| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GS71116AU-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AU; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M C Temp |
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GS71116AU-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AU; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I Temp |
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GS74116AX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
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GS84018CB-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS84018CB; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M |
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GS881Z18CD-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS881Z18CD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA, 130 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS882Z18CD-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS882Z18CD; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS88237CB-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:42; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS88237CB; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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GS816218DD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816218DD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA, 195 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS816236DB-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816236DB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8182Q18BD-167 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q18BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:435 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8162Z36DD-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS8162Z36DD; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8180QV36BD-167 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-I; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad; 系列:GS8180QV36BD; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:2.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8322Z36AD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8322Z36AD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:205 mA, 240 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M |
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GS8342Q36BD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q36BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:825 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M |
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GS8321Z18AD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8321Z18AD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:215 mA, 255 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
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GS832018AGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS832018AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:175 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
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GS8160Z36DGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8162Z36DGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8162Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS816036DGT-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
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GS8662Q18BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8662Q18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:860 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M |
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GS8673ED36BGK-675 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:8; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IIIe B4; 系列:GS8673ED36BGK; 存储类型:QDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:3.17 A; 电源电压-最小:1.3 V; 电源电压-最大:1.4 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:675 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.5V 2M x 36 72M |
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GS8128218GB-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SCD/DCD; PL/FT; 系列:GS8128218GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:350 mA, 440 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M |
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GS864036GT-167IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS864036GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA, 290 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:8 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 36 72M |
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GS8640Z18GT-167IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8640Z18GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:260 mA, 215 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:8 ns; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 18 72M |
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GS81302D38GE-450I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS81302D38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.54 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M |
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GS81302TT20GE-500I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+; 系列:GS81302TT20GE; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.08 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:500 MHz; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M |
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GS8673ET18BGK-675I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:8; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-IIIe B2; 系列:GS8673ET18BGK; 存储类型:DDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.75 A; 电源电压-最小:1.3 V; 电源电压-最大:1.4 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:675 MHz; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.5V 4M x 18 72M |
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GS8673ED36BGK-675I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:8; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IIIe B4; 系列:GS8673ED36BGK; 存储类型:QDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:3.17 A; 电源电压-最小:1.3 V; 电源电压-最大:1.4 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:675 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.5V 2M x 36 72M |
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GS81284Z36GB-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81284Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:385 mA, 475 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M |
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GS81302DT38GE-500I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS81302DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.67 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:500 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M |
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GS8128018GT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS8128018GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:350 mA, 440 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 8M x 18 144M |
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GS82582QT20GE-450I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+ B2; 系列:GS82582QT20GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.3 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 16M x 18 288M |
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GS82582DT38GE-550 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS82582DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:1.3 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 8M x 36 288M |
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GS82564Z36GD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z36GD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 8M x 36 288M |
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GS8256418GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SCD/DCD; PL/FT; 系列:GS8256418GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 16M x 18 288M |
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GS82564Z18GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z18GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 16M x 18 288M |
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GS8644Z36E-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT MCM; 系列:GS8644Z36E; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:295 mA, 435 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M |
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GS8256436GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SCD/DCD; PL/FT; 系列:GS8256436GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 8M x 36 288M |
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GS82564Z36GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 8M x 36 288M |
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GS8256418GD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SCD/DCD; PL/FT; 系列:GS8256418GD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 16M x 18 288M |
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GS82564Z18GD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z18GD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5/3.3V 16M x 18 288M |
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GS81313LQ18GK-714I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IIIe B2; 系列:GS81313LQ18GK; 存储类型:DDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.7 A; 电源电压-最小:1.2 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:714 MHz; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 8M x 18 144M |
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GS82582QT19GE-400I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+ B2; 系列:GS82582QT19GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.18 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 16M x 18 288M |
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GS82582DT19GE-450I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+ B4; 系列:GS82582DT19GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 16M x 18 288M |
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GS81313LQ18GK-800I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IIIe B2; 系列:GS81313LQ18GK; 存储类型:DDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.9 A; 电源电压-最小:1.2 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:800 MHz; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 8M x 18 144M |
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GS82564Z18GD-333IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z18GD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 访问时间:4.5 ns; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 16M x 18 288M |
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GS81314LQ19GK-933I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IVe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IVe B2; 系列:GS81314LQ19GK; 存储类型:QDR-IVe; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2.25 A; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:933 MHz; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 8M x 18 144M |
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GS81314LD37GK-933I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IVe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IVe B4; 系列:GS81314LD37GK; 存储类型:QDR-IVe; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2.95 A; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:933 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 4M x 36 144M |
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GS81314LD19GK-933I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IVe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IVe B4; 系列:GS81314LD19GK; 存储类型:QDR-IVe; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2.25 A; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:933 MHz; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 8M x 18 144M |
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GS82583ET36GK-625I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-IIIe B2; 系列:GS82583ET36GK; 存储类型:DDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:625 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.5V 8M x 36 288M |
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