| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS4C8M16SA-6TAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C8M16SA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:8 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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IS61LV5128AL-10KLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61LV5128AL; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.63 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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IS61WV25616BLS-25TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616BLS; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 25ns 2.4-3.6V Async 静态随机存取存储器 |
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IS34MW04G084-TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:512 M x 8; 速度:45 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:IS34MW04G084; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 4G 1.8V x8 4-bit NAND闪存 |
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CAT25020YI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT25020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:75 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 2K-Bit SPI Serial CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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24C00T/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:4 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 x 8; 存储容量:128 bit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16byte 128b 5V |
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11LC040T-I/TT |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:11LC040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 2.5V SERIAL EE IND |
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24AA04HT-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.8 mm (Max); 长度:3.1 mm (Max); 高度:1.3 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP |
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24LC01BHT-I/LT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.25 mm; 长度:2 mm; 高度:1 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SC-70-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND 1/2 ARRAYWP |
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93LC46BX-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:93LC46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64x16 Rot Pin |
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11AA010-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11AA010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 1.8V SERIAL EE IND |
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24AA04/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24AA04; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V |
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24AA01T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 - 1.8V |
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AT25020B-XHL-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT25020B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K (256 X 8) SPI, 1.8V |
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AT24CS08-SSHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S/N S电可擦除可编程只读存储器 8K I2C1MHz 8-SOIC-N |
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34AA02-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:34AA02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 18V SERIAL EE IND |
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24LC024T-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC024; 最大工作温度:+ 125 C; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 SER EE 18 I/O 10-BIT ADC |
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93C66B-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x16 |
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24LC024H-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 mA; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24LC024; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:400 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP |
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MT46V64M8P-5B AIT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 512M 64MX8 TSOP |
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CY62167DV30LL-70BVI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62167DV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:70 ns; 组织:2 M x 8, 1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 16Mb 3V 70ns 1M x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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EDB4432BBBJ-1D-F-D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:EDB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 电源电流—最大值:47.6 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:533 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:WFBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR2 4G 128MX32 FBGA |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
Micron Technology |
存储器 IC |
定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G |
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MT29F8G08ABABAWP-AATX:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP |
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CY62157H30-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62157H; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:36 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Micropower 静态随机存取存储器s |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 组织:512 M x 8, 64 M x 32; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MCP; 封装 / 箱体:FBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 2 Gbit; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 6G |
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CY7C1311KV18-250BZC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1311KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:430 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:2 M x 8; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 2M x 8 QDR II 静态随机存取存储器 |
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8403611LA |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 端口数量:1; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:84036; 存储类型:SDR; 长度:32.51 mm; 高度:3.56 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:CDIP-24; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2Kx8 Async 5.0V Low Power 静态随机存取存储器 |
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CY7C1312KV18-250BZC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1312KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:560 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II 静态随机存取存储器 |
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5962-8866202XA |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:13; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:15.24 mm; 类型:Asynchronous; 系列:5962-88662; 存储类型:SDR; 长度:37.2 mm; 高度:1.65 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:CDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256K(32KX8) 静态随机存取存储器 |
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5962-8866203NA |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:13; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:5962-88662; 存储类型:SDR; 长度:37.72 mm; 高度:3.56 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:CDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256K(32KX8) 静态随机存取存储器 |
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CY7C1415KV18-250BZI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1415KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:640 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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7204L30LB |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:FIFO; 商标:Renesas / IDT; 宽度:13.97 mm; 系列:7204L30; 长度:11.4 mm; 高度:1.78 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:LCC-32; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 4KX9BIT PARALLEL CMOS FIF |
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AT28C256-20DM/883 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 编程电压:5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:80 ns; 工作电源电压:5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:15.5 mm (Max); 长度:37.9 mm (Max); 高度:4.2 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电压-最大:5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:50 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:Cerdip-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K 11MIL GRIND - 200NS |
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AT28HC256-90FM/883 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:2.7 V, 3.6 V; 工作电源电流:80 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:10.57 mm (Max); 长度:18.8 mm (Max); 高度:3.02 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:70 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:Flatpack-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K 5V SDP - 90NS FLATPACK 883C |
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70T3519S133BCI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:17 mm; 类型:Synchronous; 系列:70T3519S133; 存储类型:SDR; 长度:17 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-256; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:450 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:2.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM |
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SM28VLT32SHKN |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:NOR Flash; 商标:Texas Instruments; 系列:SM28VLT32-HT; 封装 / 箱体:CFP-14; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
NOR闪存 32-Mbit High-Temp Flash Memory with Serial Peripheral Interface (SPI) Bus 14-CFP -55 to 210 |
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MT46V64M8CV-5B IT:J |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:64 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 DDR1 512M 64M X 8 84 BGA I TEMP , LEADED |
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IS25LQ032B-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LQ032B; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS |
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SFUI032GJ1AB2TO-I-GS-2A1-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
商标名:durabit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 电源电流—最大值:100 mA; 接口类型:USB; 商标:Swissbit; 产品:USB 2.0; 尺寸:36.8 mm x 26.65 mm x 9.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V/5 V; 连续写入:23 GB; 存储容量:32 GB; 系列:U-45; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
托管型NAND 32GB USB FLASH DRIVE MODULE MLC U-45 IND |
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SFUI016GJ1AB1TO-I-QT-211-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 电源电流—最大值:100 mA; 商标:Swissbit; 产品:USB 2.0; 尺寸:36.8 mm x 26.65 mm x 9.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.1 V to 5.5 V; 连续写入:26 MB/s; 连续读取:37 MB/s; 存储容量:16 GB; 系列:U-400; RoHS:Y; 制造商:Swissbit; |
托管型NAND 16GB IND USB FLASH DRIVE SLC IND TEMP |
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W25Q64FWSSIG |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:540; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64FW; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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TC58CVG1S3HRAIG |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 组织:256 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:2 Gbit; 系列:TC58CV; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm Serial NAND |
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MTFC4GACAALT-4M IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC eMMC 32G |
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MT40A1G8SA-075:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:76 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1333 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:8 Gbit; 组织:256 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 LPDDR4 256MX32 WFBGA |
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IS25LQ016B-JNLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS25LQ016B; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS |
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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 高度:12/4/19; 封装:Tray; 系列:MT53E; 存储容量:8 Gbit; 组织:256 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT |
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AT24CS01-STUM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器, 1K 2-WIRE-5 SOT23 |
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DS1225Y-200+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.29 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Bulk; 系列:DS1225Y; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:75 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:200 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 64K Nonvolatile SRAM |
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