| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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25LC160C-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 16B PAGE 2.5V SER EE EXT |
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AT88SC0204CA-TH |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 4; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CRYPTO Memory |
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BR24G256F-3GTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G256-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 256K SOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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BR24G256FVT-3GE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G256-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 256K TSSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器 |
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SST25VF512A-33-4I-QAE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:33 MHz; 存储类型:Serial Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 k x 8; 最大时钟频率:33 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 kbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Serial Flash |
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SST39LF401C-55-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash |
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SST39SF020A-55-4I-NHE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4.5 to 5.5 2M b 55ns Multi-Prps Fl |
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N25S830HAT22I |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ON Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:N25S830HA; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial, 2-Wire, SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
静态随机存取存储器 256KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器 |
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SST39VF1681-70-4I-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 类型:Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2M X 8 70ns 3.3V Industrial |
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71V124SA15PHG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:20.95 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71024S15YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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S29GL064S80DHIV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:80 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064S; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 64MB 3V, 80ns Parallel NOR闪存 |
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S25FL256SAGBHID10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL064N90FFIS40 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064N; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:-; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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SST38VF6404B-70I/TV |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:4 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:SST38VF640; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 64 Mbit x16 Advanced Multi-Pur Flash plus |
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7202LA50JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:7202L; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:50 ns; 最大时钟频率:15 MHz; 电路数量:2; 组织:1 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 1K X 9 CMOS PARALLEL FIF |
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S29GL512S12TFIV20 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:120 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512S; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512 MBIT 3V 120NS Parallel NOR闪存 |
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CY14B116N-BZ25XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B116; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
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CY14B104NA-BA45XE |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
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IS25WP128-JKLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Block, Uniform Sector; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:13 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25WP128; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R |
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IS42S16400J-6BL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16400J; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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IS42S16400J-7B2LI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S16400J; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M,3.3V,S动态随机存取存储器,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA |
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AS4C4M16SA-6BINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AS4C4M16SA; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 |
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S29GL256P90FFIR12 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AS6C8016A-55BINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C8016A; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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CY7C1460KV25-167BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:105; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s |
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CY7C1412KV18-333BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1412KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:750 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:333 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1463KV33-133AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB 静态随机存取存储器 with ECC |
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S25FL256SDSMFV013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:80 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AS7C38096B-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C38096B; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 8; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M, 3.3V, 10ns 1Mx8 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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25AA160T/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:475 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 1.8V |
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25C160T/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 5V |
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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV5128EDBLL; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 128K x 16 2.5v- Async 静态随机存取存储器 |
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AS7C1024C-12JINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C1024C; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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7164L20YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164L20; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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25LC040AT-E/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.95 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 2.5V SER EE EXT |
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S29GL256S11TFV023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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70V659S10DRG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 系列:70V659; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128K x 36 3.3V Dual-Port RAM |
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25AA080DT-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND |
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CY7C1370KV25-167AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:163 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 访问时间:3.4 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S |
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7052L20PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7052L20; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-120; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 FOUR PORT STATIC RAM |
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71V016SA20PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016SA20; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71T75602S133BGG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75602S133; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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71V67603S133BQG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:13 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V67603S133; 存储类型:SDR; 长度:15 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:4.2 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L |
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72V3623L10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V3623; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-128; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX36K2 BUS BIDIRECTIONAL |
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72V3680L7-5PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 系列:72V3680L7; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 16Kx36 SuperSync II 先进先出 3.3V 166MHz 5V |
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71T75902S85BGG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:84; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:22 mm; 类型:Synchronous; 系列:71T75902S85; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:2.15 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:PBGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:225 mA; 电源电压-最小:2.375 V; 电源电压-最大:2.625 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:8.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2.5V CORE ZBT X18 18M |
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CY7C1313KV18-250BZC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1313KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:440 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II 静态随机存取存储器 |
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CY7C1312KV18-300BZC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1312KV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:640 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:450 ps; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 18Mb 300Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II 静态随机存取存储器 |
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AT28HC256-90DM/883 |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:2.7 V, 3.6 V; 工作电源电流:80 mA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:15.5 mm (Max); 长度:37.9 mm (Max); 高度:4.2 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:90 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:CDIP-28; 安装风格:Through Hole; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K 5V SDP - 90NS 883C |
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