| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS42S32400F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32400F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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IS34ML01G081-BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:IS34ML01G081; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 |
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IS43TR16256AL-125KBL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16256AL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:261 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600Mhz DDR3L |
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IS42S16320D-7TL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16320D; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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IS42S16800F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16800F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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IS61LV25616AL-10TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61LV25616AL; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS34ML04G081-TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:IS34ML04G081; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 4G 3V x8 1-bit NAND闪存 |
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IS43TR16640BL-125JBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640BL; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS43TR16128BL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:275 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, 1600MT/s 128Mx16 DDR3L S动态随机存取存储器 |
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IS42S16320F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16320F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R |
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IS42S16320D-7BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S16320D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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IS61LV12816L-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61LV12816L; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS25LQ020B-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 接口类型:Quad SPI; 系列:IS25LQ020B; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 2Mb QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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IS25WP016D-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25WP016D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 1.65-1.95V |
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IS61WV1288EEBLL-10HLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV1288EEBLL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:sTSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async 静态随机存取存储器 |
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IS43TR16128BL-15HBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:245 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:666 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3L S动态随机存取存储器 |
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IS43DR16640C-25DBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43DR16640C; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT |
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IS43DR16320D-25DBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16320D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 |
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IS25LQ020B-JNLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 接口类型:Quad SPI; 系列:IS25LQ020B; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, T&R |
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IS62WV2568BLL-55TLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV2568BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 uA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:18 MHz; 访问时间:55 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS43DR16320C-3DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16320C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS43DR16160B-37CBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16160B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:500 ps; 最大时钟频率:266 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS42SM32400H-75BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42SM32400H; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS |
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IS43TR16640BL-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640BL; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS43DR86400C-3DBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR86400C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS42S86400F-7TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S86400F; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS |
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IS62WV25616BLL-55BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV25616BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 uA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:18 MHz; 访问时间:55 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS43TR16256AL-15HBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256AL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:666 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1333Mhz DDR3L SDAM |
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IS61LPS12836A-200TQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS61LPS12836A; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.1 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS42S86400D-7TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S86400D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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IS25LP032D-JMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:SOIC-16; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M QSPI, 16-pin SOP 300mil ET |
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IS62WV6416BLL-55TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS62WV6416BLL-55BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS25WP128-RMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb QPI/QSPI 16pin SOP 300mil ET |
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IS62WV25616EBLL-45BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV25616EBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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IS43R16160D-6TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43R16160D; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:280 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 |
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IS61WV12816DBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV12816DBLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 uA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2M (128Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS66WVE2M16ECLL-70BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS66WVE2M16ECLL; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器 2M x 16 70ns |
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IS43TR16640C-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640C; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616EDBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电压-最大:3.63 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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IS61C1024AL-12HLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61C1024AL; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:sTSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 12ns 5V Async 静态随机存取存储器 |
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IS61WV5128EDBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV5128EDBLL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器 |
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IS63LV1024L-10JLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:22; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS63LV1024L; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS42S16800F-6TL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16800F; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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IS43R16800E-5TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43R16800E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 |
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IS42S32200L-7BL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S32200L; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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IS62C25616BL-45TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62C25616BL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32M, 1.8V, 2Mx16 Async 静态随机存取存储器 5v |
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IS61C25616AL-10KLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61C25616AL; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4M (256Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS61WV25616BLL-10KLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616BLL; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256K x 16 Async 静态随机存取存储器 |
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IS42S16100H-6BL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:286; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS42S16100H; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:16 Mbit; 组织:1 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 166Mhz,RoHS |
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