| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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PT928-6C-F |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:2.5 mm; 波长:940 nm; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:4.6 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3.41 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 IR Phototransistor |
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PD95-21B/TR7 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:15 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:20 mA; 商标:Everlight; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:2.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:T-3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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ALS-PDIC243-3B |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Everlight; 类型:Ambient Light Sensor; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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PD204-6C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3.5 uA; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:Everlight; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:3 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Infrared Photodiode |
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PD438C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:18 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3.8 mm; 封装:Bulk; 长度:4.8 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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EAPST1608A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.9 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 1608 SMD IR Detector 940nm |
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EAPSV3026A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3026; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3026 SMD IR Detector 940nm |
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PT5529B/L2-F |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:2.5 mm; 波长:940 nm; 类型:Side Face Silicon Phototransistor; 长度:4.8 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side View; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 IR Phototransistor |
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EL-PD204-6C/L3 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 PIN Photodiode |
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EL-PT928-6C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.52 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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EL-PT908-7B |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.78 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Dual Phototransistor |
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OED-ST-8LR2 |
Lumex |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lumex; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Lumex; |
光电晶体管 3mm Photo Transistor Water Clear Lens |
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EAPST3215A1 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3215 SMD IR Detector 940nm |
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EAPST3215A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3215 SMD IR Detector 940nm |
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EAPDSV3020A2 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 3020 SMD IR Detector 940nm |
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EL-PT908-7C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.78 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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EL-PD438B/L1 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:4 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3.8 mm; 封装:Bulk; 长度:4.8 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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OED-STR851C100-TR |
Lumex |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Lumex; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Lumex; |
光电晶体管 R/A SMD Phototrnstr Water Clear Lens |
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AS7221-BLGM |
ams |
光学探测器和传感器 |
商标名:Cognitive Lighting; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ns; 商标:ams; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AS7221; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.97 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 AS7221-BLGM LGA20 LF T&RDP |
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AS7225-BLGT |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AS7225; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 XYZ Calibrated Lighting Director |
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AS7211-BLGT |
ams |
光学探测器和传感器 |
商标名:Cognitive Lighting; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ns; 商标:ams; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AS7211; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.97 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 Smart Lighting Manager |
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AS7263-BLGM |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ns; 商标:ams; 类型:Spectrometer; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 峰值波长:600 nm to 870 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 AS7263-BLGM LGA20 LF T&RDP |
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AS7225-BLGM |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AS7225; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 AS7225-BLGM LGA20 LF T&RDP |
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AS7220-BLGM |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 上升时间:5 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ns; 商标:ams; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-20; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 AS7220-BLGM LGA20 LF T&RDP |
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180997-0006 |
Molex |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Molex; 宽度:60 mm; 类型:Wireless; 长度:37 mm; 高度:160 mm; 峰值波长:-; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Ambient Light Sensors; 制造商:Molex; |
环境光传感器 AMBIENT LIGHT SENSOR 902MHZ |
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CMV2000-3E5C1PP |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:60; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:Through Hole; 商标:ams; 系列:CMV2000; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 封装 / 箱体:UPGA-95; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 5.5 um; 每秒帧数:340 fps; 分辨率:2 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Color; 图象大小:2048 H x 1088 V; 类型:Area Scan Sensor; RoHS:Y; 制造商:ams; |
图像传感器 Area Scan Sensor 2MP; Color |
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CMV2000-3E12M1PP |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:60; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:Through Hole; 商标:ams; 系列:CMV2000; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 封装 / 箱体:UPGA-95; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 5.5 um; 每秒帧数:340 fps; 分辨率:2 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:2048 H x 1088 V; 类型:Area Scan Sensor; RoHS:Y; 制造商:ams; |
图像传感器 Area Scan Sensor 2MP; Mono-NIR |
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CMV4000-3E5M1PN |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:40; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:Through Hole; 商标:ams; 系列:CMV4000; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 封装 / 箱体:UPGA-95; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 5.5 um; 每秒帧数:180 fps; 分辨率:4 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:2048 H x 2048 V; 类型:Area Scan Sensor; RoHS:Y; 制造商:ams; |
图像传感器 Area Scan Sensor 4MP; Mono |
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ADPD2214ACPZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ADPD2214; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LFCSP-10; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:-; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 工作电源电流:950 uA; 工作电源电压:3.3 V; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
光IC传感器 Ultra-Low Noise Integr Intensity Sensor |
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ISL29029IROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29029; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 ISL29029IROZFREE AUTONOMOUS LW PWR |
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TCS37727FN |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3500; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ams; 系列:TCS3772; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FN-6; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光学数位转换器 Color LTD Converter W/Prox Sensing |
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CMV8000ES-1E5C1PA |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:24; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 系列:CMV8000; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 5.5 um; 每秒帧数:104 fps; 分辨率:8 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Color; 图象大小:3360 H x 2496 V; 类型:Area Scan Sensor; RoHS:Y; 制造商:ams; |
图像传感器 Area Scan Sensor 8MP Mono |
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TCS37725FN |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3500; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 最大上升时间:300 ns; 最大下降时间:300 ns; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C; 商标:ams; 系列:TCS3772; 分辨率:16 bit; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FN-6; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:235 uA; 最大工作频率:400 kHz; 峰值波长:525 nm; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光学数位转换器 Color Light-to-Dig Converter |
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DR2X4K7_INVAR_RGB_V5 |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 商标:ams; 制造商:ams; |
图像传感器 DR2X4K7_INVAR_RGB_V5 FT SE |
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QSE113E3R0 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.54 mm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:4.44 mm; 高度:5.08 mm; 系列:QSE113; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:Side Looker; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 0.25mA, 5V Phototransistor |
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E3T-ST12M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 1M DON NPN M3 MTG Thru-Beam |
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Y92E-GS18NSS |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Spring Mount M18 Unshielded SS |
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BPX 87 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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AD3000-8-TO5i |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 产品类型:Photodiodes; 商标:First Sensor; 系列:APD Series 8; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Avalanche photodiode TO5i 7.07mm |
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E3T-SL24 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PHOTO MINI S/V CONVE R PNP DO |
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ZX-XC1A 1M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZX; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 EXTENSION CABLE 1m LONG |
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Y92E-GS18SS |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Spring Mount for M18 shielded SS |
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E3JM-DS70R4T-US |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3JM; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 SENSOR / TIMER TERM BLOCK |
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AD1100-8-TO52-S1 |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10; 响应率:50 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:8E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 类型:NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:APD Series 8; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:92 deg; 上升时间:1 ns; Vr - 反向电压 :90 V; 暗电流:4 nA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52-S1; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 High Speed Si APD 130um Active Area |
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Y92E-GS08NSS |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Spring Mount for M8 Unshielded SS |
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E3Z-LS81-M1J 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 E3Z Distance Sensors |
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SFH 325 FA-3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:50 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 波长:980 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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AR0144CSSM20SUKA0-CPBR1 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:300; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/4 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 封装 / 箱体:ODCSP-69; 像素大小 - 宽x高:3 um x 3 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:1 Megapixels; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1280 H x 800 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP 1/4 CIS SO |
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PY2435 |
Pyreos |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 元件大小:700 um x 325 um; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-8; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Quad channel sensor for anaesthetic gases, Filters: 8.75um/220nm, 9.65um/220nm, 12.25um/210nm, 8.55um/180nm |
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VPDV2120-VF-FA |
Finisar |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:150 mA; 商标:Finisar; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:0 C; 暗电流:10 nA; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Finisar; |
光电二极管 VPDV2120-VF-FA * 15GHZ, HIGH-POWER PHOTODETECTOR |
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