器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS25LQ032B-JNLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS25LQ032B; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS |
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AT24CS08-STUM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器, 8K 2-WIRE-5 SOT23 |
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IS25LQ032B-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LQ032B; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V |
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IS25LQ016B-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LQ016B; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V |
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M24C08-FDW6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M24C08-F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 8 Kbit serial I2C Bus 电可擦除可编程只读存储器 |
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M95320-WMN6P |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:STMicroelectronics; 宽度:4 mm; 长度:5 mm; 高度:1.65 mm; 系列:M95320-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:10 ms; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 5.5V 32K (4Kx8) |
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M95512-DFCS6TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2.5 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M95512-DF; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2.5 mA; 最大时钟频率:16 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:WLCSP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 512Kb Serial Bus 2.5V to 5.5V 10MHz |
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TC58CYG1S3HRAIG |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 组织:256 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Gbit; 系列:TC58CY; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm Serial NAND |
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DS1225Y-200IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 商标:Maxim Integrated; 系列:DS1225Y; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 64K Nonvolatile SRAM |
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M34E04-FMC9TG |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:STMicroelectronics; 宽度:2 mm; 长度:3 mm; 高度:0.55 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M34E04; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:UFDFPN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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S29GL01GT11TFIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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M24C01-RMN6P |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:800 uA; 商标:STMicroelectronics; 宽度:4 mm; 长度:5 mm; 高度:1.65 mm; 系列:M24C01-R; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:0.8 mA; 最大时钟频率:0.4 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V 1K (128x8) |
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S25FL256LAGBHI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL256LAGMFI001 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 定时类型:Synchronous; 接口类型:SPI; 系列:S25FL256L; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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IS25LQ032B-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS25LQ032B; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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M95160-DFMN6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M95160-DF; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 16-Kb SPI Bus 电可擦除可编程只读存储器 w/ hi-spd clock |
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AT24CS08-MAHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器, 8K 2-WIRE-8 UDFN |
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CY7C1315KV18-250BZI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1315KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:590 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:-; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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AT24MAC602-STUM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器, 2K 2-WIRE-5 SOT23 |
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SFUI8192J1AB1TO-I-GS-2AP-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
商标名:everbit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 商标:Swissbit; 产品:USB 2.0; 尺寸:26.65 mm x 36.8 mm x 2.54 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.1 V to 5.5 V; 连续写入:29 MB/s; 连续读取:40 MB/s; 存储容量:8 GB; 系列:U-46; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
托管型NAND 8GB USB FLASH DRIVE MODULE PSLC U-46 IND |
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SFUI2048J1AB2TO-I-MS-211-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 电源电流—最大值:100 mA; 商标:Swissbit; 产品:USB 2.0; 尺寸:36.8 mm x 26.65 mm x 9.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.1 V to 5.5 V; 连续写入:26 MB/s; 连续读取:37 MB/s; 存储容量:2 GB; 系列:U-400; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
托管型NAND 2GB IND USB FLASH DRIVE SLC IND TEMP |
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SFUI8192J1AB1TO-I-GS-2A1-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
商标名:durabit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 电源电流—最大值:100 mA; 接口类型:USB; 商标:Swissbit; 产品:USB 2.0; 尺寸:36.8 mm x 26.65 mm x 9.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.1 V to 5.5 V; 存储容量:8 GB; 系列:U-45; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
托管型NAND 8GB USB FLASH DRIVE MODULE MLC U-45 IND |
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7164L85DB |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:13; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:15.24 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164L85; 存储类型:SDR; 长度:37.2 mm; 高度:1.65 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:CDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:85 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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SN74V3690-6PEU |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V3690; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:2; 组织:32 k x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 32768 x 36 Synch 先进先出 Memory |
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M93C86-RMN3TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
商标名:MICROWIREââ??¢; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M93C86-A125; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:1.5 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:2 k x 8, 1 k x 16; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 Auto 16-Kb MICROWIRE serial 电可擦除可编程只读存储器 |
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CY62128ELL-45SXAT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62128ELL; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power 静态随机存取存储器 |
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CY7C1329H-133AXCT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1329H; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4 ns; 组织:64 k x 32; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 133Mhz 64K x 32 Pipelined Sync 静态随机存取存储器 |
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CY7C1350G-133AXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1350G; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 133Mhz 128K x 36 Pipelined 静态随机存取存储器 |
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CY7C1350G-133AXCT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1350G; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 133Mhz 128K x 36 Pipelined 静态随机存取存储器 |
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CY7C1350G-200AXCT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1350G; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:265 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:2.8 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 200Mhz 128K x 36 Pipelined 静态随机存取存储器 |
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CY7C1325G-133AXCT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:2; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1325G; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:256 k x 18; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 133Mhz 256Kx18 Flow-Thru Sync 静态随机存取存储器 |
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71V3577S75PFG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V3577; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:255 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:117 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4M 3.3V I/O PB静态随机存取存储器 SLOW X |
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CY7C1315KV18-333BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1315; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 最大时钟频率:333 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s |
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SST39VF6402B-70-4C-EKE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Multi-Purpose Flash |
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S29JL064J55TFI003 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29JL064J; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1462KV25-200AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.2 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB 静态随机存取存储器 with ECC |
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CY7C1019DV33-10BVXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1019DV33; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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CY7C1150KV18-400BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1150KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:640 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1168KV18-400BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1168KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:510 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1165KV18-400BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1165KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:850 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:400 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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S29GL032N90DFI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29GL032N; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1441KV33-133BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB 静态随机存取存储器 with ECC |
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71256L35YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256L35; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:35 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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AT45DB321E-MWHF2B-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:AT45DB321E; 封装 / 箱体:VDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 32M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash |
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AT25512Y7-YH-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V; 工作电源电流:7 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:4.9 mm; 长度:6 mm; 高度:0.85 mm (Max); 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:7 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:80 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:64 k x 8; 存储容量:512 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8V |
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CY7C1423KV18-250BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1423KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:430 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1415KV18-250BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1415KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:640 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1420KV18-250BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1420KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:490 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1414KV18-250BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1414KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:730 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1353G-100AXCT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:2; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1353G; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:205 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 18; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 100Mhz 256K x 18 Flow-Thru Sync 静态随机存取存储器 |