| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CY14V104NA-BA25XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14V104NA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM |
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23LC1024-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 类型:Synchronous; 系列:23LC1024; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 最大时钟频率:16 MHz; 访问时间:32 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 SQI EXT |
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71V124SA12PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:20.95 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 2G 256MX8 FBGA |
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CAT25M01VI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAT25M01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 1MB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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S29GL01GS12DHIV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:120 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 1G 3V 120ns Parallel NOR闪存 |
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IS61LV12816L-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61LV12816L; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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M24512-RDW6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:STMicroelectronics; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M24512-R; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:0.4 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 512Kb and 256Kb Ser |
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DS28E01P-100+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:120; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5.25 V; 工作电源电流:6.7 uA; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 系列:DS28E01P; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.25 V; 电源电压-最小:2.8 V; 电源电流—最大值:6.7 uA; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:1 k x 1; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSOC-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
电可擦除可编程只读存储器 1Kb Protected 1-Wire 电可擦除可编程只读存储器 with SHA-1 Engine |
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AT27C512R-70PU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:30 ns; 工作电源电压:5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:70 ns; 封装:Tube; 系列:AT27C512R; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:100 uA; 接口类型:Parallel; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 512Kb (64Kx8) OTP 5V 70ns |
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93LC46A-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:93LC46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 |
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24AA02-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:24AA02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 - 1.8V |
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24LC02B-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24LC02B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 - 1.8V |
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24LC16B-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 2.5V |
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25AA02UID-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K SPI EE Unique ID |
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24AA64/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24AA64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8kx8 - 1.8V |
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AT25DF512C-SSHN-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Page Erase; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 k x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:512 kbit; 系列:AT25DF512C; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 512K, 1.65V, 85Mhz Serial Flash |
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93LC56-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 8, 128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8-128x16 |
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AT88SC0104CA-SH-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryptoMem,Gen2,1Kbit 4Zone, 8SOIC, GRN |
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25LC040/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 512x8 2.5V |
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25LC160A-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 16B - 2.5V |
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AT25DF011-SSHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25DF011; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 1Mb, 1.65V, 85Mhz Serial Flash |
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24FC128T-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC128; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:400 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16kx8 - 2.5V HI-Spd |
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24LC128-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:24LC128; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16kx8 - 2.5V |
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25LC640-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8kx8 - 2.5V |
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24LC256-I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:5.99 mm; 长度:4.92 mm; 高度:0.84 mm; 封装:Tube; 系列:24AA256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32kx8 - 2.5V |
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23A256-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Microchip Technology; 类型:Synchronous; 系列:23A256; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:32 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND |
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CY62138EV30LL-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62138EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP 静态随机存取存储器 |
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S25FS256SAGBHV200 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FS256S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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SST39VF6402B-70-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:18.5 (Max) mm; 类型:Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 长度:12.2 (Max) mm; 高度:1.05 (Max) mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64M (4Mx16) 70ns Commercial Temp |
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S29GL256S90FHI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1049G30-10VXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S |
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S29GL512T11TFIV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL512SDPBHI210 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512Mb 3V 66MHz Serial NOR闪存 |
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AT28HC256F-90JU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.51 mm (Max); 长度:14.1 mm (Max); 高度:2.79 mm (Min); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:90 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K FAST PROG SDP - 90NS IND TEMP |
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7134SA55JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7134; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32K(2KX16)CMOS DUAL PORT |
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CY7C1370KV33-167AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:163 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S |
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DS1245Y-120IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:11; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:43.69 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1245Y; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:120 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-32; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
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72V06L15JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:72V06; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 组织:16 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:144 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 16Kx9 3.3V ASYNC 先进先出 |
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AT24C01C-MAHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 系列:AT24C01C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 2-WIRE 8 UDFN, PB HALOFREE NiPdAu 1.7V |
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IS25LQ020B-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 接口类型:Quad SPI; 系列:IS25LQ020B; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 2Mb QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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IS25WP016D-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25WP016D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 1.65-1.95V |
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IS61WV1288EEBLL-10HLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV1288EEBLL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:sTSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async 静态随机存取存储器 |
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S34MS01G200BHI000 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:45 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:S34MS01G2; 封装 / 箱体:BGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 1Gb, 1.8V, 45ns NAND闪存 |
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IS43TR16128BL-15HBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:245 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:666 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.35V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3L S动态随机存取存储器 |
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AS7C4098A-15JCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4098A-15; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 5V, 15ns, FAST 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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AS7C34096A-12TCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C34096A-12; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS7C4098A-15TCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4098A-15; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 5V, 15ns, FAST 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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IS43DR16640C-25DBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43DR16640C; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT |
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IS43DR16320D-25DBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16320D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 |
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