| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SN74V293-7PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V215-7PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V215; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 Synchronous 先进先出 Memory |
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BQ2022ADBZRG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
商标名:SDQ; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EPROM; 开发套件:BQ2022AEVM-001; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2022A; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1KB Ser 可擦除可编程ROM |
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SN74ALVC7804-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:18 ns; 最大时钟频率:25 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs |
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SN74ALVC7804-25DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:18 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs |
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BQ2204APN |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:5 V; 存储器通道数量:4; 商标:Texas Instruments; 类型:Non-Volatile SRAM (NVSRAM); 系列:bq2204A; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 描述/功能:Converts CMOS SRAM into nonvolatile memory; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-16; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电池备用开关:Yes; 存储类型:Nonvolatile SRAM; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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BQ2205LYPW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 存储器通道数量:1; 锂电池监视器:Yes; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 类型:Non-Volatile SRAM (NVSRAM); 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 描述/功能:Provides all the necessary functions for converting one or two banks; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:210 uA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 电池备用开关:Yes; 存储类型:Nonvolatile SRAM; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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SN74V3680-15PEU |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V3680; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:16 k x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16384 x 36 Synch 先进先出 Memory |
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BQ2026LPR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.65 V to 5.5 V; 开发套件:BQ2026EVM; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2026; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:12 V; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 存储容量:1.5 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1.5K-B Serial 可擦除可编程ROM |
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BQ2205LYPWG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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SM28VLT32SHKN |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:NOR Flash; 商标:Texas Instruments; 系列:SM28VLT32-HT; 封装 / 箱体:CFP-14; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
NOR闪存 32-Mbit High-Temp Flash Memory with Serial Peripheral Interface (SPI) Bus 14-CFP -55 to 210 |
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SN74V3690-6PEU |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V3690; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:2; 组织:32 k x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 32768 x 36 Synch 先进先出 Memory |
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BQ2026DBZR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.65 V to 5.5 V; 开发套件:BQ2026EVM; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2026; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:12 V; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 存储容量:1.5 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1.5K-B Serial 可擦除可编程ROM |
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SN74ACT7804-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 asynch 先进先出 Memory |
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SN74V293-15PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74ALVC7806-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7806; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:20 ns; 电路数量:2; 组织:256 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:4.5 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16-Bit Edg-Trig D-Ty F-F W/3-State Otpt |
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SN74ACT7813-15DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7813; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:67 MHz; 电路数量:2; 组织:64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 kbit; 总线定向:Bidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 64 x 18 synchronous 先进先出 memory |
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SN74ACT2226DW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ACT2226; 高度:2.35 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-24; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:22 MHz; 电路数量:4; 组织:64 k x 1 x 2; 定时类型:Synchronous; 存储容量:128 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:1 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Dual 64x1 先进先出 Mem |
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SN74ALVC7814-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7814; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:18 ns; 电路数量:2; 组织:64 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:1.125 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16-Bit Buffer/Driver With 3-State Outputs |
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