| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CY7C1315KV18-250BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1315KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:590 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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72V2105L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V2105; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 组织:256 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:4 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 256Kx18 3.3V SUPERSYNC 先进先出 |
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72V2113L6PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V2113; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 组织:256 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:4 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先进先出 |
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S34ML04G200TFI003 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:30 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:S34ML04G2; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 4G, 3V, 25ns NAND闪存 |
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IS42S16320D-7BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42S16320D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V |
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GLS85VM1064B-M-I-LFWE-ND212 |
Greenliant |
存储器 IC |
商标名:NANDrive; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Greenliant; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.3 V; 连续写入:39 MB/s; 连续读取:70 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:GLS85VM1064B; RoHS:Y; 制造商:Greenliant; |
eMMC 64GB eMMC BGA 100b (MLC 5K) I-TEMP |
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93LC86CT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 100 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA, 1 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:2 k x 8, 1 k x 16; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1024x16-2048x8 2.5V IND TEMP, SOIC8 |
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25LC320AT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:25LC320A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32K 4KX8 2.5V SER EE IND |
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AT25DF041B-MAHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25DF041B; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V, T&R |
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AT45DB041E-SHNHA-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:70 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:70 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:AT45DB041E; 封装 / 箱体:SOIC-8 Wide; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 4Mb, 1.65V, 85Mhz Serial Flash |
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25LC1024-E/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:10 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:5.99 mm; 长度:4.92 mm; 高度:0.84 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128K x 8 - 2.5-5.5V |
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S25FS256SAGNFI003 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FS256S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb, 1.8V, 133Mzh MirrorBit SPI Flash |
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S29GL256P10FFI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR闪存 |
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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:64 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 4G 512MX8 FBGA |
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MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8MX16 FBGA |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 电源电流—最大值:35 mA; 接口类型:Parallel; 商标:Micron; 速度:533 MHz; 产品:NAND-Based MCP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 组织:512 M x 8, 64 M x 32; 存储类型:Flash, LPDDR2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G |
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 256MX4 TBGA DDP |
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CY7C1382KV33-167AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S |
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CY7C1440KV33-250AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:2.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB 静态随机存取存储器 with ECC |
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AS4C32M16D2A-25BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M16D2A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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24AA512T-I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6 mm; 长度:5 mm; 高度:0.84 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:0.4 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64kx8 - 1.8V |
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AT45DB081E-UUN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT45DB081E; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 SPI Serial FLASH 8Mb, IND TEMP, 1.7V |
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CAT25512HU5I-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT25512; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 512KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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SST39LF800A-55-4C-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:3 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:6 mm; 类型:No Boot Block; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 长度:8 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:512 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 512K X 16 55ns |
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M95M01-DWDW4TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M95M01-A145; 最大工作温度:+ 145 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 M x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 Auto 1024Kb SPI bus 电可擦除可编程只读存储器 |
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AT45DB161E-MHF2B-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:70 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:70 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:AT45DB161E; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 16M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash |
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MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 1G 128MX8 FBGA |
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CY62136EV30LL-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62136EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA |
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S29GL512S11DHIV23 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL512S11DHIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR闪存 |
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CY7C1470BV33-200BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1470BV33; 存储类型:Volatile; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:500 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz 静态随机存取存储器 |
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MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16M X 16 54 BGA I TEMP , LEADED TAPE AND REEL |
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AS4C4M32S-7BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C4M32S; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 S动态随机存取存储器 |
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MR25H40VDF |
Everspin Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:MRAM; Pd-功率耗散:0.6 W; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Everspin Technologies; 封装:Tray; 系列:MR25H40; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:46.5 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 访问时间:25 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 接口类型:SPI; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Everspin Technologies; |
磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI 磁阻随机存取存储器 (MRAM) |
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MR4A08BUYS45 |
Everspin Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:MRAM; Pd-功率耗散:0.6 W; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Everspin Technologies; 封装:Tray; 系列:MR4A08B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:180 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 访问时间:45 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 存储容量:16 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:TSOP-44; RoHS:Y; 制造商:Everspin Technologies; |
磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM) |
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25AA010AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 1.8V SER EE IND |
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24LC64T-E/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC64; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8kx8 - 2.5V |
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SST26VF016BT-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 SQI Flash Memory 16Mb 1.8V |
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AT45DB321E-MWHF-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:AT45DB321E; 封装 / 箱体:VDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 32M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash |
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S25FL128SAGBHIA13 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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DS2502S+T&R |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.8 V to 6 V; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DS2502; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.8 V; 电源电压-最大:6 V; 编程电压:11.5 V to 12 V; 工作电源电流:5 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:1 k x 1; 存储容量:1 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
可擦除可编程ROM 1Kb Add-Only Memory |
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MT28EW128ABA1LPC-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 LBGA |
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MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:16 M x 8/8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:VFBGA-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 8MX16 VFBGA |
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S25FL256SAGNFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb, 3V, 133Mhz SPI NOR闪存 |
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S25FS256SDSNFI000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FS128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb, 1.8V, 80Mhz MirrorBit SPI Flash |
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MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 256M 16MX16 FBGA |
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MT46V16M16CY-5B IT:M TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 FBGA |
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S29WS256P0SBFW000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 定时类型:Asynchronous, Synchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29WS-P; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 1.8V 80Mhz Parallel NOR闪存 |
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CY7C1380KV33-167AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:163 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S |
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