| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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CY7C1360C-166BZC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1360C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 166Mhz 256K x 36 Pipelined 静态随机存取存储器 |
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AT24MAC602-MAHM-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器, 2K 2-WIRE-8 UDFN |
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CAT24C08TDI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.87 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT24C08; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSOT-23-5; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 8KB I2C SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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W25Q64FWZPIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:W25Q64FW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 64M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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GS71116AU-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AU; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M C Temp |
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W9751G6KB-18 |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:418; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W9751G6KB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 512Mb DDR2-1066, x16 |
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GS71116AU-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AU; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I Temp |
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TC58CYG0S3HRAIG |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kioxia America; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 组织:128 M x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND |
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CY62128EV30LL-45SXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62128EV30LL; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 3V 45ns 128K x 8 LP 静态随机存取存储器 |
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CY62128EV30LL-45ZAXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62128EV30LL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 3V 45ns 128K x 8 LP 静态随机存取存储器 |
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GS74116AX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
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GS84018CB-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS84018CB; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M |
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GS881Z18CD-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS881Z18CD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA, 130 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS882Z18CD-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS882Z18CD; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS88237CB-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:42; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS88237CB; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M |
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71V35761SA200BG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V35761SA200; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:360 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.1 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:N; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3 |
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GS816218DD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816218DD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA, 195 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS816236DB-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:21; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816236DB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:230 mA, 250 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8182Q18BD-167 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q18BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:435 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8162Z36DD-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS8162Z36DD; 封装:Tray; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M |
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GS8180QV36BD-167 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-I; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad; 系列:GS8180QV36BD; 存储类型:QDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:2.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8322Z36AD-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS8322Z36AD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:205 mA, 240 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M |
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GS8342Q36BD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8342Q36BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:825 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M |
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GS8321Z18AD-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8321Z18AD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:215 mA, 255 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:N; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M |
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SN74V3680-15PEU |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V3680; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:16 k x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16384 x 36 Synch 先进先出 Memory |
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IS61NVF51236B-6.5TQL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS61NVF51236B; 封装 / 箱体:QFP-100; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
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IS46DR16640B-25DBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS46DR16640B; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器 |
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CY62146EV30LL-45ZSXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62146EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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S25FL256SAGMFIR03 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT88SC0808CA-SH |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:4 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryptoMemory, 8Kbit 8Zone, 8SOIC, GRN |
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7164S20TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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S29AL008J70BFI022 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:S29AL008J; 封装 / 箱体:FBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1470V25-200BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1470V25; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:450 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz 静态随机存取存储器 |
 |
MTFC4GMWDQ-3M AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
 |
DS1250AB-100+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:43.69 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1250AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:100 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-24; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
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CY62148GN-45ZSXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Micropower 静态随机存取存储器s |
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71V016SA15PHGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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CY7C1663KV18-550BZXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1663KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:1.09 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II 静态随机存取存储器 |
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CAT25040VP2I-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT25040; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:75 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 4K-Bit SPI Serial |
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24LC01BT-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 - 1.8V |
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SST25VF040B-50-4I-QAE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:50 MHz; 存储类型:Serial Flash; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:50 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:TDFN-S-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash |
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CAV25020YE-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:CAV25020; 封装 / 箱体:TSSOP-8; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 2KB SPI SER CMOS EEP |
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DS1245ABP-70IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:25.02 mm; 类型:NVSRAM; 长度:23.5 mm; 高度:2.03 mm; 封装:Tube; 系列:DS1245ABP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:PowerCap Module-34; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM RAM NV 1MEG 5% VTP PCM 70NS IND LF |
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S29GL512S11FHIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FS128SDSNFI100 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 定时类型:Synchronous; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FS128S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 128Mb, 1.8V, 80Mhz MirrorBit SPI Flash |
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SST39VF1601C-70-4C-EKE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash |
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25LC160BT-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16k 2kx8 32B Pg-2.5V |
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AS4C64M8D2-25BAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M8D2; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:156 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 |
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IS43TR81280B-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR81280B; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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SST26WF080B-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:SQI; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 系列:SST26WF080B; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN |
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