| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CY14V101NA-BA25XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14V101NA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 1Mb 25ns 64K x 16 nvSRAM |
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CAV25512YE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25512; 封装 / 箱体:TSSOP-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 512KB SPI SER CMOS E |
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CAT25M01XI-T2 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT25M01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 1MB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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CY7C1411KV18-250BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1411KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:460 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:-; 组织:4 M x 8; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36Mb, 1.8V, 250Mhz (4Mx8) QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1426KV18-300BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1426KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:520 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:4 M x 9; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (4Mx9) 2.9v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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24C02CT-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 SER EE IND |
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24C01C-E/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:1 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 |
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24LC16BT-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 2.5V |
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93LC76C-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:93LC76; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:6 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 8, 512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 |
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24AA32AF-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA, 400 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32K 4K X 8 1.8V SERIAL EE IND 1/4AWP |
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25AA020A-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 1.8V SER EE IND |
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24FC64T-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC64; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8KX8 2.5V HI-SP SER EE IND |
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BR24L01AFVM-WTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:2.8 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24L01AFVM-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:0.4 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 1K MSOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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24LC22A-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:24LC22A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:10 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 VESA E-EDID |
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BR24T64NUX-WTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24T64-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 64K VSON008X2030 电可擦除可编程只读存储器 |
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M95640-DRMN8TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 宽度:3.8 mm; 长度:4.8 mm; 高度:1.75 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M95640-DRE; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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BR24G256FV-3GTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G256-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 256K SSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器 |
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93AA66-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:93AA46; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 8, 256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 512x8-256x16 - 1.8V |
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25AA160B-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16k 2kx8 32B Pg-1.8V |
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25LC160B-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16k 2kx8 32B Pg-2.5V |
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CAV25080VE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA, 3 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25080; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:35 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 8KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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25LC320A-H/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Tube; 系列:25LC320A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32K 4K X 8 2.5V SER EE 150C |
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23A640T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:SRAM; 端口数量:1; 商标:Microchip Technology; 类型:Synchronous; 系列:23A640; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:32 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 64K 8K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND |
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AT25XE011-SSHN-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Tube; 系列:AT25XE011; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 X-Energy, 8-SOIC-N, IND TEMP, 1.65V, TUBE |
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CAV25320VE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25320; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 32KB SPI SER CMOS EE |
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25AA080-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:475 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 1.8V |
|
AT25XE041B-SSHN-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Tube; 系列:AT25XE041; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 X-Energy, 8-SOIC-N, IND TEMP, 1.65V-3.6V, TUBE |
 |
AT25XE011-XMHN-B |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Tube; 系列:AT25XE011; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 X-Energy, 8-TSSOP, IND TEMP, 1.65V, TUBE |
 |
SST39VF400A-70-4C-MAQE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:740; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:WFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Prps Fl |
 |
24FC1026-I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIJ-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 2.5V HI-SPD EE 128BYTE PG |
 |
71016S20PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
 |
S29GL064S90TFVV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064S; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL128S10FHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR闪存 |
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SST38VF6402B-70I/CD |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST38VF640; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64 Mbit x16 Advanced Multi-Pur Flash plus |
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CY62148G30-45SXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:125; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 MoBL 静态随机存取存储器 4-Mbit |
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LE25S20XATAG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 SPI 2M BIT SERIAL FLASH M |
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N01S818HAT22IT |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:N01S818HA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1MB 1.8V HOLD FUNCT |
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THGAF8T1T83BAIR |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:Universal Flash Storage (UFS); 湿度敏感性:Yes; 电源电流—最大值:200 mA; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 系列:THGAF; 封装:Tray; 型号:v2.1 Gen 6; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 封装 / 箱体:VFGBA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 接口类型:UFS 2.1; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 存储容量:256 GB; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
通用闪存存储 (UFS) 256GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1 |
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72V3640L6PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:FIFO; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 系列:72V3640; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:1; 组织:1024 x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:36.864 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 |
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CY7C1412KV18-250BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1412KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:610 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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S29JL064J55BHI003 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:FBGA-48; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29JL064J; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT25QU256ABA8E55-0SIT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:XFWLBGA-23; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SLC 256M Die 64MX4 |
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CY7C2263KV18-550BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C2263KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:850 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 550MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1513KV18-250BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1513KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:500 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1512KV18-300BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1512KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:750 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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S29GL01GS10DHI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1514KV18-250BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1514KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:790 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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25LC640AT-M/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 2.5V SERIAL EE MIL |
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CY14B101LA-SZ25XIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:CY14B101LA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM |
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AT88SC25616C-MJ |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.4 mm; 长度:12.6 mm; 高度:0.58 mm (Max); 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:10 Year; 访问时间:35000 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 AT88SCxx family smart card module |
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