| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS7C316096C-10TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C316096C; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:2 M x 8; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M, 3.3V, 10ns 2048Kx8 Async 静态随机存取存储器 |
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AS7C34098A-15TCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C34098A-15; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 15ns, FAST 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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S34MS01G200BHI003 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2300; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:45 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:S34MS01G2; 封装 / 箱体:BGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 1Gb, 1.8V, 45ns NAND闪存 |
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IS42S32200L-6BL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32200L; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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MR25H256APDF |
Everspin Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:MRAM; Pd-功率耗散:600 mW; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Everspin Technologies; 封装:Tray; 系列:MR25H256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:6 mA, 23 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:SPI; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Everspin Technologies; |
磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI |
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AS6C8016-55BINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C8016; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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IS42S32160F-6BLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32160F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:167 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R |
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S29GL01GS11FHIV13 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1470BV33-200AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1470BV33; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:500 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz 静态随机存取存储器 |
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MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
定时类型:Asynchronous; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 电源电流—最大值:30 mA; 接口类型:Parallel; 商标:Micron; 速度:533 MHz; 产品:NAND-Based MCP; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 组织:512 M x 8, 128 M x 32; 存储类型:Flash, LPDDR2; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:533 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29RZ; 封装 / 箱体:VFBGA-162; 存储容量:4 Gbit, 4 Gbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/LPDDR2 8G |
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CY7C1061GE30-10BVJXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Async 静态随机存取存储器S |
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SST25PF040CT-40I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SST25PF; 封装 / 箱体:TDFN-S-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4M Flash SPI |
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72241L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7 mm; 系列:72241L10; 长度:7 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-32; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 IDT |
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72V241L15PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7 mm; 系列:72V241; 长度:7 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-32; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 4K x 9 SyncFIFo 3.3V 9-Bit 10ns 5V |
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SST38VF6403-90-5I-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST38VF640; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Parallel Adv MPF+ |
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SST38VF6401-90-5C-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 类型:Boot Block; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST38VF640; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial |
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BRCG064GWZ-3E2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:EEPROM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:UCSP25L1-6; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 64K UCSP35L1 电可擦除可编程只读存储器 |
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25LC160CT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 16B PAGE 2.5V SER EE EXT |
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25LC160DT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT |
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25LC080DT-E/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT |
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71T75602S133PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S133; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:215 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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SST26WF080BT-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:SQI; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SST26WF080B; 封装 / 箱体:TDFN-S-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN |
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72245LB10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72245LB10; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 SYNCHRONOUS 先进先出 4K X 18 |
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25LC080CT-H/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8K, 1K X 8, 16B PAGE 2.5V SER EE 150C |
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71T75902S75PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75902S75; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:295 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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25LC160DT-H/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 32B PAGE 2.5V |
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CAV25128YE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25128; 封装 / 箱体:TSSOP-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 128KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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AT21CS01-SSHM12-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S电可擦除可编程只读存储器, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 8-SOIC |
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AT21CS01-SSHM15-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT21CS01; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 S电可擦除可编程只读存储器, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 8-SOIC |
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BR24S32NUX-WTR |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24S32NUX-W; 封装 / 箱体:VSON008X2030-8; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C 32K BIT 4K X 8 2.5V/3.3V/5V 8PIN |
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25LC160AT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 16B - 2.5V |
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25LC160BT-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16k 2kx8 32B Pg-2.5V |
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LE25W81QES00-AH-1 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LE25W81QES00-AH-1; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 S-FLASH MEMORY(8M) |
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S29GL256P10FAI022 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL512SDPBHVC10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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72V801L15PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V801; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 IDT |
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AT28HC256E-12TU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:50 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.8 mm; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 Parallel 电可擦除可编程只读存储器 5V-120NS, 883c, GR |
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S29GL01GS11DHSS20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL01GS11DHSS60 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL032N90TFI033 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29GL032N; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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70T651S10BFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:7; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:15 mm; 系列:70T651; 长度:15 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-208; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM |
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LE25S81FDTWG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
NOR闪存 8M BIT SERIAL FLASH MEMORY |
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CY62146GE30-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Micropower 静态随机存取存储器s |
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71T75602S133BGGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S133; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:215 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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S29GL256P11FFIV12 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL256P11FAIV22 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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71T75602S166BGG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S166; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:245 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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S29GL01GS11DHV010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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7164S25YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164S25; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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71T75602S166BGGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S166; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:265 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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