| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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S29WS512P0PBFW000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 定时类型:Asynchronous, Synchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29WS-P; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 66Mhz Parallel NOR闪存 |
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72831L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72831L; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 DUAL 2K X 9 |
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AT88SC0808C-MPTG |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2782; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CRYPTOMEMORY 8-KBIT 8 ZONE |
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71T75802S200PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75802S200; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:295 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.2 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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7164S25YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164S25; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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71V424S12YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V424S12; 存储类型:SDR; 长度:23.4 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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7164S20YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164S20; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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CY62147GN30-45ZSXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 MICROPOWER 静态随机存取存储器S |
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AT25XE512C-MAHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25XE512; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V, T&R |
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DS28E25+T |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 商标:Maxim Integrated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DS28E25; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
电可擦除可编程只读存储器 1-W 4KB 电可擦除可编程只读存储器 W/SHA-256 3-TO92 |
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SST26VF016-80-5I-QAE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST26VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh |
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72841L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72841L; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 DUAL 4K X 9 |
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AT28HC256F-90TU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.8 mm; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:90 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K FAST PROG SDP- 90 NS IND TEMP |
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71V67703S85PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V67703S85; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:87 MHz; 访问时间:8.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T |
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SST26WF040BT-104I/NP |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:SQI; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SST26WF040B; 封装 / 箱体:UDFN-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON |
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93LC86T/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 6 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:6 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:2 k x 8, 1 k x 16; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1024x16-2048x8 SOIC8 |
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S29GL01GS10DHA020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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723642L15PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:723642L15; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-120; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:83 MHz; 电路数量:2; 组织:1 k x 36 x 2; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Bidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX36K2 BUS BIDIRECTIONAL |
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AT88SC0104CA-TH-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryptoMemory 1Kbit 4Zone |
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S29AL008J55BFIR23 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:S29AL008J; 封装 / 箱体:FBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT88SC0204CA-TH-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryptoMemory 2Kbit 4Zone |
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25AA160B-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16k 2kx8 32B Pg - 1.8V |
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25LC320A-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:25LC320A; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32K 4KX8 2.5V SER EE EXT |
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BQ2026LPR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.65 V to 5.5 V; 开发套件:BQ2026EVM; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2026; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:12 V; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 存储容量:1.5 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1.5K-B Serial 可擦除可编程ROM |
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25AA320XT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4kx8 Rot Pin |
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SST25VF010A-33-4I-QAE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 类型:No Boot Block; 速度:12 ns; 存储类型:Serial Flash; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 最大时钟频率:33 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Mbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1M (128K x 8) 33MHz |
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SST26WF040B-104I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:SQI; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 系列:SST26WF040B; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC |
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25LC320-E/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:230 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4kx8 |
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93LC76/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V to 6 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:93LC76; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:6 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 8, 512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 |
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SST39VF402C-70-4I-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash |
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W9864G6KH-5 |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:540; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W9864G6KH; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 64Mb, SDR S动态随机存取存储器, x16, 200MHz, 46nm |
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AT88SC12816C-PU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:10 Year; 访问时间:35000 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 16; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CRYPTOMEMORY 128kB 16 ZONE - 8 IND TEMP |
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AT25DF041B-MHN-Y |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Tray; 系列:AT25DF041B; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 1.65V, TRAY |
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SST39LF200A-55-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:128 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2M (128Kx16) 55ns 3.0-3.6V Commercial |
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SST39VF1602-70-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:18.5 (Max) mm; 类型:Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 长度:12.2 (Max) mm; 高度:1.05 (Max) mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1M X 16 70ns |
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SST39WF1601-70-4I-MAQE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:740; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39WF; 封装 / 箱体:WFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1.65V to 1.95V 16mb Multi-Purpose Flash |
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SST26VF064B-104I/TD |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TBGA-24; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory |
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S25FL256LAGMFV001 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Floating Gate; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256L; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL256SAGMFVG00 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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W979H2KBVX2I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W979H2KB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 ~ 85C |
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S25FL256SAGMFB000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL256P90FFCR10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR闪存 |
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S29GL01GS11TFI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 1G 3V 110ns Parallel NOR闪存 |
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7203L12JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:7203L12; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:2; 组织:2 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:18 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 2K X 9 ASYNC 先进先出 |
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CY7C1366C-166AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1366C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 166Mhz 256K x 36 Pipelined Sync 静态随机存取存储器 |
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CY7C1357C-133AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:2; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1357C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 133Mhz 512K x 18 Flow-Thru 静态随机存取存储器 |
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70V9269L12PRFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:High Speed 3.3 V Low Power Synchronous Dual Port Static RAM; 系列:70V9269; 存储类型:SRAM; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-128; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:12 ns; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 16K X 16K |
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AT25020B-MAHL-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 系列:AT25020B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K (256 X 8) SPI, 1.8V |
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IS25WQ020-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:IS25WQ020; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 2Mb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS |
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AS7C164A-15JCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C164A-15; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 64K, 5V, 15ns, FAST 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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