; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS43DR86400C-3DBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR86400C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS42S86400F-7TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S86400F; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS |
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24AA01T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA, 1 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 - 1.8V |
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93LC56BXT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x16 Rot Pin |
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24AA02T-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 - 1.8V |
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M95080-DFDW6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M95080-DF; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 8-Kb SPI Bus 电可擦除可编程只读存储器 w/ hi-spd clock |
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24LC024/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24LC024; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:10 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 |
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24LC01BT-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.95 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 1.8V SER EE IND |
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24LC025T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC025; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:1 mA, 3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 |
 |
24AA16T-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 1.8V SERIAL EE IND |
 |
CAT24C16C4ATR |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT24C16; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:WLCSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 16KB I2C SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR24G64FVT-3GE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G64-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 64K TSSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器 |
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W25Q20EWSNIG |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:W25Q20EW; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 2M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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93LC76C-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:93LC76; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:6 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 8, 512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 |
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24LC64F-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:24LC64F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP |
|
BR24G128FVT-3GE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G128FVT-3G; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 128K TSSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器 |
|
24FC1026-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 2.5V HI-SPD EE 128BYTE PG |
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S29JL032J70TFI410 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29JL032J; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 32MB Flash 3.0V 70ns Parallel NOR闪存 |
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TC58BVG1S3HBAI4 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
![TC58BVG1S3HTAI0 存储器 IC]( "TC58BVG1S3HTAI0 存储器 IC") |
TC58BVG1S3HTAI0 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
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AT45DQ321-MHF-Y |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:26 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:AT45DQ321; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 32M, 85MHz 2.3-3.6V Serial Flash |
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S29GL064N11TFIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064N; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 64MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR闪存 |
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S29GL128P10TFI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128M 3.0V 100ns Parallel NOR闪存 |
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S25FS512SAGMFI011 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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TH58BYG3S0HBAI6 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:FBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
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DS1312S+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:46; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:5 V; 存储器通道数量:1; 锂电池监视器:Yes; 商标:Maxim Integrated; 宽度:7.4 mm; 类型:Non-Volatile RAM (NVRAM); 系列:DS1312S; 长度:10.1 mm; 高度:2.35 mm; 描述/功能:Converting CMOS RAM into nonvolatile memory; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:50 uA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电池备用开关:Yes; 存储类型:Nonvolatile RAM - NVRAM; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
存储器控制器 Nonvolatile Controller with Lithium Battery Monitor |
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DS1330YP-70+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:25.02 mm; 类型:NVSRAM; 长度:23.5 mm; 高度:2.03 mm; 封装:Tube; 系列:DS1330Y; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:PowerCap Module-34; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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DS1230Y-85+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230Y; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:85 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1230Y-200IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230Y; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:200 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1345YP-70+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:25.02 mm; 类型:NVSRAM; 长度:23.5 mm; 高度:2.03 mm; 封装:Tube; 系列:DS1345Y; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:PowerCap Module-34; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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S-25A040A0A-J8T2UD |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-25AxxxA; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:6.5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 IC 电可擦除可编程只读存储器 4K SPI 6.5MHZ |
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AS7C256A-12TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C256A-12; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS62WV25616BLL-55BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV25616BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 uA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:18 MHz; 访问时间:55 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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AS29CF010-55CCIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:30; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:1 Mbit; 系列:AS29CF010; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Alliance Memory; |
NOR闪存 |
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IS43TR16256AL-15HBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256AL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:666 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM |
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AS29CF800B-55TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:1 M x 8/512 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AS29CF800; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Alliance Memory; |
NOR闪存 |
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IS61LPS12836A-200TQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS61LPS12836A; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.1 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v |
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