| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AP-UM004GR40CG-2T |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:31.5 mm x 24 mm x 5 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:4 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM 4GB |
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S-24C16DI-M5T1U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire; 组织:2048 x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 |
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S-24C128CI-J8T1U3 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 封装 / 箱体:SOP-8; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 128KB I2C 2 WIRE |
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AP-UM001GR13CS-2MST |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:37.8 mm x 26.65 mm x 10.5 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:1 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM 1GB |
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AP-UM004GR13CS-2MSNRT |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:37.8 mm x 26.65 mm x 10.5 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:4 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND USB D-Module SLC 90D M-SCRW Non-REMOV 4GB |
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AP-UM004GR31CG-2MST |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 ma; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:36.8 mm x 26.5 mm x 7.1 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:4 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM 4GB |
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AP-UM008GR40CG-2T |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:31.5 mm x 24 mm x 5 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:8 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM 8GB |
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S-24C04DI-T8T1U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 封装 / 箱体:TSSOP-8; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb Serial I2C |
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S-24C16DI-T8T1U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire; 组织:2048 x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 |
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AP-UM256MT31EG-2MST |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 ma; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:36.8 mm x 26.5 mm x 7.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:256 MB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND USB D-Module SLC 90D M-SCW Non-REM LP256M |
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AP-UM032GT13ES-2MST |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:37.8 mm x 26.65 mm x 10.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM2 Plus 32GB ET |
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S-24C04DI-M5T1U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 封装 / 箱体:SOT-23-5; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb Serial I2C |
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AP-UM004GT13ES-2MST |
Apacer |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:Managed NAND; 有源模式电流:181 mA; 接口类型:USB 1.1, USB 2.0; 商标:Apacer; 连接器类型:10-pin header; 封装:Bulk; 尺寸:37.8 mm x 26.65 mm x 10.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 连续写入:22 MB/s; 连续读取:34 MB/s; 配置:SLC; 存储容量:4 GB; 类型:USB Disk Module; 系列:UDMII Plus; RoHS:Y; 制造商:Apacer; |
托管型NAND UDM2 Plus 4GB ET |
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S-24C08DI-K8T3U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 封装 / 箱体:TMSOP-8; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 8Kb, I2C 2 wire |
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S-25C040A0I-T8T1U |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:S-25C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI 电可擦除可编程只读存储器, 4KB |
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S-24C16DI-I8T1U5 |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ABLIC; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-24C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire; 组织:2048 x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SNT-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 |
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11LC010-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11LC010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND |
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24FC04T-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-MSOP |
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11LC020-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11LC020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 2.5V SERIAL EE IND |
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11LC040-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11LC040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 2.5V SERIAL EE IND |
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11AA040-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11AA040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 1.8V SERIAL EE IND |
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11LC160-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:11LC160; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2048 X 8 2.5V SERIAL EE IND |
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BR93G76FVJ-3BGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G76-3B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B8J-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 8K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器 |
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24VL014H/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.5 V to 3.6 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.5 V to 3.6 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP |
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25AA080D-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND |
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25AA160C-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND |
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25AA160D-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K, 2K X 8,32B PAGE 1.8V SER EE IND |
|
BR24G128FVT-3AGE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA, 2.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G128FVT-3A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 128K 16384 8bit 电可擦除可编程只读存储器 |
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GS8162Z36DGD-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8162Z36DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA, 270 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS816036DGT-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Synchronous Burst; 系列:GS816036DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
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IS45S32200L-6TLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS45S32200L; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS |
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24FC04HT-I/MUY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-UDFN, IND W/HALF ARRAY WP |
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24FC01T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-TSSOP |
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24FC04H-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, IND W/HALF ARRAY WP |
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24FC04HT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04H; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC, IND W/HALF ARRAY WP |
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24LC01BH-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP |
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BR24G01F-3AGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G01F-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 1K SOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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24FC04T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-TSSOP |
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BR24G08F-3AGTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G08F-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 8K SOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR24G08NUX-3ATTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G08NUX-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 8K VSON008X2030 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR93G56NUX-3TTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G56-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16, 256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 2K VSON008X2030 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR93G56FVM-3GTTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G56-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16, 256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 2K MSOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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93C56AT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 100 uA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 |
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BR93G76FVM-3BGTTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G76-3B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 8K MSOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR93G76NUX-3ATTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 2 mA, 3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93G76-3A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA, 2 mA, 3 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 8K VSON008X2030 电可擦除可编程只读存储器 |
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MTFC16GAKAEEF-AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 16G |
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GS8662Q18BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8662Q18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:860 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:4 M x 18; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M |
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GS8673ED36BGK-675 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IIIe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:8; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IIIe B4; 系列:GS8673ED36BGK; 存储类型:QDR-III; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:3.17 A; 电源电压-最小:1.3 V; 电源电压-最大:1.4 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:675 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.5V 2M x 36 72M |
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S29GL512T12DHVV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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GS8128218GB-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SCD/DCD; PL/FT; 系列:GS8128218GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:350 mA, 440 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M |
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