| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SST39LF802C-55-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:512 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash |
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SST25VF020-20-4I-QAE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:20 MHz; 存储类型:Serial Flash; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:20 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash |
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SST26VF016-80-5I-QAE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST26VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16M 80MHz 2.7-3.6V Industrial |
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24AA02E48T-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K, SERIAL EE, EXT 256 X 8 1.8V |
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71V124SA12YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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CY62148GN30-45ZSXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 MICROPOWER 静态随机存取存储器S |
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25C080/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:1 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V |
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MT25QU128ABB8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT25QU; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA |
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MT29C1G12MAADYAKD-5 IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1140; 产品类型:Multichip Packages; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29C; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 |
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MT46V32M16P-5B XIT:J |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP |
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GS832018AGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS832018AGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:175 mA, 190 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
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CY7C4142KV13-933FCXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 访问时间:85 ps; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s |
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IS42S16160J-7TL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16160J; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R |
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IS42S32400F-6TL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32400F; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R |
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IS42S16160J-6BLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16160J; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R |
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W9751G6NB25I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 商标:Winbond; 系列:W9751G6NB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 512Mb DDR2-800, x16 Ind Temp |
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AT28C256E-15JU-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT28C256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:50 mA; 最大时钟频率:-; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 150NS, PLCC, IND TEMP, GREEN |
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W9825G2JB-6I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W9825G2JB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 256Mb SDR S动态随机存取存储器 x32, 166MHz, Ind Temp |
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GS8160Z36DGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:200 mA, 210 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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MT40A512M8SA-062E IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 512MX8 FBGA |
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MT40A1G16KD-062E IT:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1140; 产品类型:DRAM; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.2 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA |
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CY14B104LA-BA45XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B104LA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM |
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IS25LP016D-JNLA3-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25LP016D; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, T&R, AUTO GRADE |
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S34ML01G200BHV000 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:S34ML01G2; 封装 / 箱体:BGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 Nand |
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IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:HyperRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS66WVH16M8ALL; 电源电流—最大值:60 mA; 访问时间:36 ns; 存储容量:128 Mbit; 组织:16 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 类型:HyperRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS |
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IS62WV102416EBLL-55BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:CMOS SRAM; 系列:IS62WV102416EBLL; 存储类型:CMOS; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:55 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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AT25160B-MAHL-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25160B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.8-5.5V, 20MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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M24C32M-FCU6T/TF |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 商标:STMicroelectronics; 宽度:0.674 mm; 长度:0.795 mm; 高度:0.315 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M24C32M-FCU; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:WLCSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 32-Kbit serial I2C bus 电可擦除可编程只读存储器 |
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W9864G6JT-6I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:319; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W9864G6JT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 64Mb SDR S动态随机存取存储器 x16, 166MHz, Ind Temp |
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MT25QU512ABB8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 128MX4 TBGA |
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MT28EW01GABA1HPC-0AAT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1104; 产品类型:NOR Flash; 商标:Micron; 速度:105 ns; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 LBGA |
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S29GL512S10FHI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1600; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL256S10DHI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2200; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY14B256LA-ZS25XIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:CY14B256LA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM |
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CY7C2270KV18-550BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C2270KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:890 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 550MHz DDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C2265KV18-550BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C2265KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:1.21 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 550MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1481BV33-133AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1481BV33; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:335 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz 静态随机存取存储器 |
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CY62157EV18LL-55BVXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62157EV18LL; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.65 V; 电源电压-最大:2.25 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 8Mb 1.8V 55ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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CY7C4141KV13-667FCXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C4141KV13; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-361; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:2150 mA; 电源电压-最小:1.26 V; 电源电压-最大:1.34 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:667 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 144Mb, 1.3V, 677Mhz 4Mx36 QDR-IV HP 静态随机存取存储器 |
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S25FS512SDSBHV213 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FS512S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1514KV18-333BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1514KV18; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:990 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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AT88SC0104C-MPTG |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CRYPTOMEMORY 1-KBIT 4 ZONE |
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IS43DR86400D-3DBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR86400D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:450 ps; 最大时钟频率:333 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 |
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IS43LR32160C-6BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:RLDRAM2; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43LR32160C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR |
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IS45S16320D-6CTLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS45S16320D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, 143Mhz 32Mx16 SDR S动态随机存取存储器 |
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AS4C2M32SA-6TCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C2M32SA; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,64M,3.3V 166MHz,2M x 32 |
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AS4C16M16MD1-6BCNTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C16M16MD1; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 电源电流—最大值:38 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FPBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR |
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IS43LR32160B-6BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:RLDRAM2; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43LR32160B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:BGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile |
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S34MS01G200TFI903 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:45 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:S34MS01G2; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 1Gb, 1.8V, 45ns NAND闪存 |
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IS43LR16320B-6BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:300; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43LR16320B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:6 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile |
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