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存储器 IC
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
MT29F1G08ABAEAH4:E TR 存储器 IC MT29F1G08ABAEAH4:E TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 1G 128MX8 FBGA
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR 存储器 IC MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:16 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VBGA-100; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 16G 2GX8 VBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR 存储器 IC MT41K256M8DA-125 AAT:K TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR3 2G 256MX8 FBGA
MTEDFBR008SCA-1P2IT 存储器 IC MTEDFBR008SCA-1P2IT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:150; 产品类型:Managed NAND; 接口类型:USB 3.1; 商标:Micron; 封装 / 箱体:eUSB; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 存储容量:8 GB; 类型:eUSB; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 托管型NAND SLC 8GB EUSBSSD VBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR 存储器 IC MT41K128M8DA-107 IT:J TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:162 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR3 1G 128MX8 FBGA
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR 存储器 IC MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:105 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 LBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR 存储器 IC MT47H128M16RT-25E AIT:C TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR2 2G 128MX16 FBGA
MT25QL128ABA8E12-0AAT TR 存储器 IC MT25QL128ABA8E12-0AAT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR 存储器 IC MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8MX16 TSOP
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G 存储器 IC MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 2G 256MX8 TSOP
MT41K512M8DA-107 IT:P TR 存储器 IC MT41K512M8DA-107 IT:P TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:64 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR 存储器 IC MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:95 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 TSOP
MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR 存储器 IC MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:SOP2-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 SOIC
MT28EW128ABA1HPC-0SIT TR 存储器 IC MT28EW128ABA1HPC-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 LBGA
MT48LC32M8A2P-6A:G TR 存储器 IC MT48LC32M8A2P-6A:G TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:32 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 32MX8 TSOP
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR 存储器 IC MT41K512M8DA-107 AIT:P TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:64 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR 存储器 IC MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8MX16 FBGA
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR 存储器 IC MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology 存储器 IC 定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 电源电流—最大值:35 mA; 接口类型:Parallel; 商标:Micron; 速度:533 MHz; 产品:NAND-Based MCP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 组织:512 M x 8, 64 M x 32; 存储类型:Flash, LPDDR2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 存储器 IC MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 256MX4 TBGA DDP
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR 存储器 IC MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 1G 128MX8 FBGA
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR 存储器 IC MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA
MT28EW128ABA1LPC-0SIT TR 存储器 IC MT28EW128ABA1LPC-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 LBGA
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR 存储器 IC MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:VFBGA-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR 存储器 IC MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA
MT46V16M16CY-5B IT:M TR 存储器 IC MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 FBGA
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR 存储器 IC MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 2G 256MX8 FBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR 存储器 IC MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT46H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:4.8 ns; 最大时钟频率:208 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 MOBILE DDR 2G 128MX16 FBGA
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR 存储器 IC MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 最大时钟频率:133 MHz; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:2 G x 1; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 2G 2GX1 TBGA
MTFC4GMWDQ-3M AIT A 存储器 IC MTFC4GMWDQ-3M AIT A Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; eMMC MLC EMMC 32G
MT25QU128ABB8E12-0AUT 存储器 IC MT25QU128ABB8E12-0AUT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT25QU; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT 存储器 IC MT29C1G12MAADYAKD-5 IT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1140; 产品类型:Multichip Packages; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29C; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装
MT46V32M16P-5B XIT:J 存储器 IC MT46V32M16P-5B XIT:J Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP
MT40A512M8SA-062E IT:F 存储器 IC MT40A512M8SA-062E IT:F Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A1G16KD-062E IT:E 存储器 IC MT40A1G16KD-062E IT:E Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1140; 产品类型:DRAM; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.2 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT25QU512ABB8E12-0AUT 存储器 IC MT25QU512ABB8E12-0AUT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA
MT28EW01GABA1HPC-0AAT 存储器 IC MT28EW01GABA1HPC-0AAT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1104; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 速度:105 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 LBGA
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR 存储器 IC MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Micron Technology 存储器 IC 定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 电源电流—最大值:30 mA; 接口类型:Parallel; 商标:Micron; 速度:533 MHz; 产品:NAND-Based MCP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 组织:512 M x 8, 128 M x 32; 存储类型:Flash, LPDDR2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 4 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 8G
MTFC16GAKAEEF-AAT 存储器 IC MTFC16GAKAEEF-AAT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; eMMC MLC EMMC 16G
MT29F4G08ABADAH4:D TR 存储器 IC MT29F4G08ABADAH4:D TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
MTFC8GACAALT-4M IT TR 存储器 IC MTFC8GACAALT-4M IT TR Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TBGA-100; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:24 MB/s; 连续读取:120 MB/s; 存储容量:8 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; eMMC
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E 存储器 IC MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29T; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 ALL IN ONE MCP 72G
MT46V16M16P-5B XIT:M 存储器 IC MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 TSOP
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT 存储器 IC MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT Micron Technology 存储器 IC 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1782; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 组织:128 M x 8, 16 M x 32; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29C; 封装 / 箱体:VFBGA-130; 存储容量:1 Gbit, 512 Mbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 MASSFLASH/MOBILE DDR 1.5G
MT46V64M8P-5B AIT:J 存储器 IC MT46V64M8P-5B AIT:J Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR 512M 64MX8 TSOP
EDB4432BBBJ-1D-F-D 存储器 IC EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:EDB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 电源电流—最大值:47.6 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:533 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:WFBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 LPDDR2 4G 128MX32 FBGA
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F 存储器 IC MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology 存储器 IC 定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B 存储器 IC MT29F8G08ABABAWP-AATX:B Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F 存储器 IC MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 组织:512 M x 8, 64 M x 32; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MCP; 封装 / 箱体:FBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G
MTFC4GACAALT-4M IT 存储器 IC MTFC4GACAALT-4M IT Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; eMMC eMMC 32G
MT40A1G8SA-075:E 存储器 IC MT40A1G8SA-075:E Micron Technology 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:76 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1333 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; 动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA
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