| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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71321SA55JG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71321SA55; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT |
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72V2105L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V2105; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 组织:256 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:4 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 256Kx18 3.3V SUPERSYNC 先进先出 |
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72V2113L6PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V2113; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 组织:256 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:4 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先进先出 |
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71V124SA12PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:20.95 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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7134SA55JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7134; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32K(2KX16)CMOS DUAL PORT |
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72V06L15JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:72V06; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 组织:16 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:144 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 16Kx9 3.3V ASYNC 先进先出 |
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71024S12YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA20TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71024S15TYGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71321LA25JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71321LA25; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT |
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71016S15PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA25TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V416L10PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416L10; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71V424S15YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V424; 存储类型:SDR; 长度:23.4 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71016S20PHG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA25YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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7201LA12TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:FIFO; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 系列:7201L; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 512 X 9 CMOS PARALLEL FIF |
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71V016SA12PHG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71256SA20YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V016SA12PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016SA12; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71V416L12PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71256SA15YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA20YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71016S12YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:28.6 mm; 高度:2.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V256SA15PZGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.8 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V256SA; 存储类型:SDR; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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72225LB15TFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 系列:72225LB15; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 1K X 18 先进先出 SYNCHRONOUS |
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71V67903S85PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V67903S85; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:87 MHz; 访问时间:8.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T |
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71V67603S166BQG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:13 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V67603S166; 存储类型:SDR; 长度:15 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:340 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L |
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72V255LA10TFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:80; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 系列:72V255; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 IDT |
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72V295L15PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 系列:72V295; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:1; 组织:128 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:131 kbit; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 先进先出 |
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71256L25YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256L25; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA20PZGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.8 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V424L15YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V424L15; 存储类型:SDR; 长度:23.4 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71024S15TYG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71024S20TYGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V124SA15PHG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:20.95 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71024S15YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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7202LA50JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:7202L; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:50 ns; 最大时钟频率:15 MHz; 电路数量:2; 组织:1 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 1K X 9 CMOS PARALLEL FIF |
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7164L20YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164L20; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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70V659S10DRG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 系列:70V659; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128K x 36 3.3V Dual-Port RAM |
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7052L20PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7052L20; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-120; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 FOUR PORT STATIC RAM |
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71V016SA20PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016SA20; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71T75602S133BGG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S133; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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71V67603S133BQG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:13 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V67603S133; 存储类型:SDR; 长度:15 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L |
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72V3623L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V3623; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-128; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX36K2 BUS BIDIRECTIONAL |
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72V3680L7-5PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 系列:72V3680L7; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 16Kx36 SuperSync II 先进先出 3.3V 166MHz 5V |
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71T75902S85BGG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75902S85; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:8.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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71V35761SA200BG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V35761SA200; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:360 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.1 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3 |
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7164S20TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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71V016SA15PHGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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