| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS7C38096A-10TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C38096A; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 8; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS42S86400D-7TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S86400D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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24AA00-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 x 8; 存储容量:128 bit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16byte 128kb 1.8V |
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93AA46B-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:7.87 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:93AA46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64x16 |
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93LC56BT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x16 |
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24AA08-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 1.8V |
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24LC04B-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:150; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Tube; 系列:24LC04B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K, 512x8 2.5V SERIAL EE, IND |
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24LC08BT-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.95 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 2.5V Lead Free Package |
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25AA010A-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 1.8V SER EE IND |
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25AA010A-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 1.8V SER EE IND |
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24AA64F-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:24AA64F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 1.8V SER EE IND 1/4AWP |
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25LC160AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 16B - 2.5V |
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LE25U20AQGTXG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LE25U20AQG; 封装 / 箱体:VDFN-5x6-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 2M BIT SERIAL FLASH MEMOR |
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25AA320A-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:25AA320A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32K 4KX8 1.8V SER EE IND |
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LE25S81AMDTWG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 结构:Sector; 速度:70 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 90 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:70 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:8 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:LE25S81A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 8 Mb Serial Flash Me |
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25AA160-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:475 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 1.8V |
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25C160-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 5V |
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25LC128-I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6 mm; 长度:5 mm; 高度:0.84 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128k 16KX8 2.5V SER EE IND |
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SST25VF040B-50-4I-QAF-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:50 MHz; 存储类型:Serial Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:50 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:TDFN-S-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4M (512Kx8) 50MHz 2.7-3.6V Industrial |
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SST39VF402C-70-4I-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash |
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BU9883FV-WE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BU9883FV-W; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 2-Wre 2Kx3ch SSOP-B16 电可擦除可编程只读存储器 |
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SST39SF020A-55-4I-WHE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:208; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4.5 to 5.5 2Mbit Multi-Purpose Flash |
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W25Q64JVTBIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64JV; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector |
|
SST39SF040-55-4C-WHE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:208; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash |
 |
N25S830HAS22I |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ON Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:N25S830HA; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial, 2-Wire, SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
静态随机存取存储器 256KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器 |
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SST39VF1682-70-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2M X 8 70ns |
 |
CY62126EV30LL-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62126EV30LL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
 |
71024S12YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
![TC58BVG0S3HBAI4 存储器 IC]( "TC58BVG0S3HBAI4 存储器 IC") |
TC58BVG0S3HBAI4 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
 |
W971GG6SB-18 |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W971GG6SB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 1Gb, DDR2-1066, x16 |
 |
S25FL128SDPNFI000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL128SDPMFIG11 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128Mb 3V 66MHz Serial NOR闪存 |
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71256SA20TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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CY7C1020D-10VXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1020D; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:32 k x 16; 存储容量:512 kbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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S29GL128P11FFIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR闪存 |
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AT28HC256F-90SU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:7.6 mm (Max); 长度:18.1 mm (Max); 高度:2.35 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:90 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K FAST PROG SDP - 90NS IND TEMP |
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CY7C1361C-133AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1361C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 133Mhz 256K x 36 Flow-Thru 静态随机存取存储器 |
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DS1230W-100+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:3.3 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.29 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230W; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:100 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1245AB-70IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:11; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:43.69 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1245AB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-32; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
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IS25LP032D-JMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:SOIC-16; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M QSPI, 16-pin SOP 300mil ET |
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IS62WV6416BLL-55TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS62WV6416BLL-55BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS25WP128-RMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb QPI/QSPI 16pin SOP 300mil ET |
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AS7C1024B-12JCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C1024B-12; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS62WV25616EBLL-45BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV25616EBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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IS43R16160D-6TL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43R16160D; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:280 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器 |
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IS61WV12816DBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV12816DBLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 uA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2M (128Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS66WVE2M16ECLL-70BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS66WVE2M16ECLL; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器 2M x 16 70ns |
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IS43TR16640C-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640C; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616EDBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电压-最大:3.63 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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